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Transistoren (1315)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv2N7227 | - - - |  | 5528 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/592 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | MOSFET (Metalloxid) | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 400 V | 14a (TC) | 10V | 415Mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | APT5SM170B | - - - | | 8248 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1700 v | 5a (TC) | 20V | 1,25 Ohm @ 2,5a, 20V | 3,2 V @ 500 ähm | 21 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 249 PF @ 1000 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| 60205 | - - - | | 3565 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2248 | - - - | | 1656 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2206A | - - - | | 1225 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N6251T1 | - - - | | 9402 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/510 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | 2N6251 | 6 w | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 10 a | 1ma | Npn | 1,5 V @ 1,67a, 10a | 6 @ 10a, 3v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
| MSC80205 | - - - | | 6834 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JantX2N5109 | - - - | | 5545 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5109 | To-39 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5812m | - - - | | 2943 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64020H | - - - | | 4979 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 66099 | - - - | | 7190 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT100SK120TG | - - - | | 7742 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 480 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 140 a | 2,1 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 7.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| MSC1175MA | - - - | | 6446 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 250 ° C. | Chassis -berg | M218 | 400W | M218 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 8db | 65 V | 12a | Npn | 15 @ 1a, 5V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 66116 | - - - | | 1266 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2321a | - - - | | 5260 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 42106HS | - - - | | 6735 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 42105 | - - - | | 8081 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2215 | - - - | | 7351 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 250 ° C (TJ) | Chassis -berg | M216 | 300W | M216 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,5 dB | 55 v | 16.5a | Npn | 20 @ 5a, 5V | 960 MHz ~ 1,215 GHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF330SK60D3G | - - - | | 6265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D-3-Modul | 1400 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 460 a | 2,5 V @ 15V, 400a | 750 µA | NEIN | 18 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||
| SD8253-02H | - - - | | 6107 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N3499L/Tr | - - - | | 3675 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3499 | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JantX2N5014S | - - - | | 5757 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/727 | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 V | 200 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 30 @ 20 Ma, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Vrf2933fl | - - - | | 7818 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | 170 v | M177 | VRF2933 | 30 MHz | Mosfet | M177 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | - - - | 250 Ma | 300W | 22 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| SD1013-03 | - - - | | 2320 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | M113 | 13W | M113 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10 dB | 35 V | 1a | Npn | 10 @ 200 Ma, 5V | 150 MHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2608 | - - - | | 3658 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPA201 | - - - | | 3130 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55au | 6W | 55au | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 13 dB | 22V | 300 ma | Npn | 20 @ 100 Ma, 5V | 2GHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2212 | - - - | | 8600 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 250 ° C (TJ) | Chassis -berg | M222 | 50W | M222 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.1db ~ 8.9db | 55 v | 1.8a | Npn | 15 @ 500 mA, 5V | 960 MHz ~ 1,215 GHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50SKM35TG | - - - | | 1645 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | MOSFET (Metalloxid) | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 99a (TC) | 10V | 39mohm @ 49.5a, 10V | 5v @ 5ma | 280 nc @ 10 v | ± 30 v | 14000 PF @ 25 V. | - - - | 781W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| 1035MP | - - - | | 2263 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55fw-1 | 125W | 55fw-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10 dB ~ 10,5 dB | 65 V | 2.5a | Npn | 20 @ 100 Ma, 5V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JantX2N7224U | - - - | | 6410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/592 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-267ab | MOSFET (Metalloxid) | To-267ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 34a (TC) | 10V | 81mohm @ 34a, 10V | 4v @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 4W (TA), 150W (TC) |
2000+
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