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Transistoren(1315)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung – Nennspannung	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Frequenz	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Nennstrom (Ampere)	Aktuell - Test	Leistung – Leistung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Rauschzahl	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Spannung – Test	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)
JAN2N2221AL	8.6849	Anfrage	3373	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/255	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose	2N2221			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1																			50 V	800 mA			50nA			NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	40 bei 150 mA, 10 V	-
MS2254	-	Anfrage	9136	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Veraltet											-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
MRF553G	-	Anfrage	2403	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-	Oberflächenmontage	Power-Makro				3W		Power-Makro	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	500						11 dB ~ 13 dB													16V	500mA						NPN		30 bei 250 mA, 5 V	175 MHz	-
MS1406	-	Anfrage	2593	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		200°C (TJ)	Fahrgestell, Bolzenmontage	M135				30W		M135	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	VERALTET	0000.00.0000	1						8,2 dB													35V	3A						NPN		10 bei 200 mA, 5 V	175 MHz	-
APTM120UM95FAG	-	Anfrage	8426	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP6			MOSFET (Metalloxid)			SP6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal					1200 V	103A (Tc)	10V	114 mOhm bei 51,5 A, 10 V	5 V bei 15 mA	1122 nC bei 10 V	±30V	30900 pF bei 25 V	-	2272W (Tc)
ARF441	-	Anfrage	5487	Microsemi Corporation	-	Rohr	Veraltet	150 V			-		13,56 MHz	MOSFET			-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1	N-Kanal		11A	200mA	125W	21dB											-					50 V
JANTX2N3811L	-	Anfrage	6178	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/336	Schüttgut	Veraltet		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-78-6 Metalldose	2N3811			350 mW		TO-78-6	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	50mA			10µA (ICBO)			2 PNP (Dual)	250 mV bei 100 µA, 1 mA	300 bei 1 mA, 5 V	-
APT34F60BG	-	Anfrage	9484	Microsemi Corporation	POWER MOS 8™	Rohr	Bei SIC eingestellt		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-247-3	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal					600 V	34A (Tc)	10V	210 mOhm bei 17 A, 10 V	5 V bei 1 mA	165 nC bei 10 V	±30V	6640 pF bei 25 V	-	624 W (Tc)
JANTXV2N3811L	-	Anfrage	2729	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/336	Schüttgut	Veraltet		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-78-6 Metalldose	2N3811			350 mW		TO-78-6	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	50mA			10µA (ICBO)			2 PNP (Dual)	250 mV bei 100 µA, 1 mA	300 bei 1 mA, 5 V	-
MRF8372R2	-	Anfrage	6919	Microsemi Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet		-	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)				2,2 W		8-SO	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	2.500						8 dB ~ 9,5 dB													16V	200mA						NPN		30 bei 50 mA, 5 V	870 MHz	-
APTM10TDUM19PG	-	Anfrage	9406	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP6	APTM10		MOSFET (Metalloxid)	208W		SP6-P	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)						100V	70A		21 mOhm bei 35 A, 10 V	4V bei 1mA	200 nC bei 10 V		5100pF bei 25V	-
SD1013-20H	-	Anfrage	4733	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet											-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
APTGF50H60T2G	-	Anfrage	3207	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-	Fahrgestellmontage	SP3				250 W	Standard	SP3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Vollbrückenwechselrichter																	NVV	600 V	65 A	2,45 V bei 15 V, 50 A		250 µA	Ja	2,2 nF bei 25 V
JAN2N7369	1.0000	Anfrage	7520	Microsemi Corporation	MIL-PRF-19500/621	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-254-3, TO-254AA	2N7369			115 W		TO-254AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform		REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	10 A			5mA			PNP	1 V bei 500 mA, 5 A	50 @ 1A, 2V	-
APTCV90TL12T3G	-	Anfrage	2688	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP3				280 W	Standard	SP3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Dreistufiger Wechselrichter – IGBT, FET																	Grabenfeldstopp	1200 V	80 A	2,2 V bei 15 V, 50 A		1mA	Ja	2,77 nF bei 25 V
JANTXV2N5015	-	Anfrage	5948	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/727	Schüttgut	Veraltet		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AA, TO-5-3 Metalldose				1 W		TO-5	-	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend		EAR99	8541.29.0095	1																			1000 V	200mA			10nA (ICBO)			NPN		30 bei 20 mA, 10 V	-
APTM120U10DAG	-	Anfrage	7637	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP6			MOSFET (Metalloxid)			SP6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal					1200 V	160A (Tc)	10V	120 mOhm bei 58 A, 10 V	5 V bei 20 mA	1100 nC bei 10 V	±30V	28900 pF bei 25 V	-	3290 W (Tc)
APT40M70LVFRG	-	Anfrage	5180	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-264-3, TO-264AA			MOSFET (Metalloxid)			TO-264 [L]	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal					400 V	57A (Tc)	10V	70 mOhm bei 500 mA, 10 V	4 V bei 2,5 mA	495 nC bei 10 V	±30V	8890 pF bei 25 V	-	520 W (Tc)
60159	-	Anfrage	6980	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet											-		Nicht zutreffend		VERALTET	0000.00.0000	1
MS1001	-	Anfrage	5447	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	M174				270W		M174	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1						13dB													18V	20A						NPN		20 bei 5A, 5V	30 MHz	-
A4815H	-	Anfrage	4336	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Veraltet											-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
VRF191	-	Anfrage	1108	Microsemi Corporation	-	Rohr	Veraltet	270 V			T11		30 MHz	MOSFET			T11	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1	N-Kanal		12A	250mA	150W	22dB											-					100 V
APT50GF60JU3	-	Anfrage	7009	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-	Fahrgestellmontage	ISOTOP				277 W	Standard	SOT-227	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln																	NVV	600 V	75 A	2,7 V bei 15 V, 50 A		40 µA	NEIN	2,25 nF bei 25 V
APTGT75SK120T1G	-	Anfrage	3648	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1				357 W	Standard	SP1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln																	Grabenfeldstopp	1200 V	110 A	2,1 V bei 15 V, 75 A		250 µA	Ja	5,34 nF bei 25 V
UTV010	-	Anfrage	4219	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		200°C (TJ)	Fahrgestell, Bolzenmontage	55 Fuß				15W		55 Fuß	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	VERALTET	0000.00.0000	1						11,5 dB													24V	1,25A						NPN		15 bei 200 mA, 5 V	470 MHz ~ 860 MHz	-
APTM100A40FT1G	-	Anfrage	2624	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1	APTM100		MOSFET (Metalloxid)	390W		SP1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Halbbrücke)						1000 V (1 kV)	21A		480 mOhm bei 18 A, 10 V	5 V bei 2,5 mA	305 nC bei 10 V		7868pF bei 25V	-
APT15F50K	-	Anfrage	2463	Microsemi Corporation	-	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-220 [K]	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal					500 V	15A (Tc)		390 mOhm bei 7 A, 10 V	5 V bei 500 µA	55 nC bei 10 V		2250 pF bei 25 V	-	223W (Tc)
JANTXV2N6758	-	Anfrage	4361	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/542	Schüttgut	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-204AA (TO-3)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal					200 V	9A (Tc)	10V	490 mOhm bei 9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	39 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 75W (Tc)
APTML60U12R020T1AG	-	Anfrage	9180	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1			MOSFET (Metalloxid)			SP1	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal					600 V	45A (Tc)	10V	150 mOhm bei 22,5 A, 10 V	4 V bei 2,5 mA		±30V	7600 pF bei 25 V	-	568 W (Tc)
JAN2N1016D	-	Anfrage	2325	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/102	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 150°C (TJ)			2N1016			150 W		TO-82	-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1																			200 V	7,5 A			1mA			NPN	2,5 V bei 1 A, 5 A	6 bei 7,5 A, 4 V	-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²