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Transistoren (1315)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Spannung - Breakdown (V (BR) GSS)	Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Ausfluss - rds (on)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
SD1372-03H	- - -	RFQ	7480	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -		1 (unbegrenzt)		Veraltet	0000.00.0000	1
1517-20m	- - -	RFQ	7222	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Chassis -berg	55LV-1			175W		55LV-1	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0075	1			7.6db ~ 9.3db												65 V	3a									Npn		20 @ 500 mA, 5V	1,48 GHz ~ 1,65 GHz	- - -
JANS2N6249T1	- - -	RFQ	1650	Microsemi Corporation	Militär, Mil-PRF-19500/510	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	To-254-3, to-254aa (Gerade Leads)	2N6249		6 w		To-254aa	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1															200 v	10 a					1ma				Npn	1,5 V @ 1a, 10a	10 @ 10a, 3v	- - -
APT30M70SVRG	- - -	RFQ	3901	Microsemi Corporation	Power Mos V®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa		MOSFET (Metalloxid)			D3 [s]	- - -		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		300 V	48a (TC)	10V	70 MOHM @ 500 mA, 10V	4v @ 1ma	225 NC @ 10 V	± 30 v	5870 PF @ 25 V.	- - -	370W (TC)
MS2341	- - -	RFQ	1716	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	200 ° C (TJ)	Chassis -berg	M115			87,5W		M115	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0075	1			9db												65 V	2.6a									Npn		- - -	1.025 GHz ~ 1,15 GHz	- - -
MS2554a	- - -	RFQ	7265	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	200 ° C	Chassis -berg	M216			600W		M216	- - -		1 (unbegrenzt)		Veraltet	0000.00.0000	1			6.2db												65 V	17.8a									Npn		15 @ 1a, 5V	1.025 GHz ~ 1,15 GHz	- - -
MS2575a	- - -	RFQ	9629	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -		1 (unbegrenzt)		Veraltet	0000.00.0000	1
61070	- - -	RFQ	6431	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -		Nicht Anwendbar		Veraltet	0000.00.0000	1
1214-150L	- - -	RFQ	6228	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	200 ° C (TJ)	Chassis -berg	55st-1			320W		55st-1	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0075	1			7.15db ~ 8.7db												65 V	15a									Npn		20 @ 1a, 5V	1,2 GHz ~ 1,4 GHz	- - -
64030	- - -	RFQ	7861	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -		Nicht Anwendbar		Veraltet	0000.00.0000	1
10a015	- - -	RFQ	8272	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	200 ° C (TJ)	Bolzenhalterung	55ft			6W		55ft	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0075	1			9db ~ 9,5 dB												24 v	750 Ma									Npn		20 @ 100 Ma, 5V	2,7 GHz	- - -
SRF4427G	- - -	RFQ	7655	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			1,5W		8-so	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Veraltet	0000.00.0000	1			18db												18V	400 ma									Npn		20 @ 150 mA, 5V	1,3 GHz	- - -
APTGT100DDA60T3G	- - -	RFQ	5509	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SP3			340 w	Standard	SP3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1	Dual Boost Chopper													TRABENFELD STOPP	600 V	150 a	1,9 V @ 15V, 100a				250 µA	Ja	6.1 NF @ 25 V
JantX2N6798U	- - -	RFQ	3304	Microsemi Corporation	Militär, Mil-PRF-19500/557	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	18-cccc		MOSFET (Metalloxid)			18-ulcc (9.14x7.49)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		200 v	5.5a (TC)	10V	420mohm @ 5,5a, 10V	4v @ 250 ähm	42.07 NC @ 10 V	± 20 V		- - -	800 MW (TA), 25W (TC)
MRF8372gr1	- - -	RFQ	5172	Microsemi Corporation	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	- - -	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			2.2W		8-so	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0075	2.500			8db ~ 9,5 dB												16V	200 ma									Npn		30 @ 50 Ma, 5V	870 MHz	- - -
APTGT75DH60T1G	- - -	RFQ	2244	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp1			250 w	Standard	Sp1	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1	Asymmetrische Brücke													TRABENFELD STOPP	600 V	100 a	1,9 V @ 15V, 75A				250 µA	Ja	4.62 NF @ 25 V.
