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Transistoren (506)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BFU610F,115 NXP Semiconductors BFU610f, 115 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-343F 136 MW 4-dfp - - - 2156-bfu610f, 115 1,391 17db 5,5 v 10 ma Npn 90 @ 1ma, 2v 15GHz 0,9 db ~ 1,7 db @ 1,5 GHz ~ 5,8 GHz
A2I20H060GNR1 NXP Semiconductors A2I20H060GNR1 30.9400
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 65 V Oberflächenhalterung To-270WBG-15 1,8 GHz ~ 2,2 GHz Ldmos (dual) To-270WBG-15 - - - 2156-A2I20H060GNR1 10 2 N-Kanal - - - 24 ma 12W 32.4db - - - 28 v
BC807,215 NXP Semiconductors BC807,215 0,0200
RFQ
 ECAD 497 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BC807,215-954 1 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 80MHz
PSMN070-200P,127 NXP Semiconductors PSMN070-200P, 127 1.1300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP -halbleiter Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-PSMN070-200P, 127-954 1 N-Kanal 200 v 35a (TC) 10V 70 MOHM @ 17A, 10V 4v @ 1ma 77 NC @ 10 V ± 20 V 4570 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
PEMD12,115 NXP Semiconductors PEMD12,115 0,0700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PEMD12,115-954 4.699
PSMN017-30EL,127 NXP Semiconductors PSMN017-30L, 127 0,3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-PSMN017-30L, 127 Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 30 v 32a (ta) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 10a, 10V 2,15 V @ 1ma 10.7 NC @ 10 V ± 20 V 552 PF @ 15 V - - - 47W (TA)
BUK662R5-30C,118 NXP Semiconductors BUK662R5-30C, 118 0,5200
RFQ
 ECAD 927 0.00000000 NXP -halbleiter Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-Buk662R5-30C, 118-954 1 N-Kanal 30 v 100a (TC) 10V 2,8 MOHM @ 25a, 10V 2,8 V @ 1ma 114 NC @ 10 V ± 16 v 6960 PF @ 25 V. - - - 204W (TC)
PHPT610030PKX NXP Semiconductors PHPT610030PKX - - -
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-1205, 8-LFPAK56 PHPT610030 1.25W Lfpak56d - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-PHPT610030PKX Ear99 8541.29.0075 1 100V 3a 100na 2 PNP (Dual) 360 mV @ 200 Ma, 2a 150 @ 500 mA, 10V 125 MHz
PBSS5330PASX NXP Semiconductors PBSS5330pasx - - -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn exponiert pad 600 MW DFN2020D-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 30 v 3 a 100na PNP 320 mv @ 300 mA, 3a 175 @ 1a, 2v 165 MHz
BUK7675-55A,118 NXP Semiconductors BUK7675-55A, 118 0,3900
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 NXP -halbleiter Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-buk7675-55a, 118-954 763 N-Kanal 55 v 20,3a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 483 PF @ 25 V. - - - 62W (TC)
PEMF21,115 NXP Semiconductors PEMF21,115 0,1500
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-PEMF21,115-954 1
PMBT4401/S911,215 NXP Semiconductors PMBT4401/S911,215 0,0200
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1
BC847BPN,115 NXP Semiconductors BC847BPN, 115 - - -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
2PB709BRL,215 NXP Semiconductors 2pb709brl, 215 0,0300
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-2pb709brl, 215-954 1 50 v 200 ma 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 10 mA, 100 mA 210 @ 2MA, 10V 200 MHz
PHK31NQ03LT,518 NXP Semiconductors PHK31NQ03LT, 518 0,5400
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 NXP -halbleiter Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-PHK31NQ03LT, 518-954 1 N-Kanal 30 v 30,4a (TC) 4,5 V, 10 V. 4.4mohm @ 25a, 10V 2,15 V @ 1ma 33 NC @ 4,5 V. ± 20 V 4235 PF @ 12 V - - - 6.9W (TC)
BUK7C10-75AITE,118 NXP Semiconductors BUK7C10-75AITE, 118 1.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP -halbleiter Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) MOSFET (Metalloxid) D2pak-7 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-buk7c10-75aite, 118-954 1 N-Kanal 75 V 75a (TC) 10V 10Mohm @ 50a, 10V 4v @ 1ma 121 NC @ 10 V ± 20 V 4700 PF @ 25 V. Stromerkennung 272W (TC)
BF820,235 NXP Semiconductors BF820,235 - - -
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BF820,235-954 Ear99 8541.21.0095 1 300 V 50 ma 10NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 30 mA 50 @ 25ma, 20V 60 MHz
BUK7509-55A,127 NXP Semiconductors BUK7509-55A, 127 0,5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP -halbleiter Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-Buk7509-55a, 127-954 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 62 NC @ 0 v ± 20 V 3271 PF @ 25 V. - - - 211W (TC)
PDTC123YMB,315 NXP Semiconductors PDTC123YMB, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv PDTC123 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PDTC123YMB, 315-954 1
NMBT3906VL NXP Semiconductors NMBT3906VL 0,0200
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-NMBT3906VL-954 1
PMSTA56,115 NXP Semiconductors PMSTA56,115 0,0200
RFQ
 ECAD 9148 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PMSTA56,115-954 1.000 80 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 50 MHz
BC51PASX NXP Semiconductors BC51PASX 0,0600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn exponiert pad 420 MW DFN2020D-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 145 MHz
PMV20EN215 NXP Semiconductors PMV20En215 1.0000
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-PMV20En215-954 1
MW7IC930NR1 NXP Semiconductors MW7IC930NR1 59.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Veraltet 65 V Oberflächenhalterung Bis 270-16 Variante, Flache Leitungen 920 MHz ~ 960 MHz Ldmos (dual) To-270WB-16 - - - 2156-MW7IC930NR1 Ear99 8542.33.0001 6 2 N-Kanal 10 µA 285 Ma 3.2W 35.9db - - - 28 v
PMDXB550UNE,147 NXP Semiconductors PMDXB550Un, 147 0,0800
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-pmdxb550une, 147-954 Ear99 8541.21.0095 3.878
PBLS6005D,115 NXP Semiconductors PBLS6005d, 115 - - -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 PBLS6005 600 MW 6-tsop Herunterladen 0000.00.0000 1 50 V, 60 V 100 mA, 700 mA 1 µA, 100NA 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 340 mV @ 100 mA, 1a 80 @ 5ma, 5v / 150 @ 500 mA, 5 V. 185 MHz 47kohm 47kohm
PMCM6501VPEZ NXP Semiconductors PMCM6501VPEZ 0,2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-XFBGA, WLCSP MOSFET (Metalloxid) 6-WLCSP (1,48x0,98) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1,528 P-Kanal 12 v 6.2a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 25mo @ 3a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 29,4 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1400 PF @ 6 V - - - 556 MW (TA), 12,5 W (TC)
BC859BW,115 NXP Semiconductors BC859BW, 115 - - -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-BC859BW, 115-954 1 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC51-16PA,115 NXP Semiconductors BC51-16PA, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Powerudfn BC51 420 MW 3-Huson (2x2) Herunterladen 0000.00.0000 1 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 145 MHz
PHPT60406NYX NXP Semiconductors PHPT60406NYX - - -
RFQ
 ECAD 1984 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 1,35 w LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PHPT60406NYX-954 Ear99 8541.29.0075 1 40 v 6 a 100na Npn 380mv @ 300 mA, 6a 230 @ 500 mA, 2V 153 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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