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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JAN2N5237 Microchip Technology Jan2N5237 16.4787
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/394 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N5237 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 120 v 10 a 10 µA Npn 2,5 V @ 1a, 10a 40 @ 5a, 5V - - -
JANSF2N2369AUA/TR Microchip Technology JANSF2N2369AUA/Tr 166.8008
RFQ
 ECAD 9183 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 500 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N2369AUA/Tr 50 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 40 @ 10 Ma, 1V - - -
APT30GP60BG Microchip Technology APT30GP60BG 7.9500
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 ECAD 3316 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT30GP60 Standard 463 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 30a, 5ohm, 15 V. Pt 600 V 100 a 100 a 2,7 V @ 15V, 30a 260 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) 90 nc 13ns/55ns
2N5312 Microchip Technology 2N5312 519.0900
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 ECAD 5040 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 87 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5312 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
JANS2N5794UC Microchip Technology JANS2N5794UC 349.2324
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 ECAD 9545 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/495 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2n5794 600 MW UC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N5794UC 1 40V 600 mA 10 µA (ICBO) 2 NPN (Dual) 900mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N2906AUA Microchip Technology Jantxv2N2906AUA 29.6058
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 ECAD 7782 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N2906 500 MW 4-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MSCSM120TAM16CTPAG Microchip Technology MSCSM120TAM16CTPAG 807.8750
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 ECAD 5719 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 728W (TC) SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120TAM16CTPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 1200 V (1,2 kV) 171a (TC) 16mohm @ 80a, 20V 2,8 V @ 2MA 464nc @ 20V 6040PF @ 1000V - - -
APTM20TAM16FPG Microchip Technology APTM20TAM16FPG 268.0300
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 ECAD 3146 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM20 MOSFET (Metalloxid) 390W SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 200V 104a 19Mohm @ 52a, 10V 5 V @ 2,5 mA 140nc @ 10v 7220pf @ 25v - - -
JANTXV2N2369AUA Microchip Technology Jantxv2N2369AUA 39.6074
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 ECAD 4771 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2369 360 MW Ua Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANKCA2N3635 Microchip Technology Jankca2N3635 - - -
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 ECAD 4399 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankca2N3635 Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANS2N3867S Microchip Technology JANS2N3867S 184.7706
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 ECAD 5204 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/350 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 3 ma 100 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 40 @ 1,5a, 2V - - -
JANSD2N2907AUBC Microchip Technology JANSD2N2907AUBC 305.9206
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N2907AUBC 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSP2N2219 Microchip Technology JANSP2N2219 114.6304
RFQ
 ECAD 7087 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2219 1 50 v 800 mA 10na Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N7008-G Microchip Technology 2N7008-G 0,6800
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 ECAD 1 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 2N7008 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 230 Ma (TJ) 5v, 10V 7.5OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 30 v 50 PF @ 25 V. - - - 1W (TC)
APTM50HM75FT3G Microchip Technology APTM50HM75ft3G 129.0600
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 ECAD 5938 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 APTM50 MOSFET (Metalloxid) 357W SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 500V 46a 90 MOHM @ 23A, 10V 5 V @ 2,5 mA 123nc @ 10v 5600PF @ 25V - - -
JANTXV2N6350 Microchip Technology Jantxv2N6350 - - -
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/472 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 205AC, bis 33-4 Metall Kann 2N6350 1 w To-33 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - - - NPN - Darlington 1,5 V @ 5ma, 5a 2000 @ 5a, 5V - - -
2C3418-MSCL Microchip Technology 2C3418-MSCL 5.4750
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 ECAD 2384 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C3418-MSCL 1
JANS2N3700UB Microchip Technology JANS2N3700UB 38.6602
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 ECAD 6395 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N3700 500 MW UB - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2266-Jans2N3700UB Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 500 mA, 10V - - -
APT5015SVFRG Microchip Technology APT5015SVFRG 14.4200
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 ECAD 8304 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT5015 MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-apt5015svfrg Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 32a (TC) 10V 150Mohm @ 16a, 10V 4v @ 1ma 300 NC @ 10 V. ± 30 v 5280 PF @ 25 V. - - - 370W (TC)
APT60N60SCSG/TR Microchip Technology APT60N60SCSG/Tr 19.2717
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 ECAD 8425 0.00000000 Mikrochip -technologie Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab APT60N60 MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 600 V 60a (TC) 10V 45mohm @ 44a, 10V 3,9 V @ 3ma 190 nc @ 10 v ± 30 v 7200 PF @ 25 V. - - - 431W (TC)
APT6015LVFRG Microchip Technology APT6015LVFRG 22.6600
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 ECAD 8218 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv K. Loch To-264-3, to-264aa APT6015 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 38a (TC) 150 MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 2,5 mA 475 NC @ 10 V 9000 PF @ 25 V. - - -
JANTX2N6308T1 Microchip Technology JantX2N6308T1 - - -
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) To-254 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 350 V 8 a - - - Npn - - - - - - - - -
APT60M60JFLL Microchip Technology APT60M60JFll 96.6300
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 ECAD 8383 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT60M60 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 70a (TC) 10V 60MOHM @ 35A, 10V 5v @ 5ma 289 NC @ 10 V ± 30 v 12630 PF @ 25 V. - - - 694W (TC)
APTGLQ300A120G Microchip Technology APTGLQ300A120G 271.7120
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 ECAD 5323 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul APTGLQ300 1500 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 500 a 2,42 V @ 15V, 300A 200 µA NEIN 17.6 NF @ 25 V.
APT10M19BVRG Microchip Technology APT10M19BVRG 12.1700
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 ECAD 2740 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 APT10M19 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 75a (TC) 19Mohm @ 500 mA, 10V 4v @ 1ma 300 NC @ 10 V. 6120 PF @ 25 V. - - -
2N3744 Microchip Technology 2N3744 273.7050
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 ECAD 1889 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-111-4, Stud 30 w To-111 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3744 Ear99 8541.29.0095 1 40 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
APTM20UM04SAG Microchip Technology APTM20UM04SAG 284.9220
RFQ
 ECAD 8694 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM20 MOSFET (Metalloxid) Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 417a (TC) 10V 5mohm @ 208.5a, 10V 5v @ 10 mA 560 NC @ 10 V ± 30 v 28800 PF @ 25 V. - - - 1560W (TC)
2N5630 Microchip Technology 2n5630 74.1300
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 ECAD 1085 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 200 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5630 Ear99 8541.29.0095 1 120 v 16 a - - - PNP - - - - - - - - -
APTGF90H60T3G Microchip Technology APTGF90H60T3G - - -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg SP3 416 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter Npt 600 V 120 a 2,45 V @ 15V, 100a 250 µA Ja 4.4 NF @ 25 V
APTGL475A120D3G Microchip Technology APTGL475A120D3G 392.6425
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 ECAD 6737 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul Aptgl475 2080 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 610 a 2,2 V @ 15V, 400a 5 Ma NEIN 24.6 NF @ 25 V.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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