APT25GF120JCU2	- - -	RFQ	4464	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Chassis, Stollenberg	SOT-227-4, MiniBloc			227 w	Standard	SOT-227	- - -		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel													Npt	1200 V	45 a	3,7 V @ 15V, 25a				250 µA	NEIN	1,65 NF @ 25 V.
APTGT150SK170D1G	- - -	RFQ	8504	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	D1			780 w	Standard	D1	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel													TRABENFELD STOPP	1700 v	280 a	2,4 V @ 15V, 150a				4 ma	NEIN	13 NF @ 25 V
APTGT450DU60G	- - -	RFQ	5648	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp6			1750 w	Standard	Sp6	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1	Dual Gemeinsame Quelle													TRABENFELD STOPP	600 V	550 a	1,8 V @ 15V, 450a				500 µA	NEIN	37 NF @ 25 V.
APTGT580U60D4G	- - -	RFQ	8448	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	D4			1600 w	Standard	D4	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1	Einzel													TRABENFELD STOPP	600 V	760 a	1,9 V @ 15V, 600A				1 Ma	NEIN	37 NF @ 25 V.
APTGF50A120T1G	- - -	RFQ	5269	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Chassis -berg	Sp1			312 w	Standard	Sp1	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke													Npt	1200 V	75 a	3,7 V @ 15V, 50A				250 µA	Ja	3.45 NF @ 25 V.
APTGL325SK120D3G	- - -	RFQ	9835	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	D-3-Modul			1500 w	Standard	D3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1	Einzel													TRABENFELD STOPP	1200 V	420 a	2,2 V @ 15V, 300A				5 Ma	NEIN	18.6 NF @ 25 V.
APTGT150A60TG	- - -	RFQ	6702	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp4			480 w	Standard	Sp4	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke													TRABENFELD STOPP	600 V	225 a	1,9 V @ 15V, 150a				250 µA	Ja	9.2 NF @ 25 V.
JantX2N4859	13.8900	RFQ	1	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	To-206aa, to-18-3 Metalldose	2N4859		360 MW		To-18	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.21.0095	1		N-Kanal		30 v							18PF @ 10V (VGS)							30 v	175 Ma @ 15 V.	10 V @ 500 PA				25 Ohm
80270	- - -	RFQ	2646	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Veraltet				- - -					- - -		1 (unbegrenzt)		Veraltet	0000.00.0000	1
APTGF50DDA120T3G	- - -	RFQ	9593	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Chassis -berg	SP3			312 w	Standard	SP3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1	Dual Boost Chopper													Npt	1200 V	70 a	3,7 V @ 15V, 50A				250 µA	Ja	3.45 NF @ 25 V.
APTGF100SK120TG	- - -	RFQ	7703	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Chassis -berg	Sp4			568 w	Standard	Sp4	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel													Npt	1200 V	135 a	3,7 V @ 15V, 100a				350 µA	Ja	6.9 NF @ 25 V.
APTGV50H60BT3G	- - -	RFQ	8191	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Chassis -berg	SP3	APTGV50		250 w	Standard	SP3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1	Hubschruber, Volle Brucke													Npt, Grabenfeld Stopp	600 V	65 a	2,45 V @ 15V, 50a				250 µA	Ja	2.2 NF @ 25 V.
APT10M07JVR	- - -	RFQ	3254	Microsemi Corporation	Power Mos V®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc		MOSFET (Metalloxid)			ISOTOP®	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		100 v	225a (TC)	10V		4v @ 5ma	1050 NC @ 10 V	± 30 v	21600 PF @ 25 V.	- - -	700W (TC)
JantX2N7224U	- - -	RFQ	6410	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/592	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-267ab		MOSFET (Metalloxid)			To-267ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		100 v	34a (TC)	10V	81mohm @ 34a, 10V	4v @ 250 ähm	125 NC @ 10 V	± 20 V		- - -	4W (TA), 150W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (1315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²