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Transistoren (5714)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTM50HM75ft3G | 129.0600 |  | 5938 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | APTM50 | MOSFET (Metalloxid) | 357W | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 N-Kanal (Halbe Brücke) | 500V | 46a | 90 MOHM @ 23A, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 123nc @ 10v | 5600PF @ 25V | - - - | |||||||||||||||||||||
 | APT10M19BVRG | 12.1700 | | 2740 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | APT10M19 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 19Mohm @ 500 mA, 10V | 4v @ 1ma | 300 NC @ 10 V. | 6120 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | APT60N60SCSG/Tr | 19.2717 | | 8425 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | APT60N60 | MOSFET (Metalloxid) | D3pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 600 V | 60a (TC) | 10V | 45mohm @ 44a, 10V | 3,9 V @ 3ma | 190 nc @ 10 v | ± 30 v | 7200 PF @ 25 V. | - - - | 431W (TC) | |||||||||||||||||||
| JANSD2N2907AUBC | 305.9206 | | 7663 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2907AUBC | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | JANSP2N2219 | 114.6304 | | 7087 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/251 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N2219 | 1 | 50 v | 800 mA | 10na | Npn | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N5662 | - - - | | 4517 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/454 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N5662 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 2 a | 200na | Npn | 800mv @ 400 mA, 2a | 40 @ 500 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N5666U3 | - - - | | 4066 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/455 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, flaches blei | 2N5666 | 1,2 w | U3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | Npn | 1v @ 1a, 5a | 40 @ 1a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | JantX2N1716 | - - - | | 8317 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 750 Ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jankcad2N3810 | - - - | | 8717 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 /336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcad2N3810 | 100 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6352 | 29.9649 | | 8710 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-3 | 2N6352 | 2 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 1 µA | NPN - Darlington | 2,5 V @ 10ma, 5a | 2000 @ 5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | JANSM2N3634UB/Tr | - - - | | 7818 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 1 w | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | APT68GA60B2D40 | 11.3100 | | 2743 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos 8 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT68GA60 | Standard | 520 w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 40a, 4,7ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 121 a | 202 a | 2,5 V @ 15V, 40a | 715 µj (EIN), 607 µJ (AUS) | 198 NC | 21ns/133ns | |||||||||||||||||||||
| JANSF2N5151L | 98.9702 | | 2803 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 Ma | 1ma | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| JANSR2N2920L | 193.8202 | | 8100 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n2920 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2920L | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1ma, 5v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
| APT106N60B2C6 | 16.5900 | | 186 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Coolmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT106 | MOSFET (Metalloxid) | T-Max ™ [B2] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 106a (TC) | 10V | 35mohm @ 53a, 10V | 3,5 V @ 3,4 mA | 308 NC @ 10 V | ± 20 V | 8390 PF @ 25 V. | - - - | 833W (TC) | |||||||||||||||||||
 | JantX2N3439UA | 176.9166 | | 1810 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N3439 | 800 MW | Ua | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| Jan2N3634UB | 13.5527 | | 1031 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N3634 | 1 w | 3-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N5416UA | - - - | | 4321 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 750 MW | Ua | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 1 a | 1ma | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N3715 | 55.0620 | | 4639 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 5 w | To-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2N3715ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1 Ma | 1ma | Npn | 2,5 V @ 2a, 10a | 50 @ 1a, 2v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| JANS2N3741U4 | - - - | | 2817 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/441 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 25 w | U4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600 MV @ 1,25 mA, 1a | 30 @ 250 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| 2N6687 | 142.3950 | | 9137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 200 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6687 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 180 v | 25 a | - - - | Npn | 1,5 V @ 2,5 mA, 10 mA | 25 @ 10a, 2v | 20MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N2604 | - - - | | 3831 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/354 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2n2604 | 400 MW | To-46 (to-206ab) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10na | PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 500 µA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| JANSP2N3501 | 41.5800 | | 2691 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N3501 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| JANSG2N2222AUA | 158.4100 | | 6985 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 650 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansg2N2222AUA | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N3498L | 13.1404 | | 1430 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3498 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N5660U3 | 556.8577 | | 1139 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/454 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2 w | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N5660U3 | 1 | 200 v | 2 a | 200na | Npn | 800mv @ 400 mA, 2a | 40 @ 500 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N2221AUBC/Tr | 231.9816 | | 2626 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2221AUBC/Tr | 50 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N4138 | 18.1200 | | 7690 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4138 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANKCBD2N3440 | - - - | | 9726 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcbd2N3440 | 100 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N5151 | 98.9702 | | 5667 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N5151 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - |
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