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Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
82094 Microsemi Corporation 82094 - - -
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
SD1372-01H Microsemi Corporation SD1372-01H - - -
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
MS1076C Microsemi Corporation MS1076c - - -
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1
1014-6A Microsemi Corporation 1014-6a - - -
RFQ
 ECAD 1686 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55LV 19W 55LV Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 7db ~ 7,5 dB 50V 1a Npn - - - 1 GHz ~ 1,4 GHz - - -
APT40M75JN Microsemi Corporation APT40M75JN - - -
RFQ
 ECAD 5348 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 56a (TC) 10V 75mohm @ 28a, 10V 4v @ 2,5 mA 370 nc @ 10 v ± 30 v 6800 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
MS652S Microsemi Corporation MS652s - - -
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M123 25W M123 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 10 dB 16V 2a Npn 10 @ 200 Ma, 5V 450 MHz ~ 512 MHz - - -
MS1076A Microsemi Corporation MS1076a - - -
RFQ
 ECAD 8116 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
MS2473A Microsemi Corporation MS2473a - - -
RFQ
 ECAD 5741 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTGT75A120TG Microsemi Corporation APTGT75A120TG - - -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 350 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a 2,1 V @ 15V, 75a 250 µA Ja 5.34 NF @ 25 V
MRF553GT Microsemi Corporation MRF553GT - - -
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 ECAD 6828 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung Leistungsmakro 3W Leistungsmakro Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1.000 11.5db 16V 500 mA Npn 30 @ 250 mA, 5V 175MHz - - -
2N6766 Microsemi Corporation 2N6766 - - -
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 ECAD 9986 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 30a (TC) 10V 90 MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 115 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
61045 Microsemi Corporation 61045 - - -
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APT6040BN Microsemi Corporation APT6040Bn - - -
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 ECAD 3651 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 18a (TC) 10V 400mohm @ 9a, 10V 4v @ 1ma 130 nc @ 10 v ± 30 v 2950 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
APTGF90DA60TG Microsemi Corporation APTGF90DA60TG - - -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 416 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 600 V 110 a 2,5 V @ 15V, 90a 250 µA Ja 4.3 NF @ 25 V
JAN2N4957UB Microsemi Corporation Jan2N4957UB - - -
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N4957 200 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 25 dB 30V 30 ma PNP 30 @ 5ma, 10V - - - 3,5 dB bei 450 MHz
75096A Microsemi Corporation 75096a - - -
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTGT150SK60TG Microsemi Corporation APTGT150SK60TG - - -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 480 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 600 V 225 a 1,9 V @ 15V, 150a 250 µA Ja 9.2 NF @ 25 V.
APTGT30SK170T1G Microsemi Corporation APTGT30SK170T1G - - -
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 210 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 45 a 2,4 V @ 15V, 30a 250 µA Ja 2,5 NF @ 25 V.
JANTX2N3251A Microsemi Corporation JantX2N3251a - - -
RFQ
 ECAD 7162 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/323 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3251 360 MW To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 200 ma 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V - - -
APTGF30TL601G Microsemi Corporation APTGF30TL601G - - -
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp1 140 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Level -Wechselrichter Npt 600 V 42 a 2,45 V @ 15V, 30a 250 µA NEIN 1,35 NF @ 25 V.
JANSR2N7262U Microsemi Corporation JANSR2N7262U - - -
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/601 Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 5.5a (TC) 12V 364mohm @ 5,5a, 12V 4v @ 1ma 50 nc @ 12 V ± 20 V - - - 25W (TC)
SD1019 Microsemi Corporation SD1019 - - -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C Bolzenhalterung M130 117W M130 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 4,5 dB 35 V 9a Npn 5 @ 500 mA, 5V 136 MHz - - -
40036S Microsemi Corporation 40036s - - -
RFQ
 ECAD 1746 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APT12067B2LLG Microsemi Corporation APT12067B2LLG - - -
RFQ
 ECAD 6783 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT12067 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 18a (TC) 10V 670Mohm @ 9a, 10V 5 V @ 2,5 mA 150 NC @ 10 V. ± 30 v 4420 PF @ 25 V. - - - 565W (TC)
2N6796U Microsemi Corporation 2N6796U - - -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 8a (TC) 10V 180Mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 mA 6.34 NC @ 10 V ± 20 V - - - 800 MW (TA), 25W (TC)
JANTX2N6804 Microsemi Corporation JantX2N6804 - - -
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/562 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 11a (TC) 10V 360MOHM @ 11A, 10V 4v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 75W (TC)
64077 Microsemi Corporation 64077 - - -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
2N5014S Microsemi Corporation 2n5014s - - -
RFQ
 ECAD 2439 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 900 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 1,6 V @ 5ma, 20 mA 30 @ 20 Ma, 10V - - -
APTGT50DA120D1G Microsemi Corporation APTGT50DA120D1G - - -
RFQ
 ECAD 5210 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg D1 270 w Standard D1 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 5 Ma NEIN 3.6 NF @ 25 V
JANS2N6249T1 Microsemi Corporation JANS2N6249T1 - - -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/510 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) 2N6249 6 w To-254aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 200 v 10 a 1ma Npn 1,5 V @ 1a, 10a 10 @ 10a, 3v - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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