SIC
close

Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
JANTX2N7227 Microsemi Corporation JantX2N7227 - - -
RFQ
 ECAD 2480 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/592 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) MOSFET (Metalloxid) To-254aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 14a (TC) 10V 415Mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
MC1331-2 Microsemi Corporation MC1331-2 - - -
RFQ
 ECAD 8764 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
JANTX2N6760 Microsemi Corporation JantX2N6760 - - -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/542 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 5.5a (TC) 10V 1,22ohm @ 5,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 39 NC @ 10 V. ± 20 V - - - 4W (TA), 75W (TC)
JANTXV2N6770T1 Microsemi Corporation Jantxv2N6770T1 - - -
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/543 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) MOSFET (Metalloxid) To-254aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 500mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
JANSR2N7389 Microsemi Corporation Jansr2N7389 - - -
RFQ
 ECAD 9075 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/630 Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C. K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 6,5a (TC) 12V 350MOHM @ 6.5A, 12V 4v @ 1ma 45 NC @ 12 V ± 20 V - - - 25W (TC)
APT53N60SC6 Microsemi Corporation APT53N60SC6 - - -
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 53a (TC) 10V 70 MOHM @ 25.8a, 10V 3,5 V @ 1,72 mA 154 NC @ 10 V. ± 20 V 4020 PF @ 25 V. - - - 417W (TC)
APTM50DUM38TG Microsemi Corporation APTM50DUM38TG - - -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTM50 MOSFET (Metalloxid) 694W Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 500V 90a 45mohm @ 45a, 10V 5v @ 5ma 246nc @ 10v 11200PF @ 25V - - -
APT38N60SC6 Microsemi Corporation APT38N60SC6 - - -
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab APT38N60 MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 38a (TC) 10V 99mohm @ 18a, 10V 3,5 V @ 1,2 mA 112 NC @ 10 V ± 20 V 2826 PF @ 25 V. - - - 278W (TC)
APTM20DHM20TG Microsemi Corporation APTM20DHM20TG - - -
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTM20 MOSFET (Metalloxid) 357W Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 200V 89a 24MOHM @ 44,5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 112nc @ 10v 6850pf @ 25v - - -
APT50M65B2LLG Microsemi Corporation APT50M65B2LLG - - -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT50M65 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 67a (TC) 10V 65mohm @ 33,5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 141 NC @ 10 V ± 30 v 7010 PF @ 25 V. - - - 694W (TC)
APT5014SLLG/TR Microsemi Corporation APT5014Sllg/Tr - - -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 35a (TC) 10V 140MOHM @ 17.5a, 10V 5v @ 1ma 72 NC @ 10 V ± 30 v 3261 PF @ 25 V. - - - 403W (TC)
UMIL10 Microsemi Corporation Umil10 - - -
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg 55ft 28W 55ft Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 10 dB 30V 1,5a Npn 10 @ 200 Ma, 5V 100 MHz ~ 400 MHz - - -
APTM100DA18T1G Microsemi Corporation APTM100DA18T1G - - -
RFQ
 ECAD 1568 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 MOSFET (Metalloxid) Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 40a (TC) 10V 216mohm @ 33a, 10V 5 V @ 2,5 mA 570 NC @ 10 V. ± 30 v 14800 PF @ 25 V. - - - 657W (TC)
JANTX2N6784U Microsemi Corporation JantX2N6784U - - -
RFQ
 ECAD 5312 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/556 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 2.25a (TC) 10V 1,6OHM @ 2,25A, 10V 4v @ 250 ähm 8.6 NC @ 10 V ± 20 V - - - 800 MW (TA), 15W (TC)
APT10M11JVR Microsemi Corporation APT10M11JVR - - -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos V® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 144a (TC) 10V 4v @ 2,5 mA 450 NC @ 10 V ± 30 v 10300 PF @ 25 V. - - - 450W (TC)
2N7224 Microsemi Corporation 2N7224 - - -
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) MOSFET (Metalloxid) To-254aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 34a (TC) 10V 70 MOHM @ 21A, 10V 4v @ 250 ähm 125 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
80273H Microsemi Corporation 80273H - - -
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTM120A80FT1G Microsemi Corporation APTM120A80ft1G - - -
RFQ
 ECAD 5549 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 APTM120 MOSFET (Metalloxid) 357W Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Halbe Brücke) 1200 V (1,2 kV) 14a 960Mohm @ 12a, 10V 5 V @ 2,5 mA 260nc @ 10v 6696PF @ 25V - - -
64053 Microsemi Corporation 64053 - - -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APTC90DAM60CT1G Microsemi Corporation APTC90DAM60CT1G - - -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 MOSFET (Metalloxid) Sp1 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 N-Kanal 900 V 59a (TC) 10V 60MOHM @ 52A, 10V 3,5 V @ 6ma 540 NC @ 10 V ± 20 V 13600 PF @ 100 V - - - 462W (TC)
JANTX2N6788 Microsemi Corporation JantX2N6788 - - -
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/555 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 100 v 6a (TC) 10V 350Mohm @ 6a, 10V 4v @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V - - - 800 MW (TC)
APT30GP60B2DLG Microsemi Corporation APT30GP60B2DLG - - -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT30GP60 Standard 463 w T-Max ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 30a, 5ohm, 15 V. Pt 600 V 100 a 120 a 2,7 V @ 15V, 30a 260 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) 90 nc 13ns/55ns
APT5SM170S Microsemi Corporation APT5SM170S - - -
RFQ
 ECAD 6411 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Sicfet (Silziumkarbid) D3pak - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1700 v 4.6a (TC) 20V 1,2OHM @ 2a, 20V 3,2 V @ 500 ähm 29 NC @ 20 V +25 V, -10 V 325 PF @ 1000 V - - - 52W (TC)
APTM120TA57FPG Microsemi Corporation APTM120TA57FPG - - -
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM120 MOSFET (Metalloxid) 390W SP6-P Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 1200 V (1,2 kV) 17a 684mohm @ 8.5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 187nc @ 10v 5155PF @ 25V - - -
APTGT75A1202G Microsemi Corporation APTGT75A1202G - - -
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp2 357 w Standard Sp2 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 110 a 2,1 V @ 15V, 75a 50 µA NEIN 5.34 NF @ 25 V
58048 Microsemi Corporation 58048 - - -
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APTGF50DSK60T3G Microsemi Corporation APTGF50DSK60T3G - - -
RFQ
 ECAD 1504 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg SP3 250 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Dual Buck Chopper Npt 600 V 65 a 2,45 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 2.2 NF @ 25 V.
APTGF50DA120T1G Microsemi Corporation APTGF50DA120T1G - - -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp1 312 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 75 a 3,7 V @ 15V, 50A 250 µA Ja 3.45 NF @ 25 V.
APTGF300DU120G Microsemi Corporation APTGF300DU120G - - -
RFQ
 ECAD 6723 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp6 1780 w Standard Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle Npt 1200 V 400 a 3,9 V @ 15V, 300A 500 µA NEIN 21 NF @ 25 V
JANTX2N6788U Microsemi Corporation JantX2N6788U - - -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/555 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 100 v 4,5a (TC) 10V 350Mohm @ 6a, 10V 4v @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V - - - 800 MW (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen