SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MDS60L Microsemi Corporation MDS60L - - -
RFQ
ECAD 8077 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55AW 120W 55AW Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 10 dB 65 V 4a Npn 20 @ 500 mA, 5V 1,03 GHz ~ 1,09 GHz - - -
JAN2N6766 Microsemi Corporation Jan2n6766 - - -
RFQ
ECAD 9384 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/543 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 30a (TC) 10V 90 MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 115 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
2731-200P Microsemi Corporation 2731-200p - - -
RFQ
ECAD 7237 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Modul - - - Modul - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 8.7db - - - - - - - - - - - - 2,7 GHz ~ 3,1 GHz - - -
MS2870 Microsemi Corporation MS2870 - - -
RFQ
ECAD 7702 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APT4065BNG Microsemi Corporation APT4065Bng - - -
RFQ
ECAD 2012 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ad - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 400 V 11a (TC) 10V 650MOHM @ 5.5A, 10V 4v @ 1ma 55 NC @ 10 V ± 30 v 950 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
JANTXV2N6798U Microsemi Corporation Jantxv2N6798U - - -
RFQ
ECAD 5388 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/557 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 5.5a (TC) 10V 420mohm @ 5,5a, 10V 4v @ 250 ähm 42.07 NC @ 10 V ± 20 V - - - 800 MW (TA), 25W (TC)
MRFC545 Microsemi Corporation MRFC545 - - -
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
JAN2N6804 Microsemi Corporation Jan2N6804 - - -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/562 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 11a (TC) 10V 360MOHM @ 11A, 10V 4v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 75W (TC)
MS2211 Microsemi Corporation MS2211 - - -
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 250 ° C (TJ) Chassis -berg M222 25W M222 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 9.3db 48 v 900 Ma Npn 30 @ 250 mA, 5V 960 MHz ~ 1,215 GHz - - -
APTC80H29T1G Microsemi Corporation APTC80H29T1G - - -
RFQ
ECAD 1913 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 APTC80 MOSFET (Metalloxid) 156W Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 800V 15a 290MOHM @ 7,5A, 10 V. 3,9 V @ 1ma 90nc @ 10v 2254PF @ 25V - - -
64010B Microsemi Corporation 64010b - - -
RFQ
ECAD 1380 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
JANTX2N6790U Microsemi Corporation JantX2N6790U - - -
RFQ
ECAD 8178 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/555 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 200 v 2.8a (TC) 10V 850 MOHM @ 3,5A, 10V 4v @ 250 ähm 14.3 NC @ 10 V. ± 20 V - - - 800 MW (TC)
APTGT200DA170D3G Microsemi Corporation APTGT200DA170D3G - - -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul 1250 w Standard D3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 400 a 2,4 V @ 15V, 200a 5 Ma NEIN 17 NF @ 25 V
ARF443 Microsemi Corporation ARF443 - - -
RFQ
ECAD 9163 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet To-247-3 - - - - - - To-247ad - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 - - - - - - - - - - - - - - -
MRF545 Microsemi Corporation MRF545 - - -
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 3.5W To-39 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 14db 70V 400 ma PNP 15 @ 50 Ma, 6 V 1 GHz ~ 1,4 GHz - - -
JANTXV2N5014S Microsemi Corporation JantXV2N5014S - - -
RFQ
ECAD 9524 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 900 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
APT5025BN Microsemi Corporation APT5025 MRD. - - -
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 23a (TC) 10V 250 MOHM @ 11.5A, 10V 4v @ 1ma 130 nc @ 10 v ± 30 v 2950 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
APTGF300DA120G Microsemi Corporation APTGF300DA120G - - -
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp6 1780 w Standard Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 400 a 3,9 V @ 15V, 300A 500 µA NEIN 21 NF @ 25 V
APTGF100DU120TG Microsemi Corporation APTGF100DU120TG - - -
RFQ
ECAD 5907 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp4 568 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle Npt 1200 V 135 a 3,7 V @ 15V, 100a 350 µA Ja 6.9 NF @ 25 V.
JANTXV2N6796 Microsemi Corporation Jantxv2N6796 - - -
RFQ
ECAD 4329 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/557 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 8a (TC) 10V 195mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm 28.51 NC @ 10 V ± 20 V - - - 800 MW (TA), 25W (TC)
2N5011 Microsemi Corporation 2n5011 19.4180
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 600 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 1,5 V @ 5ma, 25 mA 30 @ 25ma, 10 V. - - -
TAN300 Microsemi Corporation Tan300 - - -
RFQ
ECAD 1741 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55kt 1166W 55kt Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 6.6 dB 65 V 20a Npn 10 @ 1ma, 5v 960 MHz ~ 1,215 GHz - - -
MS2584 Microsemi Corporation MS2584 - - -
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
SD1372-06H Microsemi Corporation SD1372-06H - - -
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTGT50H120TG Microsemi Corporation APTGT50H120TG - - -
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 277 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.6 NF @ 25 V
MS2272 Microsemi Corporation MS2272 - - -
RFQ
ECAD 6015 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M216 940W M216 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 7.6db 65 V 24a Npn 10 @ 5a, 5V 960 MHz ~ 1,215 GHz - - -
APTGT150SK120D1G Microsemi Corporation APTGT150SK120D1G - - -
RFQ
ECAD 3701 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg D1 700 w Standard D1 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 220 a 2,1 V @ 15V, 150a 4 ma NEIN 10.8 NF @ 25 V
JANTXV2N6250 Microsemi Corporation Jantxv2N6250 - - -
RFQ
ECAD 6490 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/510 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-3 6 w To-3 (to-204aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 275 v 10 a 1ma Npn 1,5 V @ 1,25a, 10a 8 @ 10a, 3v - - -
0910-60M Microsemi Corporation 0910-60m - - -
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55AW 180W 55AW Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 8db ~ 8,5 dB 65 V 8a Npn - - - 890MHz ~ 1GHz - - -
MS2356A Microsemi Corporation MS2356a - - -
RFQ
ECAD 5099 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus