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Transistoren (506)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BUK7508-55A,127 NXP Semiconductors BUK7508-55A, 127 0,9300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP -halbleiter Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-Buk7508-55a, 127-954 Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 55 v 75a (TA) 8mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 76 NC @ 0 v ± 20 V 4352 PF @ 25 V. - - - 254W (TA)
BC807-25,215 NXP Semiconductors BC807-25,215 0,0200
RFQ
 ECAD 774 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BC807-25,215-954 1 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 80MHz
MRFG35003N6AT1 NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1 14.4900
RFQ
 ECAD 699 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Veraltet 8 v Oberflächenhalterung PLD-1.5 500 MHz ~ 5 GHz Phemt Fet PLD-1.5 - - - 2156-MRFG35003N6AT1 21 N-Kanal 2.9a 180 ma 450 MW 10 dB @ 3,55 GHz - - - 6 v
PBLS4004Y,115 NXP Semiconductors PBLS4004Y, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv PBLS4004 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PBLS4004Y, 115-954 4,873
PEMH18,115 NXP Semiconductors PEMH18,115 - - -
RFQ
 ECAD 1354 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PEMH18,115-954 1
BFU520XRR NXP Semiconductors BFU520XRR 0,1200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-143R 450 MW SOT-143R - - - 2156-BFU520XRR 2.515 17.5db 12V 30 ma Npn 60 @ 5ma, 8v 10GHz 0,65 dB @ 900 MHz
BC860B,235 NXP Semiconductors BC860B, 235 0,0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BC860B, 235-954 1 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
AFT09MP055NR1 NXP Semiconductors AFT09MP055NR1 21.6700
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 40 v Oberflächenhalterung To-270ab 764MHz ~ 941MHz Ldmos (dual) To-270 WB-4 - - - 2156-links09MP055NR1 14 2 N-Kanal - - - 550 Ma 57W 15.7db @ 870MHz - - - 12,5 v
BUK7635-100A,118 NXP Semiconductors BUK7635-100A, 118 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-Buk7635-100a, 118 Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 100 v 41a (ta) 10V 35mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 2535 PF @ 25 V. - - - 149W (TA)
BCX70K,235 NXP Semiconductors BCX70K, 235 - - -
RFQ
 ECAD 7939 0.00000000 NXP -halbleiter BCX70 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-BCX70K, 235-954 1 45 V 100 ma 20na (ICBO) Npn 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA 380 @ 2MA, 5V 250 MHz
BCV62,215 NXP Semiconductors BCV62,215 0,0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv BCV62 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BCV62, 215-954 1
BC817RA147 NXP Semiconductors BC817RA147 0,0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv BC817 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-BC817RA147-954 1
PHP20NQ20T,127 NXP Semiconductors Php20nq20t, 127 0,9500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP -halbleiter Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2156-Php20nq20t, 127-954 0000.00.0000 341 N-Kanal 200 v 20A (TC) 10V 130mohm @ 10a, 10V 4v @ 1ma 65 NC @ 10 V ± 20 V 2470 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
PMV42ENE215 NXP Semiconductors PMV42Ene215 - - -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Verkäfer undefiniert 2156-PMV42Ene215-954 1
BUK6E2R3-40C,127 NXP Semiconductors BUK6E2R3-40C, 127 0,8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP -halbleiter Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-buk6e2R3-40c, 127-954 1 N-Kanal 40 v 120a (TC) 10V 2,3 MOHM @ 25a, 10V 2,8 V @ 1ma 260 NC @ 10 V ± 16 v 15100 PF @ 25 V. - - - 306W (TC)
PMV160UP235 NXP Semiconductors PMV160UP235 - - -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Verkäfer undefiniert 2156-PMV160UP235-954 1
PEMZ1,115 NXP Semiconductors Pemz1,115 - - -
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 Pemz1 300 MW SOT-666 Herunterladen 0000.00.0000 1 40V 100 ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 200mv @ 5ma, 50 mA 120 @ 1ma, 6v 100 MHz
MD7IC2755NR1 NXP Semiconductors MD7IC2755NR1 114.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Veraltet 65 V Oberflächenhalterung To-270-14 Variante, Flache Leitungen 2,5 GHz ~ 2,7 GHz Ldmos (dual) To-270 WB-14 - - - 2156-MD7IC2755NR1 3 2 N-Kanal 10 µA 275 Ma 10W 25 dB - - - 28 v
BCX54,115 NXP Semiconductors BCX54,115 0,0700
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 1,25 w SOT-89 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BCX54,115-954 1 45 V 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 180 MHz
PQMD16147 NXP Semiconductors PQMD16147 - - -
RFQ
 ECAD 1730 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv PQMD16 Herunterladen Verkäfer undefiniert Verkäfer undefiniert 2156-PQMD16147-954 1
2PA1774SM,315 NXP Semiconductors 2PA1774SM, 315 0,0200
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 430 MW SOT-883 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-2pa1774SM, 315-954 1 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 5ma, 50 mA 270 @ 1ma, 6v 100 MHz
BUK7506-55A,127 NXP Semiconductors BUK7506-55A, 127 - - -
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 NXP -halbleiter Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 6,3 Mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 6000 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
2PD601BSL,215 NXP Semiconductors 2pd601bsl, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-2pd601bsl, 215-954 1 50 v 200 ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 290 @ 2MA, 10V 250 MHz
PHPT60415PYX NXP Semiconductors PHPT60415PYX 0,2300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 1,5 w LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PHPT60415PYX-954 Ear99 8541.29.0075 1,280 40 v 15 a 100na PNP 850 MV @ 1,5a, 15a 200 @ 500 Ma, 2V 80MHz
BSR16/DG/B4215 NXP Semiconductors BSR16/DG/B4215 0,0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-BSR16/DG/B4215-954 1
BCW32,215 NXP Semiconductors BCW32,215 0,0200
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BCW32,215-954 1 32 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn 210mv @ 2,5 mA, 50 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
PMSS3906,115 NXP Semiconductors PMSS3906,115 0,0200
RFQ
 ECAD 387 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PMSS3906,115-954 1 40 v 100 ma 50na (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 150 MHz
BC847BMB,315 NXP Semiconductors BC847BMB, 315 - - -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 400mv @ 5 mA, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
PEMB2,115 NXP Semiconductors Pemb2,115 - - -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PEMB2,115-954 1
BUK7575-55A,127 NXP Semiconductors BUK7575-55A, 127 0,3600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP -halbleiter Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-Buk7575-55a, 127-954 Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 55 v 20,3a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 483 PF @ 25 V. - - - 62W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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