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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | CSD87502Q2T | 1.2100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | CSD87502 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | 6-Wson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5a | 32.4mohm @ 4a, 10V | 2v @ 250 ähm | 6nc @ 10v | 353PF @ 15V | Logikpegel -Tor, 5 V Auftwerk | ||||||||||||
![]() | CSD17576Q5BT | 1.5700 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17576Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 25a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4430 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||||||||
CSD18537NKCS | 1.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18537 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 6 V, 10V | 14mohm @ 25a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1480 PF @ 30 V | - - - | 94W (TC) | |||||||||||
![]() | TPIC1533DW | 2.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Veraltet | Tpic15 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD19532Q5BT | 2.8200 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD19532 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 100 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 4,9 MOHM @ 17A, 10V | 3,2 V @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 4810 PF @ 50 V | - - - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD18503Q5AT | 1.7100 | ![]() | 733 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18503 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 2640 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||
![]() | SN75468NSR | 1.8100 | ![]() | 3599 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | 75468 | - - - | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 100V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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