SIC
close

Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
JANSR2N7261U Microsemi Corporation Jansr2N7261U - - -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/601 Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 8a (TC) 12V 185mohm @ 8a, 12V 4v @ 1ma 50 nc @ 12 V ± 20 V - - - 25W (TC)
80005 Microsemi Corporation 80005 - - -
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
MDS400 Microsemi Corporation MDS400 - - -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55kt 1450W 55kt Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 6,5 dB 55 v 40a Npn 10 @ 1a, 5V 1,03 GHz ~ 1,09 GHz - - -
APT5F100K Microsemi Corporation APT5F100K - - -
RFQ
 ECAD 2014 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos 8 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 [k] Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 5a (TC) 10V 2,8ohm @ 3a, 10 V. 5 V @ 500 ähm 43 NC @ 10 V ± 30 v 1409 PF @ 25 V. - - - 225W (TC)
JANTXV2N5015S Microsemi Corporation Jantxv2N5015s - - -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 1000 v 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
0912-45 Microsemi Corporation 0912-45 - - -
RFQ
 ECAD 1694 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55ct 225W 55ct Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 8db ~ 9db 60 v 4,5a Npn 10 @ 300 mA, 5V 960 MHz ~ 1,215 GHz - - -
MRF559GT Microsemi Corporation MRF559GT - - -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - - - - - - - 2W - - - - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1.000 9.5db 16V 150 Ma Npn 30 @ 50 Ma, 10 V 870 MHz - - -
PP8064 Microsemi Corporation Pp8064 - - -
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
2N1016D Microsemi Corporation 2n1016d - - -
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 2n1016 150 w To-82 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 200 v 7.5 a 1ma Npn 2,5 V @ 1a, 5a 6 @ 7,5a, 4V - - -
MS2361 Microsemi Corporation MS2361 - - -
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M115 87,5W M115 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 9db 65 V 2.6a Npn - - - 1.025 GHz ~ 1,15 GHz - - -
42126 Microsemi Corporation 42126 - - -
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
JANTXV2N6768 Microsemi Corporation Jantxv2N6768 - - -
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/543 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae MOSFET (Metalloxid) To-204ae (bis 3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
STN6005 Microsemi Corporation STN6005 - - -
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
MRF559 Microsemi Corporation MRF559 - - -
RFQ
 ECAD 2633 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung Makro-X 2W Makro-X Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1.000 9.5db 16V 150 Ma Npn 30 @ 50 Ma, 10 V 870 MHz - - -
2307P Microsemi Corporation 2307p - - -
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APT10043JVR Microsemi Corporation APT10043JVR - - -
RFQ
 ECAD 2867 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 22a (TJ) 430mohm @ 500 mA, 10V 4v @ 1ma 480 nc @ 10 v 9000 PF @ 25 V. - - -
APT6017LFLLG Microsemi Corporation APT6017LFllg 19.2000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 35a (TC) 10V 170Mohm @ 17.5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 100 nc @ 10 v ± 30 v 4500 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
MS2284 Microsemi Corporation MS2284 - - -
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
2N7225U Microsemi Corporation 2N7225U - - -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-267ab MOSFET (Metalloxid) To-267ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 27,4a (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10V 4v @ 250 ähm 115 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
JANTXV2N3960UB Microsemi Corporation Jantxv2N3960UB - - -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/399 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N3960 400 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 100 12 v 10 µA (ICBO) Npn 300 mV @ 3ma, 30 mA 60 @ 10 ma, 1V - - -
68225H Microsemi Corporation 68225H - - -
RFQ
 ECAD 4985 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTGF90A60D1G Microsemi Corporation APTGF90A60D1G - - -
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg D1 Standard D1 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke Npt - - - NEIN
JANTXV2N6804 Microsemi Corporation Jantxv2N6804 - - -
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/562 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 11a (TC) 10V 360MOHM @ 11A, 10V 4v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V - - - 4W (TA), 75W (TC)
APTC60DAM24T1G Microsemi Corporation APTC60DAM24T1G - - -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 MOSFET (Metalloxid) Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 95a (TC) 10V 24MOHM @ 47,5a, 10V 3,9 V @ 5ma 300 NC @ 10 V. ± 20 V 14400 PF @ 25 V. - - - 462W (TC)
MRF4427R1 Microsemi Corporation MRF4427R1 - - -
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) 1,5W 8-DBGA (2x1.5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 2.500 20db 20V 400 ma Npn 10 @ 10ma, 5v - - - - - -
APTGT50DA170D1G Microsemi Corporation APTGT50DA170D1G - - -
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D1 310 w Standard D1 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 70 a 2,4 V @ 15V, 50a 6 Ma NEIN 4.4 NF @ 25 V
APT75GN120JDQ3G Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3G - - -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Isotop 379 w Standard ISOTOP® Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 124 a 2,1 V @ 15V, 75a 200 µA NEIN 4.8 NF @ 25 V.
64042 Microsemi Corporation 64042 - - -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
40036ST Microsemi Corporation 40036st - - -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
JANS2N3810L/TR Microsemi Corporation JANS2N3810L/Tr - - -
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/336 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N3810 To-78-6 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 50 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen