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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung – Nennspannung | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Nennstrom (Ampere) | Testbedingung | Aktuell - Test | Leistung – Leistung | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Rauschzahl | Reverse Recovery Time (trr) | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektor gepulst (Icm) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Energie wechseln | Tor-Gebühr | Td (ein/aus) bei 25 °C | Spannung – Test | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Widerstand - Basis (R1) | Widerstand – Emitterbasis (R2) | Rauschzahl (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC807-40.235 | - | ![]() | 4637 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BC807-40,235-954 | 1 | 45 V | 500mA | 100nA (ICBO) | PNP | 700 mV bei 50 mA, 500 mA | 250 bei 100 mA, 1 V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4032PD,115 | 0,1500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-74, SOT-457 | 1 W | 6-TSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PBSS4032PD,115-954 | 2.031 | 30 V | 2,7 A | 100nA | PNP | 395 mV bei 300 mA, 3 A | 200 bei 1A, 2V | 104 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3906,215 | 0,0200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBT3906 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PMBT3906,215-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 200mA | 50nA (ICBO) | PNP | 400 mV bei 5 mA, 50 mA | 100 bei 10 mA, 1 V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT2222,215 | 1.0000 | ![]() | 2242 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBT2222 | 250 mW | TO-236AB | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PMBT2222,215-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 600 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 1,6 V bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 10 V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC54-10PASX | 0,0600 | ![]() | 146 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-UDFN freiliegendes Pad | 420 mW | DFN2020D-3 | herunterladen | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 A | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV bei 50 mA, 500 mA | 63 bei 150 mA, 2 V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2I20H060GNR1 | 30.9400 | ![]() | 500 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 65 V | Oberflächenmontage | TO-270WBG-15 | 1,8 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS (Dual) | TO-270WBG-15 | - | 2156-A2I20H060GNR1 | 10 | 2 N-Kanal | - | 24mA | 12W | 32,4 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550WX | 0,3700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | 450 mW | SC-70 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-BFU550WX | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 18dB | 12V | 50mA | NPN | 60 bei 15 mA, 8 V | 11 GHz | 1,3 dB bei 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R8-25MLC115 | - | ![]() | 2760 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BPN,115 | - | ![]() | 4290 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114EK115 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH betroffen | 2156-PDTA114EK115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857CMB,315 | 0,0200 | ![]() | 178 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-XFDFN | BC857 | 250 mW | DFN1006B-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BC857CMB,315-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100mA | 15nA (ICBO) | PNP | 300 mV bei 500 µA, 10 mA | 420 bei 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NMBT3906VL | 0,0200 | ![]() | 400 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-NMBT3906VL-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7M21-40E,115 | 1.0000 | ![]() | 6146 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN017-30EL,127 | 0,3400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (Metalloxid) | I2PAK | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-PSMN017-30EL,127 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-Kanal | 30 V | 32A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 17 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,15 V bei 1 mA | 10,7 nC bei 10 V | ±20V | 552 pF bei 15 V | - | 47W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4260QAZ | 0,0800 | ![]() | 305 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.904 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB17.115 | 0,0400 | ![]() | 12 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PEMB17,115-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123YM,315 | - | ![]() | 5284 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-101, SOT-883 | PDTA123 | 250 mW | DFN1006-3 | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100mA | 1µA | PNP – Voreingestellt | 150 mV bei 500 µA, 10 mA | 35 bei 5 mA, 5 V | 2,2 kOhm | 10 kOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124XM,315 | - | ![]() | 2391 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-101, SOT-883 | PDTC124 | 250 mW | DFN1006-3 | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100mA | 1µA | NPN – Voreingestellt | 150 mV bei 500 µA, 10 mA | 80 bei 5 mA, 5 V | 22 kOhm | 47 kOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9675-100A,118 | - | ![]() | 6750 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | MOSFET (Metalloxid) | D2PAK | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BUK9675-100A,118-954 | 1 | N-Kanal | 100 V | 23A (Tc) | 5V, 10V | 72 mOhm bei 10 A, 10 V | 2V bei 1mA | ±15V | 1704 pF bei 25 V | - | 99W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PB709BRL,215 | 0,0300 | ![]() | 184 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-2PB709BRL,215-954 | 1 | 50 V | 200mA | 10nA (ICBO) | PNP | 250 mV bei 10 mA, 100 mA | 210 bei 2 mA, 10 V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMH2147 | - | ![]() | 5002 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | - | 2156-PQMH2147 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60410NYX | 0,1900 | ![]() | 118 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-100, SOT-669 | 1,3 W | LFPAK56, Power-SO8 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PHPT60410NYX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.550 | 40 V | 10 A | 100nA | NPN | 460 mV bei 500 mA, 10 A | 230 bei 500 mA, 2 V | 128 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWT20V60DF | 1.5200 | ![]() | 600 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 167 W | TO-3P-3 | - | 2156-STGWT20V60DF | 198 | 400 V, 20 A, 15 V | 40 ns | Grabenfeldstopp | 600 V | 40 A | 80 A | 2,2 V bei 15 V, 20 A | 200 µJ (ein), 130 µJ (aus) | 116 nC | 38ns/149ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62.215 | 0,0800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | BCV62 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BCV62,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550WF | 0,2200 | ![]() | 764 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | 450 mW | SC-70 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-BFU550WF | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 18dB | 12V | 50mA | NPN | 60 bei 15 mA, 8 V | 11 GHz | 1,3 dB bei 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4160PANPSX | 0,1200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS4160 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PBSS4160PANPSX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.423 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R7-80PS,127 | 0,7500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PSMN8R7-80PS,127-954 | EAR99 | 0000.00.0000 | 398 | N-Kanal | 80 V | 90A (Tc) | 10V | 8,7 mOhm bei 10 A, 10 V | 4V bei 1mA | 52 nC bei 10 V | ±20V | 3346 pF bei 40 V | - | 170 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC817RA147 | 0,0400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | BC817 | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-BC817RA147-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMD16147 | - | ![]() | 1730 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | PQMD16 | herunterladen | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 2156-PQMD16147-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-16PA,115 | - | ![]() | 6134 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-PowerUDFN | 420 mW | 3-HUSON (2x2) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BC53-16PA,115-954 | 1 | 80 V | 1 A | 100nA (ICBO) | PNP | 500 mV bei 50 mA, 500 mA | 63 bei 150 mA, 2 V | 145 MHz |

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