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Transistoren (427)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18532KCS | 2.3900 |  | 5784 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18532 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,2 Mohm @ 100a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 4680 PF @ 30 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||
| CSD18504KCS | 1.6200 | | 103 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18504 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 53A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 40a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 20 V | - - - | 115W (TC) | ||||||||||
 | SN75468NG4 | - - - | | 9120 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | 75468 | - - - | 16-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | CSD87331q3d | 1.3000 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD87331Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 8-lson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 15a | - - - | 2,1 V, 1,2 V @ 250 µA | 3.2nc @ 4.5V | 518PF @ 15V | - - - | ||||||||||||
| CSD18542KCS | 2.5100 | | 518 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18542 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 44mohm @ 100a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 5070 PF @ 30 V | - - - | 200W (TC) | ||||||||||
 | CSD19535KTTT | 4.1200 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD19535 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 200a (TA) | 6 V, 10V | 3.4mohm @ 100a, 10 V. | 3,4 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7930 PF @ 50 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||
 | CSD17581Q5A | 0,8800 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17581 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 24A (TA), 123A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,4mohm @ 16a, 10V | 1,7 V @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 3640 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 83W (TC) | ||||||||||
 | CSD16327Q3 | 1.1400 | | 16 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16327 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON-Clip (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 3v, 8v | 4mohm @ 24a, 8v | 1,4 V @ 250 ähm | 8,4 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 1300 PF @ 12.5 V. | - - - | 3W (TA) | ||||||||||
 | CSD17483F4 | 0,4500 | | 88 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD17483 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 240 MOHM @ 500 mA, 8V | 1,1 V @ 250 ähm | 1,3 NC @ 4,5 V. | 12V | 190 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||
 | CSD22206W | 0,7700 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22206 | MOSFET (Metalloxid) | 9-dsbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,7 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1,05 V @ 250 ähm | 14,6 NC @ 4,5 V. | -6v | 2275 PF @ 4 V. | - - - | 1.7W (TA) | ||||||||||
 | CSD16325Q5C | - - - | | 5546 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD1632 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 33a (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2mohm @ 30a, 8v | 1,4 V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 4000 PF @ 12,5 V. | - - - | 3.1W (TA) | ||||||||||
| CSD18503Q5A | 1.6100 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18503 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 19A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2640 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||
| CSD22202W15 | 0,7300 | | 53 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22202 | MOSFET (Metalloxid) | 9-dsbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 10a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 12,2 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 8,4 NC @ 4,5 V. | -6v | 1390 PF @ 4 V. | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||
 | LP395Z/LFT4 | - - - | | 8332 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | LP395 | To-92-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 36 v | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
 | CSD23280F3 | 0,4500 | | 63 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD23280 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 1,8a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 116mohm @ 400 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,23 NC @ 4,5 V. | -6v | 234 PF @ 6 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||
 | CSD18541F5T | 0,9500 | | 29 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | CSD18541 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | N-Kanal | 60 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 1a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 777 PF @ 30 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||
 | TPS1120D | 1.6926 | | 6836 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TPS1120 | MOSFET (Metalloxid) | 840 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 75 | 2 p-kanal (dual) | 15 v | 1.17a | 180 MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 5.45nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||||
| CSD17573Q5B | 1.6200 | | 10 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17573Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 1mohm @ 35a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 64 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 9000 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
| CSD17555Q5A | 0,7314 | | 8729 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17555 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 24A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 25a, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 28 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4650 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | ||||||||||
| CSD18532NQ5BT | 2.9700 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18532 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 3.4mohm @ 25a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 5340 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
| CSD18535KCS | 3.1400 | | 1074 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD18535 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 100a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 6620 PF @ 30 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||
 | SN75468NSRG4 | - - - | | 8967 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | 75468 | - - - | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 100V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | 2.9600 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18532 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 Mohm @ 25a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 5070 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
| CSD19535KTT | 3.4200 | | 1192 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD19535 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 200a (TA) | 6 V, 10V | 3.4mohm @ 100a, 10 V. | 3,4 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7930 PF @ 50 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||
 | CSD17578Q3A | 0,6900 | | 32 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD17578 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 10a, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 22.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1590 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 37W (TC) | ||||||||||
| CSD19537Q3 | 1.3300 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD19537 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 50a (ta) | 6 V, 10V | 14,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1680 PF @ 50 V | - - - | 2,8 W (TA), 83W (TC) | ||||||||||
 | ULN2803ADWR | - - - | | 5137 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 18-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | ULN2803 | - - - | 18-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 50V | 500 mA | - - - | 8 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||
| CSD87351ZQ5d | 0,9692 | | 7926 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD87351 | MOSFET (Metalloxid) | 12W | 8-lson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 32a | - - - | 2,1 V @ 250 ähm | 7.7nc @ 4.5v | 1255PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||
 | CSD17552q3a | 0,9700 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD17552 | MOSFET (Metalloxid) | 8-son (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 11a, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2050 PF @ 15 V | - - - | 2.6W (TA) | ||||||||||
 | CSD83325L | 0,6000 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-XFBGA | CSD83325 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | 6-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 12V | - - - | - - - | 1,25 V @ 250 ähm | 10.9nc @ 4.5v | - - - | - - - |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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