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Transistoren(506)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)	Rauschzahl (dB Typ @ f)
PHPT610030PKX	-	Anfrage	9811	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Veraltet	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-1205, 8-LFPAK56	PHPT610030		1,25 W	LFPAK56D	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-PHPT610030PKX	EAR99	8541.29.0075	1													100V	3A	100nA	2 PNP (Dual)	360 mV bei 200 mA, 2 A	150 bei 500 mA, 10 V	125 MHz
BUK763R1-40B,118	1.1900	Anfrage	12	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BUK763R1-40B,118-954			1	N-Kanal		40 V	75A (Tc)	10V	3,1 mOhm bei 25 A, 10 V	4V bei 1mA	94 nC bei 10 V	±20V	6808 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)
PBSS4240Y,115	-	Anfrage	2824	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			430 mW	6-TSSOP	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PBSS4240Y,115-954			1													40 V	2 A	100nA (ICBO)	NPN	320 mV bei 200 mA, 2A	300 bei 1A, 2V	230 MHz
PHP23NQ11T,127	0,6600	Anfrage	6	NXP Semiconductors	TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		Nicht zutreffend	REACH Unberührt	2156-PHP23NQ11T,127-954			496	N-Kanal		110 V	23A (Tc)	10V	70 mOhm bei 13 A, 10 V	4V bei 1mA	22 nC bei 10 V	±20V	830 pF bei 25 V	-	100 W (Tc)
BUK662R5-30C,118	0,5200	Anfrage	927	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BUK662R5-30C,118-954			1	N-Kanal		30 V	100A (Tc)	10V	2,8 mOhm bei 25 A, 10 V	2,8 V bei 1 mA	114 nC bei 10 V	±16V	6960 pF bei 25 V	-	204W (Tc)
PUMB19.115	1.0000	Anfrage	7660	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB19		300 mW	6-TSSOP	herunterladen						0000.00.0000	1													50V	100mA	1µA	2 PNP – voreingestellt (Dual)	150 mV bei 500 µA, 10 mA	100 bei 1 mA, 5 V	-	22kOhm	-
PBLS1504Y,115	0,0700	Anfrage	74	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv				PBLS1504				herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PBLS1504Y,115-954			4.873
PSMN018-100ESFQ	0,3700	Anfrage	4	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		I2PAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PSMN018-100ESFQ-954			1	N-Kanal		100 V	53A (Ta)	7V, 10V	18 mOhm bei 15 A, 10 V	4V bei 1mA	21,4 nC bei 10 V	±20V	1482 pF bei 50 V	-	111W (Ta)
SMMUN2116LT1G	-	Anfrage	2695	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			246 mW	SOT-23-3 (TO-236)	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-SMMUN2116LT1G-954			1													50 V	100mA	500nA	PNP – Voreingestellt	250 mV bei 1 mA, 10 mA	160 bei 5 mA, 10 V		4,7 kOhm
BC51PASX	0,0600	Anfrage	54	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-UDFN freiliegendes Pad			420 mW	DFN2020D-3	herunterladen					EAR99	8541.29.0075	1													45 V	1 A	100nA (ICBO)	PNP	500 mV bei 50 mA, 500 mA	63 bei 150 mA, 2 V	145 MHz
PMXB65ENEZ	0,0900	Anfrage	3	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv								herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
BFU610F,115	0,2200	Anfrage	3	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-343F			136 mW	4-DFP	-				2156-BFU610F,115			1.391		17dB											5,5V	10mA		NPN		90 bei 1 mA, 2 V	15 GHz			0,9 dB ~ 1,7 dB bei 1,5 GHz ~ 5,8 GHz
PDTA143XT,215	0,0200	Anfrage	547	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv								herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PDTA143XT,215-954			1
MRF085HR5178	146.7100	Anfrage	100	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv								herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-MRF085HR5178-954			1
PSMN015-60PS,127	-	Anfrage	8129	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		Nicht zutreffend	REACH Unberührt	2156-PSMN015-60PS,127-954			1	N-Kanal		60 V	50A (Tc)	10V	14,8 mOhm bei 15 A, 10 V	4V bei 1mA	20,9 nC bei 10 V	±20V	1220 pF bei 30 V	-	86W (Tc)
