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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | PEMH30,115 | 0,0400 | ![]() | 128 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PEMH30,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123EM, 315 | 0,0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC123EM, 315-954 | 15.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb19,115 | 1.0000 | ![]() | 7660 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb19 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | - - - | 22kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC69-16PA, 115 | 1.0000 | ![]() | 8221 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | BC69 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 1V | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMST4401,115 | - - - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PMST4401,115-954 | 1 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb24,115 | 0,0200 | ![]() | 365 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Pumb24 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Pumb24,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5160PAP, 115 | - - - | ![]() | 7374 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | PBSS5160 | 510 MW | 6-Ehemann (2x2) | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 1a | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 340mv @ 100ma, 1a | 120 @ 500 mA, 2V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6211-75C, 118 | - - - | ![]() | 6937 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Buk6211-75c, 118-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 75 V | 74a (ta) | 11mohm @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 81 NC @ 10 V | ± 16 v | 5251 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Pmxb65enez | 0,0900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-pmxb65enez-954 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501VPE/S500Z | 0,1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PMCM6501VPE/S500Z-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ZU, 115 | - - - | ![]() | 6330 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC143ZU, 115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143XT, 215 | 0,0200 | ![]() | 547 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTA143xt, 215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP5201V/S711115 | - - - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Verkäfer undefiniert | 2156-PMP5201V/S711115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5520X, 135 | - - - | ![]() | 7885 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2,5 w | SOT-89 | - - - | 2156-PBSS5520X, 135 | 1 | 20 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 270mv @ 500 mA, 5a | 300 @ 500 mA, 2 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT4403,215 | - - - | ![]() | 5979 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PMBT4403,215-954 | 1 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4021PX, 115 | 1.0000 | ![]() | 1763 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2,5 w | SOT-89 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PBSS4021PX, 115-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 6.2 a | 100na | PNP | 265mv @ 345 Ma, 6,9a | 150 @ 4a, 2v | 105 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y20-30B, 115 | 1.0000 | ![]() | 3955 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 30 v | 39,5a (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10V | 4v @ 1ma | 11.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 688 PF @ 25 V. | - - - | 59W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC54-10PASX | 0,0600 | ![]() | 146 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9675-100A, 118 | - - - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Buk9675-100a, 118-954 | 1 | N-Kanal | 100 v | 23a (TC) | 5v, 10V | 72mohm @ 10a, 10V | 2V @ 1ma | ± 15 V | 1704 PF @ 25 V. | - - - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV50Enea215 | - - - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | PMV50 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCXB900UEZ | 0,0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Trenchfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | PMCXB900 | MOSFET (Metalloxid) | 265 MW | DFN1010B-6 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.557 | N-und p-kanal-krementär | 20V | 600 mA, 500 mA | 620mohm @ 600 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 0,7nc @ 4,5 v | 21.3PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK12NQ03LT, 518 | 0,3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PHK12NQ03LT, 518-954 | 1 | N-Kanal | 30 v | 11.8a (TJ) | 4,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 12a, 10V | 2v @ 250 ähm | 17.6 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1335 PF @ 16 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN018-100ESFQ | 0,3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PSMN018-100ESFQ-954 | 1 | N-Kanal | 100 v | 53a (ta) | 7v, 10V | 18mohm @ 15a, 10V | 4v @ 1ma | 21.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 1482 PF @ 50 V | - - - | 111W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4240Y, 115 | - - - | ![]() | 2824 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 430 MW | 6-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PBSS4240Y, 115-954 | 1 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 320mv @ 200ma, 2a | 300 @ 1a, 2v | 230 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6610-75C, 118 | 0,4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-buk6610-75c, 118-954 | 1 | N-Kanal | 75 V | 78a (TC) | 10V | 10Mohm @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 81 NC @ 10 V | ± 16 v | 5251 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035-100P | 202.5400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-CLF1G0035-100P-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60410NYX | 0,1900 | ![]() | 118 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | 1,3 w | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PHPT60410NYX-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.550 | 40 v | 10 a | 100na | Npn | 460mv @ 500 mA, 10a | 230 @ 500 mA, 2V | 128 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP100.135 | 0,2000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BSP100,135-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 30 v | 3.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 100mohm @ 2,2a, 10 V | 2,8 V @ 1ma | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 20 V | - - - | 8.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2150NBR1 | 59.8400 | ![]() | 164 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Veraltet | 110 v | Chassis -berg | To-272bb | 450 MHz | Ldmos | To-272 WB-4 | - - - | 2156-MRF6V2150NBR1 | Ear99 | 8541.21.0075 | 6 | N-Kanal | - - - | 450 Ma | 150W | 25 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610030PKX | - - - | ![]() | 9811 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1205, 8-LFPAK56 | PHPT610030 | 1.25W | Lfpak56d | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-PHPT610030PKX | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100V | 3a | 100na | 2 PNP (Dual) | 360 mV @ 200 Ma, 2a | 150 @ 500 mA, 10V | 125 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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