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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung – Nennspannung | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Leistung – max | Eingang | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Nennstrom (Ampere) | Testbedingung | Aktuell - Test | Leistung – Leistung | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Rauschzahl | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektor gepulst (Icm) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Energie wechseln | Tor-Gebühr | Td (ein/aus) bei 25 °C | Spannung – Test | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | NTC-Thermistor | Eingangskapazität (Cies) bei Vce | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Rauschzahl (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGF50DA120TG | - | ![]() | 9596 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP4 | 312 W | Standard | SP4 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzeln | NVV | 1200 V | 75 A | 3,7 V bei 15 V, 50 A | 250 µA | Ja | 3,45 nF bei 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD8266-01H | - | ![]() | 7244 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Veraltet | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2221A | 7.7938 | ![]() | 5731 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65°C ~ 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-206AA, TO-18-3 Metalldose | 2N2221 | 500 mW | TO-18 (TO-206AA) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1 V bei 50 mA, 500 mA | 40 bei 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6782 | - | ![]() | 5670 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/556 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | TO-205AF (TO-39) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 V | 3,5 A (Tc) | 10V | 610 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 8,1 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 15 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF90DH60T3G | - | ![]() | 2047 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | Fahrgestellmontage | SP3 | 416 W | Standard | SP3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | NVV | 600 V | 110 A | 2,5 V bei 15 V, 100 A | 250 µA | Ja | 4,3 nF bei 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50DSK10T3G | - | ![]() | 5679 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP3 | APTM50 | MOSFET (Metalloxid) | 312W | SP3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Dual) | 500V | 37A | 120 mOhm bei 18,5 A, 10 V | 5 V bei 1 mA | 96 nC bei 10 V | 4367pF bei 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| VRF3933 | 113.5000 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | 250 V | M177 | VRF3933 | 30 MHz | MOSFET | M177 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-Kanal | 20A | 250mA | 300W | 22dB | - | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT4016BVRG | - | ![]() | 6356 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Rohr | Veraltet | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 30 | 27A (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2392 | - | ![]() | 1173 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150DU60TG | - | ![]() | 9695 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP4 | 480 W | Standard | SP4 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Duale, gemeinsame Quelle | Grabenfeldstopp | 600 V | 225 A | 1,9 V bei 15 V, 150 A | 250 µA | Ja | 9,2 nF bei 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20GF120BRDQ1G | - | ![]() | 5988 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | APT20GF120 | Standard | 200 W | TO-247 [B] | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 V, 15 A, 4,3 Ohm, 15 V | NVV | 1200 V | 36 A | 64 A | 3,2 V bei 15 V, 15 A | 895µJ (ein), 840µJ (aus) | 100 nC | 10ns/120ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6849 | - | ![]() | 7231 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/564 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | TO-205AF (TO-39) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 100 V | 6,5 A (Tc) | 10V | 320 mOhm bei 6,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 34,8 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20N60SC3G | - | ![]() | 3080 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-268-3, D³Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-268AA | MOSFET (Metalloxid) | D3Pak | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20,7 A (Tc) | 10V | 190 mOhm bei 13,1 A, 10 V | 3,9 V bei 1 mA | 114 nC bei 10 V | ±20V | 2440 pF bei 25 V | - | 208W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM10DDAM19T3G | - | ![]() | 8819 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP3 | APTM10 | MOSFET (Metalloxid) | 208W | SP3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Dual) | 100V | 70A | 21 mOhm bei 35 A, 10 V | 4V bei 1mA | 200 nC bei 10 V | 5100pF bei 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6802 | - | ![]() | 3679 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/557 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | TO-205AF (TO-39) | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 2,5 A (Tc) | 10V | 1,6 Ohm bei 2,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 33 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT6040BNG | - | ![]() | 5142 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 400 mOhm bei 9 A, 10 V | 4V bei 1mA | 130 nC bei 10 V | ±30V | 2950 pF bei 25 V | - | 310 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM120DA68T1G | - | ![]() | 3214 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP1 | MOSFET (Metalloxid) | SP1 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 15A (Tc) | 10V | 816 mOhm bei 12 A, 10 V | 5 V bei 2,5 mA | 260 nC bei 10 V | ±30V | 6696 pF bei 25 V | - | 357 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N5013 | - | ![]() | 9097 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/727 | Schüttgut | Veraltet | -65°C ~ 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AA, TO-5-3 Metalldose | 1 W | TO-5 | - | Nicht RoHS-konform | Nicht zutreffend | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V | 200mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 bei 20 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2275 | - | ![]() | 2901 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Veraltet | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT47N65SCS3G | - | ![]() | 1612 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | APT47N65 | - | - | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 10V | - | - | ±20V | - | 417W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC86580 | - | ![]() | 2127 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6756 | - | ![]() | 9957 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-204AA | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 V | 14A (Tc) | 10V | 210 mOhm bei 14 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 35 nC bei 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 75W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 10502 | - | ![]() | 8861 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | 230°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 55SM | 1458W | 55SM | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8,5 dB | 65V | 40A | NPN | 20 bei 5A, 5V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT8M80K | - | ![]() | 3502 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS 8™ | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 [K] | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 8A (Tc) | 10V | 1,35 Ohm bei 4 A, 10 V | 5 V bei 500 µA | 43 nC bei 10 V | ±30V | 1335 pF bei 25 V | - | 225 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75DA170T1G | - | ![]() | 8674 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP1 | 465 W | Standard | SP1 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzeln | Grabenfeldstopp | 1700 V | 130 A | 2,4 V bei 15 V, 75 A | 250 µA | Ja | 6,8 nF bei 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N6790 | - | ![]() | 6124 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/555 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | TO-39 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 3,5 A (Tc) | 10V | 850 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 14,3 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT25A120T1G | - | ![]() | 9309 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP1 | 156 W | Standard | SP1 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Grabenfeldstopp | 1200 V | 40 A | 2,1 V bei 15 V, 25 A | 250 µA | Ja | 1,8 nF bei 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6798U | - | ![]() | 5073 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 18-CLCC | MOSFET (Metalloxid) | 18-ULCC (9,14 x 7,49) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 5,5 A (Tc) | 10V | 400 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 5,29 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1226 | - | ![]() | 1406 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | 200°C (TJ) | Fahrgestellmontage | M113 | 80W | M113 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 18dB | 36V | 4,5A | NPN | 10 bei 500 mA, 5 V | 30 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6784U | - | ![]() | 9081 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 18-CLCC | MOSFET (Metalloxid) | 18-ULCC (9,14 x 7,49) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 2,25 A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm bei 1,5 A, 0 V | 4 V bei 250 µA | 8,6 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 15 W (Tc) |

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