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Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JANTX2N6802 Microsemi Corporation JantX2N6802 - - -
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 ECAD 3743 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/557 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 2,5a (TC) 10V 1,6OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 20 V - - - 800 MW (TA), 25W (TC)
2N7228 Microsemi Corporation 2N7228 - - -
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 ECAD 4400 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) MOSFET (Metalloxid) To-254aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 415Mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
76018 Microsemi Corporation 76018 - - -
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 ECAD 7306 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTM100TDU35PG Microsemi Corporation APTM100TDU35PG - - -
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 ECAD 2316 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM100 MOSFET (Metalloxid) 390W SP6-P Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 1000 V (1KV) 22a 420mohm @ 11a, 10V 5 V @ 2,5 mA 186nc @ 10v 5200PF @ 25V - - -
APTGT75DA120T1G Microsemi Corporation APTGT75DA120T1G - - -
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 ECAD 6108 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 357 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 110 a 2,1 V @ 15V, 75a 250 µA Ja 5.34 NF @ 25 V
APTM50DHM35G Microsemi Corporation APTM50DHM35G - - -
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 ECAD 4534 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM50 MOSFET (Metalloxid) 781W Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 500V 99a 39mohm @ 49.5a, 10V 5v @ 5ma 280nc @ 10v 14000pf @ 25v - - -
APT75GN120J Microsemi Corporation APT75GN120J - - -
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 ECAD 8164 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Isotop 379 w Standard ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 124 a 2,1 V @ 15V, 75a 100 µA NEIN 4.8 NF @ 25 V.
APTGF50TA120PG Microsemi Corporation APTGF50TA120PG - - -
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 ECAD 3607 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp6 312 w Standard SP6-P Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 DRIPHASE Npt 1200 V 75 a 3,7 V @ 15V, 50A 250 µA NEIN 3.45 NF @ 25 V.
APTGF75DH120TG Microsemi Corporation APTGF75DH120TG - - -
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 ECAD 5611 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp4 500 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke Npt 1200 V 100 a 3,7 V @ 15V, 75a 250 µA Ja 5.1 NF @ 25 V
APTGF15A120T1G Microsemi Corporation APTGF15A120T1G - - -
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 ECAD 8942 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp1 140 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke Npt 1200 V 25 a 3,7 V @ 15V, 15a 250 µA Ja 1 NF @ 25 V.
JANTX2N7335 Microsemi Corporation JantX2N7335 - - -
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 ECAD 9646 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/599 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 2N733 MOSFET (Metalloxid) 1.4W MO-036AB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 p-kanal 100V 750 Ma 1,4OHM @ 500 mA, 10V 4v @ 250 ähm - - - - - - - - -
APT11GF120BRDQ1G Microsemi Corporation APT11GF120BRDQ1G - - -
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 ECAD 4997 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT11G Standard 156 w To-247 [b] Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 800 V, 8a, 10ohm, 15 V. Npt 1200 V 25 a 24 a 3v @ 15V, 8a 300 µJ (EIN), 285 µJ (AUS) 65 NC 7ns/100ns
APTCV60HM70BT3G Microsemi Corporation APTCV60HM70BT3G - - -
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 ECAD 1969 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 250 w Standard SP3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Hubschruber, Volle Brucke TRABENFELD STOPP 600 V 50 a 1,9 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.15 NF @ 25 V.
JAN2N5014S Microsemi Corporation Jan2n5014s - - -
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 ECAD 3417 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 900 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
APTGF25DSK120T3G Microsemi Corporation APTGF25DSK120T3G - - -
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 ECAD 4415 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg SP3 208 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Dual Buck Chopper Npt 1200 V 40 a 3,7 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,65 NF @ 25 V.
APTGF400U120D4G Microsemi Corporation APTGF400U120D4G - - -
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 ECAD 7600 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D4 2500 w Standard D4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 510 a 3,7 V @ 15V, 400a 5 Ma NEIN 26 NF @ 25 V.
