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Transistoren(1315)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)
MSC750SMA120B	-	Anfrage	5495	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				MSC750						-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt			1
APT20M19JVR	-	Anfrage	7350	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (Metalloxid)			ISOTOP®	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	10		N-Kanal			200 V	112A (Tc)	10V	19 mOhm bei 500 mA, 10 V	4V bei 1mA	495 nC bei 10 V	±30V	11640 pF bei 25 V	-	500 W (Tc)
APTC60DSKM35T3G	-	Anfrage	3658	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP3	APTC60		MOSFET (Metalloxid)	416W		SP3	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)				600V	72A		35 mOhm bei 72 A, 10 V	3,9 V bei 5,4 mA	518 nC bei 10 V		14000pF bei 25V	-
APT94N65B2C3G	-	Anfrage	8606	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3-Variante	APT94N65		MOSFET (Metalloxid)			T-MAX™ [B2]	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			650 V	94A (Tc)	10V	35 mOhm bei 47 A, 10 V	3,9 V bei 5,8 mA	580 nC bei 10 V	±20V	13940 pF bei 25 V	-	833W (Tc)
APT40M42JN	-	Anfrage	4391	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Tablett	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (Metalloxid)			ISOTOP®	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			400 V	86A (Tc)	10V	42 mOhm bei 43 A, 10 V	4V bei 5mA	760 nC bei 10 V	±30V	14000 pF bei 25 V	-	690 W (Tc)
APT40M75JN	-	Anfrage	5348	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Tablett	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (Metalloxid)			ISOTOP®	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			400 V	56A (Tc)	10V	75 mOhm bei 28 A, 10 V	4 V bei 2,5 mA	370 nC bei 10 V	±30V	6800 pF bei 25 V	-	520 W (Tc)
APT55M65JFLL	-	Anfrage	5770	Microsemi Corporation	POWER MOS 7®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (Metalloxid)			ISOTOP®	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	10		N-Kanal			550 V	63A (Tc)	10V	65 mOhm bei 31,5 A, 10 V	5 V bei 5 mA	205 nC bei 10 V	±30V	9165 pF bei 25 V	-	595 W (Tc)
APTM50TDUM65PG	-	Anfrage	7413	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP6	APTM50		MOSFET (Metalloxid)	390W		SP6-P	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)				500V	51A		78 mOhm bei 25,5 A, 10 V	5 V bei 2,5 mA	140 nC bei 10 V		7000pF bei 25V	-
APTM100DA40T1G	-	Anfrage	9513	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1			MOSFET (Metalloxid)			SP1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			1000 V	20A (Tc)	10V	480 mOhm bei 16 A, 10 V	5 V bei 2,5 mA	260 nC bei 10 V	±30V	6800 pF bei 25 V	-	357 W (Tc)
JANTX2N3251AUB	-	Anfrage	1639	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/323	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel	2N3251			360 mW		UB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1																60 V	200mA						10µA (ICBO)			PNP	500 mV bei 5 mA, 50 mA	100 bei 10 mA, 1 V	-
JANTX2N7228U	-	Anfrage	8569	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/592	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-267AB			MOSFET (Metalloxid)			TO-267AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			500 V	12A (Tc)	10V	515 mOhm bei 12 A, 10 V	4 V bei 250 µA	120 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
2N7228	-	Anfrage	4400	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-254-3, TO-254AA (gerade Leitungen)			MOSFET (Metalloxid)			TO-254AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			500 V	12A (Tc)	10V	415 mOhm bei 8 A, 10 V	4 V bei 250 µA	120 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
JANTXV2N6756	-	Anfrage	1653	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/542	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-204AA (TO-3)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			100 V	14A (Tc)	10V	210 mOhm bei 14 A, 10 V	4 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 75W (Tc)
APT6M100K	-	Anfrage	8814	Microsemi Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-220 [K]	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal			1000 V	6A (Tc)	10V	2,5 Ohm bei 3 A, 10 V	5 V bei 1 mA	43 nC bei 10 V	±30V	1410 pF bei 25 V	-	225 W (Tc)
TAN150A	-	Anfrage	5032	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Veraltet										-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
JANTXV2N6784U	-	Anfrage	8949	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/556	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	18-CLCC			MOSFET (Metalloxid)			18-ULCC (9,14 x 7,49)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			200 V	2,25 A (Tc)	10V	1,6 Ohm bei 2,25 A, 10 V	4 V bei 250 µA	8,6 nC bei 10 V	±20V		-	800 mW (Ta), 15 W (Tc)
2N7225U	-	Anfrage	2166	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-267AB			MOSFET (Metalloxid)			TO-267AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			200 V	27,4A (Tc)	10V	100 mOhm bei 17 A, 10 V	4 V bei 250 µA	115 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
APTC80DSK29T3G	-	Anfrage	6852	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP3	APTC80		MOSFET (Metalloxid)	156W		SP3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)				800V	15A		290 mOhm bei 7,5 A, 10 V	3,9 V bei 1 mA	90 nC bei 10 V		2254pF bei 25V	-
APT4012BVRG	-	Anfrage	5068	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)			TO-247AD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			400 V	37A (Tc)	10V	120 mOhm bei 18,5 A, 10 V	4V bei 1mA	290 nC bei 10 V	±30V	5400 pF bei 25 V	-	370 W (Tc)
1214-150L	-	Anfrage	6228	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	55ST-1				320W		55ST-1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1				7,15 dB ~ 8,7 dB												65V	15A									NPN		20 bei 1A, 5V	1,2 GHz ~ 1,4 GHz	-
APTM10DUM05TG	-	Anfrage	1714	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4	APTM10		MOSFET (Metalloxid)	780W		SP4	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)				100V	278A		5 mOhm bei 125 A, 10 V	4V bei 5mA	700 nC bei 10 V		20000pF bei 25V	-
APT15GP60KG	-	Anfrage	3847	Microsemi Corporation	POWER MOS 7®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	APT15GP60	Standard		250 W		TO-220 [K]	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 15 A, 5 Ohm, 15 V												PT	600 V	56 A	65 A	2,7 V bei 15 V, 15 A	130µJ (ein), 121µJ (aus)	55 nC	8ns/29ns
APT80SM120S	-	Anfrage	4284	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			SiCFET (Siliziumkarbid)			D3Pak	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			1200 V	80A (Tc)	20V	55 mOhm bei 40 A, 20 V	2,5 V bei 1 mA	235 nC bei 20 V	+25V, -10V		-	625 W (Tc)
APTGL60DH120T3G	-	Anfrage	1825	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP3				280 W	Standard	SP3	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Asymmetrische Brücke														Grabenfeldstopp	1200 V	80 A		2,25 V bei 15 V, 50 A				250 µA	Ja	2,77 nF bei 25 V
2N6849U	-	Anfrage	9099	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	18-CLCC			MOSFET (Metalloxid)			18-ULCC (9,14 x 7,49)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		P-Kanal			100 V	6,5 A (Tc)	10V	300 mOhm bei 4,1 A, 10 V	4 V bei 250 µA	34,8 nC bei 10 V	±20V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
2N5091	19.0722	Anfrage	8472	Microsemi Corporation	*	Schüttgut	Aktiv										-	Nicht RoHS-konform		REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1
1000 MP	-	Anfrage	5789	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-	Fahrgestellmontage	55FW				5,3 W		55FW	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1				10,8 dB												-	300mA									NPN		15 bei 100 mA, 5 V	1,15 GHz	-
APTGT20A60T1G	-	Anfrage	9321	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1				62 W	Standard	SP1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Halbbrücke														Grabenfeldstopp	600 V	32 A		1,9 V bei 15 V, 20 A				250 µA	Ja	1,1 nF bei 25 V
JANTXV2N6802U	-	Anfrage	8616	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/557	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	18-CLCC			MOSFET (Metalloxid)			18-ULCC (9,14 x 7,49)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			500 V	2,5 A (Tc)	10V	1,6 Ohm bei 2,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	33 nC bei 10 V	±20V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APT33N90JCCU3	-	Anfrage	9937	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (Metalloxid)			SOT-227	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal			900 V	33A (Tc)	10V	120 mOhm bei 26 A, 10 V	3,5 V bei 3 mA	270 nC bei 10 V	±20V	6800 pF bei 100 V	-	290 W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²