SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Spannung – Nennspannung Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Leistung – max Eingang Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status ECCN HTSUS Standardpaket Konfiguration FET-Typ Nennstrom (Ampere) Testbedingung Aktuell - Test Leistung – Leistung Gewinnen Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Rauschzahl IGBT-Typ Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektor gepulst (Icm) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Energie wechseln Tor-Gebühr Td (ein/aus) bei 25 °C Spannung – Test Strom – Kollektorabschaltung (max.) NTC-Thermistor Eingangskapazität (Cies) bei Vce Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Rauschzahl (dB Typ @ f)
APTGF50DA120TG Microsemi Corporation APTGF50DA120TG -
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ECAD 9596 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Bei SIC eingestellt -40°C ~ 150°C (TJ) Fahrgestellmontage SP4 312 W Standard SP4 herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 1 Einzeln NVV 1200 V 75 A 3,7 V bei 15 V, 50 A 250 µA Ja 3,45 nF bei 25 V
SD8266-01H Microsemi Corporation SD8266-01H -
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ECAD 7244 0,00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - 1 (Unbegrenzt) VERALTET 0000.00.0000 1
JAN2N2221A Microsemi Corporation JAN2N2221A 7.7938
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ECAD 5731 0,00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-206AA, TO-18-3 Metalldose 2N2221 500 mW TO-18 (TO-206AA) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 mA 50nA NPN 1 V bei 50 mA, 500 mA 40 bei 150 mA, 10 V -
JANTXV2N6782 Microsemi Corporation JANTXV2N6782 -
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ECAD 5670 0,00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/556 Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 V 3,5 A (Tc) 10V 610 mOhm bei 3,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 8,1 nC bei 10 V ±20V - 800 mW (Ta), 15 W (Tc)
APTGF90DH60T3G Microsemi Corporation APTGF90DH60T3G -
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ECAD 2047 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet - Fahrgestellmontage SP3 416 W Standard SP3 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke NVV 600 V 110 A 2,5 V bei 15 V, 100 A 250 µA Ja 4,3 nF bei 25 V
APTM50DSK10T3G Microsemi Corporation APTM50DSK10T3G -
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ECAD 5679 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Fahrgestellmontage SP3 APTM50 MOSFET (Metalloxid) 312W SP3 herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Dual) 500V 37A 120 mOhm bei 18,5 A, 10 V 5 V bei 1 mA 96 nC bei 10 V 4367pF bei 25V -
VRF3933 Microsemi Corporation VRF3933 113.5000
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ECAD 28 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Aktiv 250 V M177 VRF3933 30 MHz MOSFET M177 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0075 1 N-Kanal 20A 250mA 300W 22dB - 100 V
APT4016BVRG Microsemi Corporation APT4016BVRG -
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ECAD 6356 0,00000000 Microsemi Corporation - Rohr Veraltet - 1 (Unbegrenzt) VERALTET 0000.00.0000 30 27A (Tc)
MS2392 Microsemi Corporation MS2392 -
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ECAD 1173 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet - 1 (Unbegrenzt) VERALTET 0000.00.0000 1
APTGT150DU60TG Microsemi Corporation APTGT150DU60TG -
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ECAD 9695 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 175°C (TJ) Fahrgestellmontage SP4 480 W Standard SP4 herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 Duale, gemeinsame Quelle Grabenfeldstopp 600 V 225 A 1,9 V bei 15 V, 150 A 250 µA Ja 9,2 nF bei 25 V
APT20GF120BRDQ1G Microsemi Corporation APT20GF120BRDQ1G -
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ECAD 5988 0,00000000 Microsemi Corporation - Rohr Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 APT20GF120 Standard 200 W TO-247 [B] - 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 30 800 V, 15 A, 4,3 Ohm, 15 V NVV 1200 V 36 A 64 A 3,2 V bei 15 V, 15 A 895µJ (ein), 840µJ (aus) 100 nC 10ns/120ns
JANTXV2N6849 Microsemi Corporation JANTXV2N6849 -
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ECAD 7231 0,00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/564 Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 V 6,5 A (Tc) 10V 320 mOhm bei 6,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 34,8 nC bei 10 V ±20V - 800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APT20N60SC3G Microsemi Corporation APT20N60SC3G -
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ECAD 3080 0,00000000 Microsemi Corporation CoolMOS™ Rohr Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-268-3, D³Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-268AA MOSFET (Metalloxid) D3Pak herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 20,7 A (Tc) 10V 190 mOhm bei 13,1 A, 10 V 3,9 V bei 1 mA 114 nC bei 10 V ±20V 2440 pF bei 25 V - 208W (Tc)
APTM10DDAM19T3G Microsemi Corporation APTM10DDAM19T3G -
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ECAD 8819 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Fahrgestellmontage SP3 APTM10 MOSFET (Metalloxid) 208W SP3 herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Dual) 100V 70A 21 mOhm bei 35 A, 10 V 4V bei 1mA 200 nC bei 10 V 5100pF bei 25V -
