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Transistoren(1315)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)
66116	-	Anfrage	1266	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		Nicht zutreffend		VERALTET	0000.00.0000	1
APTM50DHM75TG	-	Anfrage	3597	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4	APTM50		MOSFET (Metalloxid)	357W		SP4	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch				500V	46A		90 mOhm bei 23 A, 10 V	5 V bei 2,5 mA	123 nC bei 10 V		5600pF bei 25V	-
APTGT100A602G	-	Anfrage	5237	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	SP2				340 W	Standard	SP2	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Halbbrücke														Grabenfeldstopp	600 V	150 A		1,9 V bei 15 V, 100 A				50 µA	NEIN	6,1 nF bei 25 V
APTGF150SK120TG	-	Anfrage	5229	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-	Fahrgestellmontage	SP4				961 W	Standard	SP4	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln														NVV	1200 V	200 A		3,7 V bei 15 V, 150 A				350 µA	Ja	10,2 nF bei 25 V
0910-60M	-	Anfrage	7789	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	55AW				180W		55AW	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1				8 dB ~ 8,5 dB												65V	8A									NPN		-	890 MHz ~ 1 GHz	-
MC1331-3	-	Anfrage	2572	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
2224-12LP	-	Anfrage	1541	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
JANTX2N6249T1	-	Anfrage	9353	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/510	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-254-3, TO-254AA (gerade Leitungen)	2N6249			6 W		TO-254AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1																200 V	10 A						1mA			NPN	1,5 V bei 1 A, 10 A	10 @ 10A, 3V	-
JANTXV2N3960	-	Anfrage	1060	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/399	Schüttgut	Bei SIC eingestellt	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose				400 mW		TO-18 (TO-206AA)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	100																12 V							10µA (ICBO)			NPN	300 mV bei 3 mA, 30 mA	60 bei 10 mA, 1 V	-
MS2248	-	Anfrage	1656	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
2301	-	Anfrage	2668	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	55BT				5,6 W		55BT	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	VERALTET	0000.00.0000	1				8dB												45V	300mA									NPN		10 bei 100 mA, 5 V	2,3 GHz	-
80180	-	Anfrage	1051	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Veraltet				-						-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
JAN2N6251T1	-	Anfrage	9402	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/510	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-254-3, TO-254AA (gerade Leitungen)	2N6251			6 W		TO-254AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1																350 V	10 A						1mA			NPN	1,5 V bei 1,67 A, 10 A	6 @ 10A, 3V	-
46015	-	Anfrage	5120	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		Nicht zutreffend		VERALTET	0000.00.0000	1
APTGT150A60TG	-	Anfrage	6702	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Bei SIC eingestellt	-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4				480 W	Standard	SP4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Halbbrücke														Grabenfeldstopp	600 V	225 A		1,9 V bei 15 V, 150 A				250 µA	Ja	9,2 nF bei 25 V
MS2225H	-	Anfrage	5332	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
45005	-	Anfrage	6607	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		Nicht zutreffend		VERALTET	0000.00.0000	1
42105	-	Anfrage	8081	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet										-		Nicht zutreffend		VERALTET	0000.00.0000	1
DME400A	-	Anfrage	3961	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-	-	-				-		-	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	VERALTET	0000.00.0000	1				-												-	-									-		-	-	-
2N5092	19.0722	Anfrage	7348	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				2N5092						-	Nicht RoHS-konform		REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1
APTC60DAM24CT1G	-	Anfrage	7265	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4			MOSFET (Metalloxid)			SP4	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			600 V	95A (Tc)	10V	24 mOhm bei 47,5 A, 10 V	3,9 V bei 5 mA	300 nC bei 10 V	±20V	14400 pF bei 25 V	-	462W (Tc)
TAN15	-	Anfrage	2851	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	55LT				175W		55LT	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1				7 dB ~ 8 dB												50V	2A									NPN		-	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
2N6758	-	Anfrage	3895	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-204AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			200 V	9A (Tc)	10V	490 mOhm bei 9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	39 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 75W (Tc)
APT15GP90BG	-	Anfrage	3510	Microsemi Corporation	POWER MOS 7®	Rohr	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-247-3	APT15GP90	Standard		250 W		TO-247 [B]	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	30			600 V, 15 A, 4,3 Ohm, 15 V												PT	900 V	43 A	60 A	3,9 V bei 15 V, 15 A	200µJ (aus)	60 nC	9ns/33ns
APT20F50B	-	Anfrage	2675	Microsemi Corporation	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	APT20F50		MOSFET (Metalloxid)			TO-247 [B]	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			500 V	20A (Tc)	10V	300 mOhm bei 10 A, 10 V	5 V bei 500 µA	75 nC bei 10 V	±30V	2950 pF bei 25 V	-	290 W (Tc)
APT15F60S	-	Anfrage	5041	Microsemi Corporation	POWER MOS 8™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-268AA	APT15F60		MOSFET (Metalloxid)			D3Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			600 V	16A (Tc)	10V	430 mOhm bei 7 A, 10 V	5 V bei 500 µA	72 nC bei 10 V	±30V	2882 pF bei 25 V	-	290 W (Tc)
JANTX2N5015S	-	Anfrage	3829	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/727	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend		EAR99	8541.29.0095	1																1000 V	200mA						10nA (ICBO)			NPN		30 bei 20 mA, 10 V	-
2N6788	-	Anfrage	2348	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)			TO-39	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1		N-Kanal			100 V	6A (Tc)	10V	300 mOhm bei 3,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V	±20V		-	800 mW (Tc)
JAN2N6766	-	Anfrage	9384	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/543	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AE			MOSFET (Metalloxid)			ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			200 V	30A (Tc)	10V	90 mOhm bei 30 A, 10 V	4 V bei 250 µA	115 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
MSC140SMA120S	-	Anfrage	4555	Microsemi Corporation	*	Rohr	Veraltet										-	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²