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Transistoren(1315)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung – Nennspannung	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Frequenz	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Nennstrom (Ampere)	Leistung – Leistung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Rauschzahl	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Spannung – Test	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)
SD1127	-	Anfrage	7301	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose				8W		TO-39	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	500					12dB													18V	640mA						NPN		10 bei 50 mA, 5 V	175 MHz	-
JANTX2N6796U	-	Anfrage	2604	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/557	Schüttgut	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	18-CLCC			MOSFET (Metalloxid)			18-ULCC (9,14 x 7,49)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal				100 V	8A (Tc)	10V	195 mOhm bei 8 A, 10 V	4 V bei 250 µA	28,51 nC bei 10 V	±20V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
JANSR2N7261U	-	Anfrage	2055	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/601	Tablett	Veraltet		-55 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	18-CLCC			MOSFET (Metalloxid)			18-ULCC (9,14 x 7,49)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal				100 V	8A (Tc)	12V	185 mOhm bei 8 A, 12 V	4V bei 1mA	50 nC bei 12 V	±20V		-	25W (Tc)
APTGT200SK60TG	-	Anfrage	8084	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Bei SIC eingestellt		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4				625 W	Standard	SP4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln																Grabenfeldstopp	600 V	290 A	1,9 V bei 15 V, 200 A		250 µA	Ja	12,3 nF bei 25 V
75060B	-	Anfrage	5377	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet											-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
75101H	-	Anfrage	4834	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet											-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
75102	-	Anfrage	9199	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet											-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
APTGF30TL601G	-	Anfrage	6847	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-	Fahrgestellmontage	SP1				140 W	Standard	SP1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Dreistufiger Wechselrichter																NVV	600 V	42 A	2,45 V bei 15 V, 30 A		250 µA	NEIN	1,35 nF bei 25 V
2N1016D	-	Anfrage	5233	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 150°C (TJ)			2N1016			150 W		TO-82	herunterladen	Nicht RoHS-konform		REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1																		200 V	7,5 A			1mA			NPN	2,5 V bei 1 A, 5 A	6 bei 7,5 A, 4 V	-
PP9348	-	Anfrage	9282	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Veraltet											-	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend		VERALTET	0000.00.0000	1
APTGL90SK120T1G	-	Anfrage	6207	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1				385 W	Standard	SP1	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln																Grabenfeldstopp	1200 V	110 A	2,25 V bei 15 V, 75 A		250 µA	Ja	4,4 nF bei 25 V
64030	-	Anfrage	7861	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet											-		Nicht zutreffend		VERALTET	0000.00.0000	1
APTM10DHM09T3G	-	Anfrage	1107	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP3	APTM10		MOSFET (Metalloxid)	390W		SP3	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch					100V	139A		10 mOhm bei 69,5 A, 10 V	4 V bei 2,5 mA	350 nC bei 10 V		9875pF bei 25V	-
2N5014S	-	Anfrage	2439	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/727	Schüttgut	Veraltet		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend		EAR99	8541.29.0095	1																		900 V	200mA			10nA (ICBO)			NPN	1,6 V bei 5 mA, 20 mA	30 bei 20 mA, 10 V	-
JANTXV2N2857UB	-	Anfrage	2967	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel				200 mW		UB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	100					21dB													15V	40mA						NPN		30 bei 3 mA, 1 V	-	4,5 dB bei 450 MHz
MDS70	-	Anfrage	9511	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	55CX				225W		55CX	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1					10,3 dB ~ 11,65 dB													65V	5A						NPN		20 bei 500 mA, 5 V	1,03 GHz ~ 1,09 GHz	-
APT11N80KC3G	-	Anfrage	8224	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-220 [K]	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal				800 V	11A (Tc)	10V	450 mOhm bei 7,1 A, 10 V	3,9 V bei 680 µA	60 nC bei 10 V	±20V	1585 pF bei 25 V	-	156 W (Tc)
MSC1175M	-	Anfrage	1033	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		250°C (TJ)	Fahrgestellmontage	M218				400W		M218	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1					8dB													65V	12A						NPN		15 bei 1A, 5V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APT30M85BVFRG	-	Anfrage	5926	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-247 [B]	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal				300 V	40A (Tc)	10V	85 mOhm bei 500 mA, 10 V	4V bei 1mA	195 nC bei 10 V	±30V	4950 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)
JANTX2N3811	-	Anfrage	5550	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/336	Schüttgut	Veraltet		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-78-6 Metalldose	2N3811			350 mW		TO-78-6	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1																		60V	50mA			10µA (ICBO)			2 PNP (Dual)	250 mV bei 100 µA, 1 mA	300 bei 1 mA, 5 V	-
JANTXV2N6768	-	Anfrage	5619	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/543	Schüttgut	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AE			MOSFET (Metalloxid)			TO-204AE (TO-3)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal				400 V	14A (Tc)	10V	400 mOhm bei 14 A, 10 V	4 V bei 250 µA	110 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
MS2284	-	Anfrage	2388	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet											-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
APT12080JVR	-	Anfrage	3427	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Schüttgut	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (Metalloxid)			ISOTOP®	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal				1200 V	15A (Tc)	10V	800 mOhm bei 7,5 A, 10 V	4 V bei 2,5 mA	485 nC bei 10 V	±30V	7800 pF bei 25 V	-	450 W (Tc)
ARF448AG	-	Anfrage	1461	Microsemi Corporation	-	Rohr	Veraltet	450 V			TO-247-3	ARF448	40,68 MHz	MOSFET			TO-247	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		15A	230W	15 dB											-					150 V
APTML102UM09R004T3AG	-	Anfrage	8404	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP3	APTML102		MOSFET (Metalloxid)	480W		SP3	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)					100V	154A (Tc)		10 mOhm bei 69,5 A, 10 V	4 V bei 2,5 mA	-		9875pF bei 25V	-
APTM100TDU35PG	-	Anfrage	2316	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP6	APTM100		MOSFET (Metalloxid)	390W		SP6-P	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)					1000 V (1 kV)	22A		420 mOhm bei 11 A, 10 V	5 V bei 2,5 mA	186 nC bei 10 V		5200pF bei 25V	-
APT20N60BC3G	-	Anfrage	3471	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-247-3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal				600 V	20,7 A (Tc)	10V	190 mOhm bei 13,1 A, 10 V	3,9 V bei 1 mA	114 nC bei 10 V	±20V	2440 pF bei 25 V	-	208W (Tc)
2N6901	-	Anfrage	1597	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)			TO-39	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal				100 V	1,69 A (Tc)	5V	2,6 Ohm bei 1,07 A, 5 V	2V bei 1mA	1 nC bei 5 V	±10V		-	8,33 W (Tc)
APTM20DUM10TG	-	Anfrage	3956	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4	APTM20		MOSFET (Metalloxid)	694W		SP4	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)					200V	175A		12 mOhm bei 87,5 A, 10 V	5 V bei 5 mA	224 nC bei 10 V		13700pF bei 25V	-
MS2441	-	Anfrage	3373	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	M112				1458W		M112	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1					6,5 dB													65V	22A						NPN		5 bei 250 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²