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Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
82094 Microsemi Corporation 82094 - - -
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 ECAD 2464 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
JANTXV2N7227U Microsemi Corporation Jantxv2N7227U - - -
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/592 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-267ab MOSFET (Metalloxid) To-267ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 14a (TC) 10V 415Mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
10A030 Microsemi Corporation 10a030 - - -
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung 55ft 13W 55ft Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 7,8 dB ~ 8,5 dB 24 v 1,5a Npn 20 @ 200 Ma, 5V 2,5 GHz - - -
JANTX2N2221AUA Microsemi Corporation JantX2N2221AUA 23.1420
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 ECAD 5703 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N2221 650 MW Ua Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N6764T1 Microsemi Corporation JantX2N6764T1 - - -
RFQ
 ECAD 6198 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/543 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) MOSFET (Metalloxid) To-254aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 38a (TC) 10V 65mohm @ 38a, 10V 4v @ 250 ähm 125 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
MS2589 Microsemi Corporation MS2589 - - -
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
2N5013S Microsemi Corporation 2n5013s - - -
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 ECAD 6071 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 800 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 1,6 V @ 5ma, 20 mA 30 @ 20 Ma, 10V - - -
APTGF180DH60G Microsemi Corporation APTGF180DH60G - - -
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 ECAD 2982 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp6 833 w Standard Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke Npt 600 V 220 a 2,5 V @ 15V, 180a 300 µA NEIN 8.6 NF @ 25 V.
JANTX2N5014 Microsemi Corporation JantX2N5014 - - -
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 ECAD 5390 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 900 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
MRF586 Microsemi Corporation MRF586 - - -
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 ECAD 8941 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1W To-39 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 13,5 dB 17V 200 ma Npn 40 @ 50 Ma, 5V 3GHz - - -
JANSF2N2221AUB Microsemi Corporation JANSF2N2221AUB 139.3710
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 ECAD 4378 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/255 Tablett Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N2221 500 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MS2N4931 Microsemi Corporation MS2N4931 257.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic - - - - - - - - - - - - - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - - - - - - - - -
JANTXV2N6756 Microsemi Corporation Jantxv2N6756 - - -
RFQ
 ECAD 1653 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/542 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 14a (TC) 10V 210mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 75W (TC)
JAN2N6762 Microsemi Corporation Jan2N6762 - - -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/542 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 4,5a (TC) 10V 1,8OHM @ 4,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 75W (TC)
APTGF25A120T1G Microsemi Corporation APTGF25A120T1G - - -
RFQ
 ECAD 9431 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp1 208 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke Npt 1200 V 40 a 3,7 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,65 NF @ 25 V.
MS1076C Microsemi Corporation MS1076c - - -
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1
APTGT75A120TG Microsemi Corporation APTGT75A120TG - - -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 350 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a 2,1 V @ 15V, 75a 250 µA Ja 5.34 NF @ 25 V
MS1076A Microsemi Corporation MS1076a - - -
RFQ
 ECAD 8116 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APT40M75JN Microsemi Corporation APT40M75JN - - -
RFQ
 ECAD 5348 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 56a (TC) 10V 75mohm @ 28a, 10V 4v @ 2,5 mA 370 nc @ 10 v ± 30 v 6800 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
1014-6A Microsemi Corporation 1014-6a - - -
RFQ
 ECAD 1686 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55LV 19W 55LV Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 7db ~ 7,5 dB 50V 1a Npn - - - 1 GHz ~ 1,4 GHz - - -
MS652S Microsemi Corporation MS652s - - -
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M123 25W M123 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 10 dB 16V 2a Npn 10 @ 200 Ma, 5V 450 MHz ~ 512 MHz - - -
JAN2N5014 Microsemi Corporation Jan2n5014 - - -
RFQ
 ECAD 1166 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 900 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
SD1372-01H Microsemi Corporation SD1372-01H - - -
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
MS2473A Microsemi Corporation MS2473a - - -
RFQ
 ECAD 5741 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
2N6766 Microsemi Corporation 2N6766 - - -
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 30a (TC) 10V 90 MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 115 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
61045 Microsemi Corporation 61045 - - -
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APT6040BN Microsemi Corporation APT6040Bn - - -
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 18a (TC) 10V 400mohm @ 9a, 10V 4v @ 1ma 130 nc @ 10 v ± 30 v 2950 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
APTGF90DA60TG Microsemi Corporation APTGF90DA60TG - - -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 416 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 600 V 110 a 2,5 V @ 15V, 90a 250 µA Ja 4.3 NF @ 25 V
JAN2N4957UB Microsemi Corporation Jan2N4957UB - - -
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N4957 200 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 25 dB 30V 30 ma PNP 30 @ 5ma, 10V - - - 3,5 dB bei 450 MHz
SD1372-03H Microsemi Corporation SD1372-03H - - -
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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