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Transistoren(506)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung – Nennspannung	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Frequenz	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Nennstrom (Ampere)	Aktuell - Test	Leistung – Leistung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Rauschzahl	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Spannung – Test	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)	Rauschzahl (dB Typ @ f)
PSMN1R1-30PL,127	-	Anfrage	9567	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		Nicht zutreffend	REACH Unberührt	2156-PSMN1R1-30PL,127-954			1		N-Kanal					30 V	120A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,3 mOhm bei 25 A, 10 V	2,2 V bei 1 mA	243 nC bei 10 V	±20V	14850 pF bei 15 V	-	338 W (Tc)
PSMN2R8-40BS	-	Anfrage	8495	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen						0000.00.0000	1
BCW89.215	0,0200	Anfrage	142	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW89			250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BCW89,215-954			1																		60 V	100mA		100nA (ICBO)	PNP	150 mV bei 2,5 mA, 50 mA	120 bei 2 mA, 5 V	150 MHz
PMZB950UPEL315	0,0500	Anfrage	54	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		Anbieter nicht definiert	Anbieter nicht definiert	2156-PMZB950UPEL315-954			1
NX3008NBKSH	-	Anfrage	3171	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			MOSFET (Metalloxid)	280 mW (Ta), 990 mW (Tc)	6-TSSOP	-				2156-NX3008NBKSH			1	2 N-Kanal						30V	350mA (Ta)		1,4 Ohm bei 350 mA, 4,5 V	1,1 V bei 250 µA	0,68 nC bei 4,5 V		50pF bei 15V	Standard
MMRF5014HR5	523.3200	Anfrage	17	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	125 V		Fahrgestellmontage	NI-360H-2SB		1 MHz ~ 2,7 GHz	N-Kanal		NI-360H-2SB	-				2156-MMRF5014HR5			1	N-Kanal		5mA	350mA	125W	18 dB bei 2,5 GHz											-			50 V
PMCM4401VNE/S500Z	-	Anfrage	1093	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PMCM4401VNE/S500Z-954			1
BFU768F,115	0,1600	Anfrage	14	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Veraltet		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-343F				220 mW	4-DFP	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-BFU768F,115	EAR99	8541.21.0075	1						13,1 dB												2,8V	70mA			NPN		155 bei 10 mA, 2 V	110 GHz			1,1 dB ~ 1,2 dB bei 5 GHz ~ 5,9 GHz
PDTC144EM,315	-	Anfrage	1783	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883				250 mW	DFN1006-3	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-PDTC144EM,315-954			1																		50 V	100mA		1µA	NPN – Voreingestellt	150 mV bei 500 µA, 10 mA	80 bei 5 mA, 5 V	230 MHz	47 kOhm	47 kOhm
PSMN5R0-100PS,127	1.6300	Anfrage	1	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		Nicht zutreffend	REACH Unberührt	2156-PSMN5R0-100PS,127-954	EAR99	8541.29.0095	184		N-Kanal					100 V	120A (Tc)	10V	5 mOhm bei 25 A, 10 V	4V bei 1mA	170 nC bei 10 V	±20V	9900 pF bei 50 V	-	338 W (Tc)
PHP225.118	0,2100	Anfrage	4	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PHP225,118-954			1
PMCM6501VNE/S500Z	0,1900	Anfrage	4	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PMCM6501VNE/S500Z-954			1
BCV63.215	0,0800	Anfrage	18	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BCV63,215-954			1
PMZB370UNE,315	0,0400	Anfrage	33	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PMZB370UNE,315-954			1
BUK9Y11-80EX	-	Anfrage	8848	NXP Semiconductors	TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-100, SOT-669			MOSFET (Metalloxid)		LFPAK56, Power-SO8	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BUK9Y11-80EX-954	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal					80 V	84A (Tc)	5V	10 mOhm bei 25 A, 10 V	2,1 V bei 1 mA	44,2 nC bei 5 V	±10V	6506 pF bei 25 V	-	194W (Tc)
PDTC124XMB,315	0,0300	Anfrage	147	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	PDTC124			250 mW	DFN1006B-3	herunterladen						0000.00.0000	1																		50 V	100mA		1µA	NPN – Voreingestellt	150 mV bei 500 µA, 10 mA	80 @ 5A, 5V	230 MHz	22 kOhm	47 kOhm
BC68PASX	0,0700	Anfrage	84	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-UDFN freiliegendes Pad				420 mW	DFN2020D-3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BC68PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																		20 V	2 A		100nA (ICBO)	NPN	600 mV bei 200 mA, 2 A	85 bei 500 mA, 1 V	170 MHz
PDTC114ET215	0,0200	Anfrage	235	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen					EAR99	8541.21.0075	1
BUK6215-75C,118	0,2700	Anfrage	6241	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		DPAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BUK6215-75C,118-954	EAR99	8541.29.0095	720		N-Kanal					75 V	57A (Ta)		15 mOhm bei 15 A, 10 V	2,8 V bei 1 mA	61,8 nC bei 10 V	±16V	3900 pF bei 25 V	-	128 W (Ta)
BC859B,215	0,0200	Anfrage	9	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BC859B,215-954			1																		30 V	100mA		15nA (ICBO)	PNP	650 mV bei 5 mA, 100 mA	220 bei 2 mA, 5 V	100 MHz
PMP5201Y,135	1.0000	Anfrage	9027	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv					PMP5201					herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PMP5201Y,135-954	EAR99	8541.21.0095	1
BC856AW,135	-	Anfrage	2498	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	BC856			200 mW	SOT-323	herunterladen						0000.00.0000	1																		65 V	100mA		15nA (ICBO)	PNP	600 mV bei 5 mA, 100 mA	125 bei 2 mA, 5 V	100 MHz
PDTC143TM,315	0,0200	Anfrage	29	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PDTC143TM,315-954			15.000
PHPT60410PYX	0,2100	Anfrage	40	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		175°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-100, SOT-669				1,3 W	LFPAK56, Power-SO8	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PHPT60410PYX-954	EAR99	8541.29.0095	1.550																		40 V	10 A		100nA	PNP	800 mV bei 500 mA, 10 A	240 bei 500 mA, 2 V	97 MHz
PMN27XPE115	0,2300	Anfrage	2	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PMN27XPE115-954			1
A2V09H400-04NR3	95.5000	Anfrage	250	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	105 V		Oberflächenmontage	OM-780-4L		720 MHz ~ 960 MHz	LDMOS (Dual)		OM-780-4L	-				2156-A2V09H400-04NR3			4	2 N-Kanal		10 µA	688mA	107W	17,9 dB											-			48 V
PDTC115EMB,315	0,0300	Anfrage	189	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	PDTC115			250 mW	DFN1006B-3	herunterladen					EAR99	8541.21.0075	1																		50 V	20mA		1µA	NPN – Voreingestellt	150 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 5 mA, 5 V	230 MHz	100 kOhm	100 kOhm
PMPB55XNEA,115	-	Anfrage	2259	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv										herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PMPB55XNEA,115-954			1
PDTC143ET,235	0,0200	Anfrage	380	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC143			250 mW	SOT-23	herunterladen						0000.00.0000	1																		50 V	100mA		1µA	NPN – Voreingestellt	150 mV bei 500 µA, 10 mA	30 bei 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	4,7 kOhm
BSP32,115	-	Anfrage	5232	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA	BSP32			1,3 W	SOT-223	herunterladen						0000.00.0000	1																		80 V	1 A		100nA (ICBO)	PNP	500 mV bei 50 mA, 500 mA	40 bei 100 mA, 5 V	100 MHz

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(506)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²