SIC
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Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
JAN2N6770 Microsemi Corporation Jan2n6770 - - -
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 ECAD 2862 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/543 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae MOSFET (Metalloxid) To-204ae (bis 3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 500mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
APT11F80S Microsemi Corporation APT11F80S - - -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT11F80 MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 12a (TC) 10V 900mohm @ 6a, 10V 5v @ 1ma 80 nc @ 10 v ± 30 v 2471 PF @ 25 V. - - - 337W (TC)
APTGT35A120D1G Microsemi Corporation APTGT35A120D1G - - -
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 ECAD 5031 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg D1 205 w Standard D1 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 55 a 2,1 V @ 15V, 35a 5 Ma NEIN 2,5 NF @ 25 V.
APT75GN120J Microsemi Corporation APT75GN120J - - -
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Isotop 379 w Standard ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 124 a 2,1 V @ 15V, 75a 100 µA NEIN 4.8 NF @ 25 V.
APTM50DHM35G Microsemi Corporation APTM50DHM35G - - -
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 ECAD 4534 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM50 MOSFET (Metalloxid) 781W Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 500V 99a 39mohm @ 49.5a, 10V 5v @ 5ma 280nc @ 10v 14000pf @ 25v - - -
APT11GF120BRDQ1G Microsemi Corporation APT11GF120BRDQ1G - - -
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 ECAD 4997 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT11G Standard 156 w To-247 [b] Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 800 V, 8a, 10ohm, 15 V. Npt 1200 V 25 a 24 a 3v @ 15V, 8a 300 µJ (EIN), 285 µJ (AUS) 65 NC 7ns/100ns
JANTXV2N5013S Microsemi Corporation Jantxv2N5013s - - -
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 ECAD 4075 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 800 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
MRF559G Microsemi Corporation MRF559G - - -
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 ECAD 8209 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung Mikro-X-Keramik (84c) 2W Mikro-X-Keramik (84c) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 500 9.5db 16V 150 Ma Npn 30 @ 50 Ma, 10 V 870 MHz - - -
APTCV60HM70BT3G Microsemi Corporation APTCV60HM70BT3G - - -
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 ECAD 1969 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 250 w Standard SP3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Hubschruber, Volle Brucke TRABENFELD STOPP 600 V 50 a 1,9 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.15 NF @ 25 V.
APT45GR65BSCD10 Microsemi Corporation APT45GR65BSCD10 - - -
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 ECAD 5467 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT45GR65 Standard 543 w To-247 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 433V, 45A, 4,3OHM, 15 V. 80 ns Npt 650 V 118 a 224 a 2,4 V @ 15V, 45a 203 NC 15ns/100 ns
C25-28A Microsemi Corporation C25-28A - - -
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 ECAD 1909 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
75060B Microsemi Corporation 75060b - - -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTGF200DA120D3G Microsemi Corporation APTGF200DA120D3G - - -
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul 1400 w Standard D3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 300 a 3,7 V @ 15V, 200a 5 Ma NEIN 13 NF @ 25 V
APTC80DSK29T3G Microsemi Corporation APTC80DSK29T3G - - -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 APTC80 MOSFET (Metalloxid) 156W SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 800V 15a 290MOHM @ 7,5A, 10 V. 3,9 V @ 1ma 90nc @ 10v 2254PF @ 25v - - -
MS2506 Microsemi Corporation MS2506 - - -
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTGF400U120D4G Microsemi Corporation APTGF400U120D4G - - -
RFQ
 ECAD 7600 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D4 2500 w Standard D4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 510 a 3,7 V @ 15V, 400a 5 Ma NEIN 26 NF @ 25 V.
APT40M70JVFR Microsemi Corporation APT40M70JVFR - - -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos V® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 53a (TC) 10V 70 MOHM @ 26,5a, 10V 4v @ 2,5 mA 495 NC @ 10 V ± 30 v 8890 PF @ 25 V. - - - 450W (TC)
APT30GS60BRDLG Microsemi Corporation APT30GS60BRDLG - - -
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT30GS60 Standard 250 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 30a, 9,1ohm, 15 V. Npt 600 V 54 a 113 a 3,15 V @ 15V, 30a 570 µj (AUS) 145 NC 16ns/360ns
APTGT20X60T3G Microsemi Corporation APTGT20X60T3G - - -
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 62 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 600 V 32 a 1,9 V @ 15V, 20a 250 µA Ja 1.1 NF @ 25 V.
JANTX2N7228U Microsemi Corporation JantX2N7228U - - -
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 ECAD 8569 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/592 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-267ab MOSFET (Metalloxid) To-267ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 515Mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
SD1430-02 Microsemi Corporation SD1430-02 - - -
RFQ
 ECAD 9209 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
2N6901 Microsemi Corporation 2N6901 - - -
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 1.69a (TC) 5v 2,6OHM @ 1,07A, 5V 2V @ 1ma 1 NC @ 5 V. ± 10 V - - - 8.33W (TC)
APTGF25DSK120T3G Microsemi Corporation APTGF25DSK120T3G - - -
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg SP3 208 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Dual Buck Chopper Npt 1200 V 40 a 3,7 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,65 NF @ 25 V.
MS1509 Microsemi Corporation MS1509 - - -
RFQ
 ECAD 7379 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M168 260W M168 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 5.5dbi 33V 15a Npn 20 @ 1ma, 5V 500 MHz - - -
SRF4427G Microsemi Corporation SRF4427G - - -
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) 1,5W 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 18db 18V 400 ma Npn 20 @ 150 mA, 5V 1,3 GHz - - -
ARF447G Microsemi Corporation ARF447G - - -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Aktiv 900 V To-247-3 ARF447 40,68 MHz Mosfet To-247 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 6.5a 140W 15 dB - - - 250 V
2N5091 Microsemi Corporation 2n5091 19.0722
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 ECAD 8472 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
APT5012JN Microsemi Corporation APT5012JN - - -
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 43a (TC) 10V 120MOHM @ 21.5A, 10V 4v @ 2,5 mA 370 nc @ 10 v ± 30 v 6500 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
JAN2N7334 Microsemi Corporation Jan2N7334 - - -
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/597 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 2N733 MOSFET (Metalloxid) 1.4W MO-036AB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal 100V 1a 700 MOHM @ 600 Ma, 10V 4v @ 250 ähm 60nc @ 10v - - - - - -
APT50GP60LDLG Microsemi Corporation APT50GP60LDLG - - -
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 ECAD 1742 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT50GP60 Standard 625 w To-264 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 50A, 4,3 Ohm, 15 V. Pt 600 V 150 a 190 a 2,7 V @ 15V, 50a 456 µJ (EIN), 635 µJ (AUS) 165 NC 19ns/85ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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