APT40M70JVFR Microsemi Corporation APT40M70JVFR - - -
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 ECAD 3255 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos V® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 53a (TC) 10V 70 MOHM @ 26,5a, 10V 4v @ 2,5 mA 495 NC @ 10 V ± 30 v 8890 PF @ 25 V. - - - 450W (TC)
APTGT20X60T3G Microsemi Corporation APTGT20X60T3G - - -
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 ECAD 1894 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 62 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 600 V 32 a 1,9 V @ 15V, 20a 250 µA Ja 1.1 NF @ 25 V.
APT30GS60BRDLG Microsemi Corporation APT30GS60BRDLG - - -
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 ECAD 7110 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT30GS60 Standard 250 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 30a, 9,1ohm, 15 V. Npt 600 V 54 a 113 a 3,15 V @ 15V, 30a 570 µj (AUS) 145 NC 16ns/360ns
APT5012JN Microsemi Corporation APT5012JN - - -
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 ECAD 2325 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 43a (TC) 10V 120MOHM @ 21.5A, 10V 4v @ 2,5 mA 370 nc @ 10 v ± 30 v 6500 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
JAN2N6770 Microsemi Corporation Jan2n6770 - - -
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 ECAD 2862 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/543 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae MOSFET (Metalloxid) To-204ae (bis 3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 500mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
APTM120DA29TG Microsemi Corporation APTM120DA29TG - - -
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 ECAD 6353 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 MOSFET (Metalloxid) Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 34a (TC) 10V 348Mohm @ 17a, 10V 5v @ 5ma 374 NC @ 10 V ± 30 v 10300 PF @ 25 V. - - - 780W (TC)
APTGT35A120D1G Microsemi Corporation APTGT35A120D1G - - -
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 ECAD 5031 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg D1 205 w Standard D1 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 55 a 2,1 V @ 15V, 35a 5 Ma NEIN 2,5 NF @ 25 V.
APT11F80S Microsemi Corporation APT11F80S - - -
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 ECAD 6544 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT11F80 MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 12a (TC) 10V 900mohm @ 6a, 10V 5v @ 1ma 80 nc @ 10 v ± 30 v 2471 PF @ 25 V. - - - 337W (TC)
APT20N60BC3G Microsemi Corporation APT20N60BC3G - - -
RFQ
 ECAD 3471 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 20,7a (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10V 3,9 V @ 1ma 114 NC @ 10 V ± 20 V 2440 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
APT50GP60LDLG Microsemi Corporation APT50GP60LDLG - - -
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 ECAD 1742 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT50GP60 Standard 625 w To-264 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 50A, 4,3 Ohm, 15 V. Pt 600 V 150 a 190 a 2,7 V @ 15V, 50a 456 µJ (EIN), 635 µJ (AUS) 165 NC 19ns/85ns
JAN2N7334 Microsemi Corporation Jan2N7334 - - -
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 ECAD 7192 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/597 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 2N733 MOSFET (Metalloxid) 1.4W MO-036AB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal 100V 1a 700 MOHM @ 600 Ma, 10V 4v @ 250 ähm 60nc @ 10v - - - - - -
APT45GR65BSCD10 Microsemi Corporation APT45GR65BSCD10 - - -
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 ECAD 5467 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT45GR65 Standard 543 w To-247 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 433V, 45A, 4,3OHM, 15 V. 80 ns Npt 650 V 118 a 224 a 2,4 V @ 15V, 45a 203 NC 15ns/100 ns
2N5091 Microsemi Corporation 2n5091 19.0722
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 ECAD 8472 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
APTC80DSK29T3G Microsemi Corporation APTC80DSK29T3G - - -
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 ECAD 6852 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 APTC80 MOSFET (Metalloxid) 156W SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 800V 15a 290MOHM @ 7,5A, 10 V. 3,9 V @ 1ma 90nc @ 10v 2254PF @ 25v - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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