PQMH11147	-	Anfrage	1700	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv								-				2156-PQMH11147			1
PHD71NQ03LT,118	-	Anfrage	7622	NXP Semiconductors	TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		DPAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PHD71NQ03LT,118-954			1	N-Kanal		30 V	75A (Tc)	5V, 10V	10 mOhm bei 25 A, 10 V	2,5 V bei 1 mA	13,2 nC bei 5 V	±20V	1220 pF bei 25 V	-	120 W (Tc)
PMBT2222A,235	-	Anfrage	4493	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2222		250 mW	TO-236AB	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PMBT2222A,235-954	EAR99	8541.21.0075	1													40 V	600 mA	10µA (ICBO)	NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	300 MHz
BUK9608-55A,118	0,7800	Anfrage	2	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen			REACH Unberührt	2156-BUK9608-55A,118-954			1	N-Kanal		55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm bei 25 A, 10 V	2V bei 1mA	92 nC bei 5 V	±15V	6021 pF bei 25 V	-	253W (Tc)
BC807,215	0,0200	Anfrage	497	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BC807,215-954			1													45 V	500mA	100nA (ICBO)	PNP	700 mV bei 50 mA, 500 mA	100 bei 100 mA, 1 V	80 MHz
BCP51	-	Anfrage	3460	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA			1 W	SOT-223	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-BCP51-954			1													45 V	1 A	100nA (ICBO)	PNP	500 mV bei 50 mA, 500 mA	63 bei 150 mA, 2 V	145 MHz
PDTA115EU,115	0,0200	Anfrage	284	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv								herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PDTA115EU,115-954			1
PHB29N08T,118	0,4000	Anfrage	2	NXP Semiconductors	TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PHB29N08T,118-954			812	N-Kanal		75 V	27A (Tc)	11V	50 mOhm bei 14 A, 11 V	5V bei 2mA	19 nC bei 10 V	±30V	810 pF bei 25 V	-	88W (Tc)
PDTC114EM,315	-	Anfrage	8997	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883			250 mW	DFN1006-3	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-PDTC114EM,315-954			1													50 V	100mA	1µA	NPN – Voreingestellt	150 mV bei 500 µA, 10 mA	30 bei 5 mA, 5 V	230 MHz	10 kOhm	10 kOhm
BUK7Y20-30B,115	1.0000	Anfrage	3955	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-100, SOT-669		MOSFET (Metalloxid)		LFPAK56, Power-SO8	herunterladen						0000.00.0000	1	N-Kanal		30 V	39,5 A (Tc)	10V	20 mOhm bei 20 A, 10 V	4V bei 1mA	11,2 nC bei 10 V	±20V	688 pF bei 25 V	-	59W (Tc)
PDTC123YMB,315	0,0300	Anfrage	99	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv				PDTC123				herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PDTC123YMB,315-954			1
BC807-40.235	-	Anfrage	4637	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BC807-40,235-954			1													45 V	500mA	100nA (ICBO)	PNP	700 mV bei 50 mA, 500 mA	250 bei 100 mA, 1 V	80 MHz
PBSS4032PD,115	0,1500	Anfrage	2	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-74, SOT-457			1 W	6-TSOP	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PBSS4032PD,115-954			2.031													30 V	2,7 A	100nA	PNP	395 mV bei 300 mA, 3 A	200 bei 1A, 2V	104 MHz
PMBT3906,215	0,0200	Anfrage	2	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT3906		250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PMBT3906,215-954	EAR99	8541.21.0095	1													40 V	200mA	50nA (ICBO)	PNP	400 mV bei 5 mA, 50 mA	100 bei 10 mA, 1 V	250 MHz
PMBT2222,215	1.0000	Anfrage	2242	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2222		250 mW	TO-236AB	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PMBT2222,215-954	EAR99	8541.21.0075	1													30 V	600 mA	10nA (ICBO)	NPN	1,6 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	250 MHz

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(506)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²