JANTXV2N6802 Microsemi Corporation JANTXV2N6802 -
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ECAD 3679 0,00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/557 Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) - Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 2,5 A (Tc) 10V 1,6 Ohm bei 2,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 33 nC bei 10 V ±20V - 800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APT6040BNG Microsemi Corporation APT6040BNG -
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ECAD 5142 0,00000000 Microsemi Corporation POWER MOS IV® Rohr Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247AD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 18A (Tc) 10V 400 mOhm bei 9 A, 10 V 4V bei 1mA 130 nC bei 10 V ±30V 2950 pF bei 25 V - 310 W (Tc)
APTM120DA68T1G Microsemi Corporation APTM120DA68T1G -
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ECAD 3214 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Fahrgestellmontage SP1 MOSFET (Metalloxid) SP1 herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 15A (Tc) 10V 816 mOhm bei 12 A, 10 V 5 V bei 2,5 mA 260 nC bei 10 V ±30V 6696 pF bei 25 V - 357 W (Tc)
JANTX2N5013 Microsemi Corporation JANTX2N5013 -
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ECAD 9097 0,00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AA, TO-5-3 Metalldose 1 W TO-5 - Nicht RoHS-konform Nicht zutreffend EAR99 8541.29.0095 1 800 V 200mA 10nA (ICBO) NPN 30 bei 20 mA, 10 V -
MS2275 Microsemi Corporation MS2275 -
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ECAD 2901 0,00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - 1 (Unbegrenzt) VERALTET 0000.00.0000 1
APT47N65SCS3G Microsemi Corporation APT47N65SCS3G -
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ECAD 1612 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) - APT47N65 - - - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 - - 10V - - ±20V - 417W (Tc)
MSC86580 Microsemi Corporation MSC86580 -
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ECAD 2127 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet - 1 (Unbegrenzt) VERALTET 0000.00.0000 1
2N6756 Microsemi Corporation 2N6756 -
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ECAD 9957 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metalloxid) TO-204AA herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 V 14A (Tc) 10V 210 mOhm bei 14 A, 10 V 4 V bei 250 µA 35 nC bei 10 V ±20V - 4W (Ta), 75W (Tc)
10502 Microsemi Corporation 10502 -
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ECAD 8861 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet 230°C (TJ) Fahrgestellmontage 55SM 1458W 55SM herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0075 1 8,5 dB 65V 40A NPN 20 bei 5A, 5V - -
APT8M80K Microsemi Corporation APT8M80K -
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ECAD 3502 0,00000000 Microsemi Corporation POWER MOS 8™ Rohr Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 [K] herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 8A (Tc) 10V 1,35 Ohm bei 4 A, 10 V 5 V bei 500 µA 43 nC bei 10 V ±30V 1335 pF bei 25 V - 225 W (Tc)
APTGT75DA170T1G Microsemi Corporation APTGT75DA170T1G -
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ECAD 8674 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Fahrgestellmontage SP1 465 W Standard SP1 herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 Einzeln Grabenfeldstopp 1700 V 130 A 2,4 V bei 15 V, 75 A 250 µA Ja 6,8 nF bei 25 V
JAN2N6790 Microsemi Corporation JAN2N6790 -
Anfrage
ECAD 6124 0,00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/555 Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-39 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.21.0095 1 N-Kanal 200 V 3,5 A (Tc) 10V 850 mOhm bei 3,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 14,3 nC bei 10 V ±20V - 800 mW (Tc)
APTGT25A120T1G Microsemi Corporation APTGT25A120T1G -
Anfrage
ECAD 9309 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Fahrgestellmontage SP1 156 W Standard SP1 herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 Halbbrücke Grabenfeldstopp 1200 V 40 A 2,1 V bei 15 V, 25 A 250 µA Ja 1,8 nF bei 25 V
2N6798U Microsemi Corporation 2N6798U -
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ECAD 5073 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 18-CLCC MOSFET (Metalloxid) 18-ULCC (9,14 x 7,49) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 V 5,5 A (Tc) 10V 400 mOhm bei 3,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 5,29 nC bei 10 V ±20V - 800 mW (Ta), 25 W (Tc)
MS1226 Microsemi Corporation MS1226 -
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ECAD 1406 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet 200°C (TJ) Fahrgestellmontage M113 80W M113 herunterladen 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 18dB 36V 4,5A NPN 10 bei 500 mA, 5 V 30 MHz -
2N6784U Microsemi Corporation 2N6784U -
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ECAD 9081 0,00000000 Microsemi Corporation - Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 18-CLCC MOSFET (Metalloxid) 18-ULCC (9,14 x 7,49) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 V 2,25 A (Tc) 10V 1,5 Ohm bei 1,5 A, 0 V 4 V bei 250 µA 8,6 nC bei 10 V ±20V - 800 mW (Ta), 15 W (Tc)
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