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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Leistung – max | Eingang | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Testbedingung | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektor gepulst (Icm) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Energie wechseln | Tor-Gebühr | Td (ein/aus) bei 25 °C | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | NTC-Thermistor | Eingangskapazität (Cies) bei Vce | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Rauschzahl (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1214-150L | - | ![]() | 6228 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | 200°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 55ST-1 | 320W | 55ST-1 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,15 dB ~ 8,7 dB | 65V | 15A | NPN | 20 bei 1A, 5V | 1,2 GHz ~ 1,4 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT15GP60KG | - | ![]() | 3847 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS 7® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | APT15GP60 | Standard | 250 W | TO-220 [K] | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 15 A, 5 Ohm, 15 V | PT | 600 V | 56 A | 65 A | 2,7 V bei 15 V, 15 A | 130µJ (ein), 121µJ (aus) | 55 nC | 8ns/29ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF25H120T2G | - | ![]() | 8075 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | Fahrgestellmontage | SP2 | 208 W | Standard | SP2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückenwechselrichter | NVV | 1200 V | 40 A | 3,7 V bei 15 V, 25 A | 250 µA | Ja | 1,65 nF bei 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| SD1127 | - | ![]() | 7301 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AD, TO-39-3 Metalldose | 8W | TO-39 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 12dB | 18V | 640mA | NPN | 10 bei 50 mA, 5 V | 175 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTML202UM18R010T3AG | - | ![]() | 7447 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP3 | APTML202 | MOSFET (Metalloxid) | 480W | SP3 | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Dual) | 200V | 109A (Tc) | 19 mOhm bei 50 A, 10 V | 4 V bei 2,5 mA | - | 9880pF bei 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DDAM70CT1G | - | ![]() | 8383 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP1 | APTC60 | MOSFET (Metalloxid) | 250W | SP1 | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Dual) | 600V | 39A | 70 mOhm bei 39 A, 10 V | 3,9 V bei 2,7 mA | 259 nC bei 10 V | 7000pF bei 25V | Super-Kreuzung | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6798U | - | ![]() | 3304 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/557 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 18-CLCC | MOSFET (Metalloxid) | 18-ULCC (9,14 x 7,49) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 5,5 A (Tc) | 10V | 420 mOhm bei 5,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 42,07 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6796U | - | ![]() | 2604 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/557 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 18-CLCC | MOSFET (Metalloxid) | 18-ULCC (9,14 x 7,49) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 V | 8A (Tc) | 10V | 195 mOhm bei 8 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 28,51 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N7261U | - | ![]() | 2055 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/601 | Tablett | Veraltet | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | 18-CLCC | MOSFET (Metalloxid) | 18-ULCC (9,14 x 7,49) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 V | 8A (Tc) | 12V | 185 mOhm bei 8 A, 12 V | 4V bei 1mA | 50 nC bei 12 V | ±20V | - | 25W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75DA170D1G | - | ![]() | 5980 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | Fahrgestellmontage | D1 | 520 W | Standard | D1 | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzeln | Grabenfeldstopp | 1700 V | 120 A | 2,4 V bei 15 V, 75 A | 5mA | NEIN | 6,5 nF bei 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7225U | - | ![]() | 2166 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-267AB | MOSFET (Metalloxid) | TO-267AB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 27,4A (Tc) | 10V | 100 mOhm bei 17 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 115 nC bei 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 75060B | - | ![]() | 5377 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 75102 | - | ![]() | 9199 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF30TL601G | - | ![]() | 6847 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | - | Fahrgestellmontage | SP1 | 140 W | Standard | SP1 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Dreistufiger Wechselrichter | NVV | 600 V | 42 A | 2,45 V bei 15 V, 30 A | 250 µA | NEIN | 1,35 nF bei 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20M19JVR | - | ![]() | 7350 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (Metalloxid) | ISOTOP® | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 200 V | 112A (Tc) | 10V | 19 mOhm bei 500 mA, 10 V | 4V bei 1mA | 495 nC bei 10 V | ±30V | 11640 pF bei 25 V | - | 500 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DSKM35T3G | - | ![]() | 3658 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP3 | APTC60 | MOSFET (Metalloxid) | 416W | SP3 | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Dual) | 600V | 72A | 35 mOhm bei 72 A, 10 V | 3,9 V bei 5,4 mA | 518 nC bei 10 V | 14000pF bei 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6784U | - | ![]() | 8949 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/556 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 18-CLCC | MOSFET (Metalloxid) | 18-ULCC (9,14 x 7,49) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 2,25 A (Tc) | 10V | 1,6 Ohm bei 2,25 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 8,6 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 15 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100DA40T1G | - | ![]() | 9513 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP1 | MOSFET (Metalloxid) | SP1 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1000 V | 20A (Tc) | 10V | 480 mOhm bei 16 A, 10 V | 5 V bei 2,5 mA | 260 nC bei 10 V | ±30V | 6800 pF bei 25 V | - | 357 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3251AUB | - | ![]() | 1639 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/323 | Schüttgut | Veraltet | -65°C ~ 200°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-SMD, kein Anschlusskabel | 2N3251 | 360 mW | UB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 200mA | 10 µA (ICBO) | PNP | 500 mV bei 5 mA, 50 mA | 100 bei 10 mA, 1 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40M42JN | - | ![]() | 4391 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tablett | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (Metalloxid) | ISOTOP® | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 400 V | 86A (Tc) | 10V | 42 mOhm bei 43 A, 10 V | 4V bei 5mA | 760 nC bei 10 V | ±30V | 14000 pF bei 25 V | - | 690 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC750SMA120B | - | ![]() | 5495 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | MSC750 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150SK60TG | - | ![]() | 7485 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP4 | 480 W | Standard | SP4 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzeln | Grabenfeldstopp | 600 V | 225 A | 1,9 V bei 15 V, 150 A | 250 µA | Ja | 9,2 nF bei 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20F50S | - | ![]() | 1410 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS 8™ | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-268-3, D³Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-268AA | APT20F50 | MOSFET (Metalloxid) | D3Pak | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 20A (Tc) | 10V | 300 mOhm bei 10 A, 10 V | 5 V bei 500 µA | 75 nC bei 10 V | ±30V | 2950 pF bei 25 V | - | 290 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6800 | - | ![]() | 8784 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/557 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | TO-205AF (TO-39) | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 400 V | 3A (Tc) | 10V | 1,1 Ohm bei 3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 34,75 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50DHM35G | - | ![]() | 4534 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP6 | APTM50 | MOSFET (Metalloxid) | 781W | SP6 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 500V | 99A | 39 mOhm bei 49,5 A, 10 V | 5 V bei 5 mA | 280 nC bei 10 V | 14000pF bei 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5013S | - | ![]() | 4075 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/727 | Schüttgut | Veraltet | -65°C ~ 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AD, TO-39-3 Metalldose | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | - | Nicht RoHS-konform | Nicht zutreffend | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V | 200mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 bei 20 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6790U | - | ![]() | 4404 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/555 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 18-CLCC | MOSFET (Metalloxid) | 18-ULCC (9,14 x 7,49) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 2,8 A (Tc) | 10V | 850 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 14,3 nC bei 10 V | ±20V | - | 800 mW (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N7224 | - | ![]() | 2605 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/592 | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-254-3, TO-254AA (gerade Leitungen) | MOSFET (Metalloxid) | TO-254AA | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 V | 34A (Tc) | 10V | 81 mOhm bei 34 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 125 nC bei 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| MRF581G | - | ![]() | 1701 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Micro-X-Keramik (84C) | MRF581 | 1,25 W | Micro-X-Keramik (84C) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 13 dB ~ 15,5 dB | 18V | 200mA | NPN | 50 bei 50 mA, 5 V | 5GHz | 3 dB ~ 3,5 dB bei 500 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT75H60T2G | - | ![]() | 1814 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SP2 | APTGT75 | 250 W | Standard | SP2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückenwechselrichter | Grabenfeldstopp | 600 V | 100 A | 1,9 V bei 15 V, 75 A | 250 µA | Ja | 4,62 nF bei 25 V |

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