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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
APTGTQ100SK65T1G Microchip Technology APTGTQ100SK65T1G 56.4000
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul APTGTQ100 250 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Buck Chopper - - - 650 V 100 a 2,2 V @ 15V, 100a 100 µA Ja 6 NF @ 25 V
APT27GA90BD15 Microchip Technology APT27GA90BD15 6.3900
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT27GA90 Standard 223 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 600 V, 14A, 10OHM, 15 V. Pt 900 V 48 a 79 a 3,1 V @ 15V, 14a 413 µj (Ein), 287 um (AUS) 62 NC 9ns/98ns
JANKCCF2N3499 Microchip Technology JANKCCF2N3499 - - -
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccf2N3499 100 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N3439UA/TR Microchip Technology 2N3439UA/Tr 47.0288
RFQ
 ECAD 4921 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 800 MW - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-2N3439UA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
APT65GP60B2G Microchip Technology APT65GP60B2G 18.1100
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT65GP60 Standard 833 w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 65a, 5ohm, 15 V. Pt 600 V 100 a 250 a 2,7 V @ 15V, 65a 605 µJ (EIN), 896 µJ (AUS) 210 nc 30ns/91ns
APT48M80L Microchip Technology APT48M80L 21.1700
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 ECAD 9399 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT48M80 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 49a (TC) 10V 200mohm @ 24a, 10V 5 V @ 2,5 mA 305 NC @ 10 V ± 30 v 9330 PF @ 25 V. - - - 1135W (TC)
APT50GS60BRG Microchip Technology APT50GS60BRG - - -
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 ECAD 2118 0.00000000 Mikrochip -technologie Thunderbolt IGBT® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT50GS60 Standard 415 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 50A, 4,7OHM, 15 V. Npt 600 V 93 a 195 a 3,15 V @ 15V, 50a 755 µj (AUS) 235 NC 16ns/225ns
MQ2N4092UB/TR Microchip Technology MQ2N4092UB/Tr 81.3960
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 ECAD 9422 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 360 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MQ2N4092UB/Tr 100 N-Kanal 40 v 16PF @ 20V 40 v 15 mA @ 20 V 50 Ohm
2N3725UB/TR Microchip Technology 2N3725UB/Tr 21.7588
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 ECAD 1010 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-2N3725UB/Tr 1
APT20M20B2FLLG Microchip Technology APT20M20B2Fllg 21.3000
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 Variante APT20M20 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 100a (TC) 20mohm @ 50a, 10V 5 V @ 2,5 mA 110 nc @ 10 v 6850 PF @ 25 V. - - -
2C6438 Microchip Technology 2C6438 22.6500
RFQ
 ECAD 1841 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C6438 1
APTC60DAM18CTG Microchip Technology APTC60DAM18CTG 177.7400
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 Mikrochip -technologie Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 Aptc60 MOSFET (Metalloxid) Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 143a (TC) 10V 18Mohm @ 71,5a, 10V 3,9 V @ 4ma 1036 NC @ 10 V ± 30 v 28000 PF @ 25 V. - - - 833W (TC)
VN0606L-G Microchip Technology VN0606L-G 1,5000
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) VN0606 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 330 Ma (TJ) 10V 3OHM @ 1a, 10V 2V @ 1ma ± 30 v 50 PF @ 25 V. - - - 1W (TC)
JANHCA2N3637 Microchip Technology Janhca2N3637 - - -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Janhca2N3637 Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
APT33GF120BRG Microchip Technology APT33GF120BRG 9.2100
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT33GF120 Standard 297 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - Npt 1200 V 52 a 104 a 3,2 V @ 15V, 25a 2,8 MJ (EIN), 2,8MJ (AUS) 170 nc 25ns/210ns
APTM100UM65SCAVG Microchip Technology APTM100UM65SCAVG 447.7533
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul APTM100 MOSFET (Metalloxid) Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 145a (TC) 10V 78mohm @ 72,5a, 10V 5v @ 20 mA 1068 NC @ 10 V ± 30 v 28500 PF @ 25 V. - - - 3250W (TC)
TP0606N3-G-P003 Microchip Technology TP0606N3-G-P003 0,9100
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) TP0606 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 v 320 Ma (TJ) 5v, 10V 3,5OHM @ 750 mA, 10 V. 2,4 V @ 1ma ± 20 V 150 PF @ 25 V. - - - 1W (TC)
JANSF2N5152U3 Microchip Technology JANSF2N5152U3 229.9812
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 (SMD-0,5) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N5152U3 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
APTGT100TL60T3G Microchip Technology APTGT100TL60T3G 111.2300
RFQ
 ECAD 1470 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 Aptgt100 340 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 600 V 150 a 1,9 V @ 15V, 100a 250 µA Ja 6.1 NF @ 25 V
JANSF2N3810U/TR Microchip Technology JANSF2N3810U/Tr 342.8508
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/336 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N3810 350 MW U - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N3810U/tr 50 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
JANSG2N2222AUBC/TR Microchip Technology JANSG2N2222AUBC/Tr 306.0120
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansg2N2222ABC/Tr 50 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
MSR2N2222AL Microchip Technology MSR2N2222AL - - -
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSR2N2222Al 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSM2N3637UB Microchip Technology Jansm2N3637UB 147.1604
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N3637UB 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
APTGT600U120D4G Microchip Technology APTGT600U120D4G 308.0900
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D4 Aptgt600 2500 w Standard D4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 900 a 2,1 V @ 15V, 600A 5 Ma NEIN 40 NF @ 25 V.
APT75GN60LDQ3G Microchip Technology APT75GN60LDQ3G 10.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT75GN60 Standard 536 w To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 400 V, 75A, 1OHM, 15 V. TRABENFELD STOPP 600 V 155 a 225 a 1,85 V @ 15V, 75A 2500 µJ (EIN), 2140 µJ (AUS) 485 NC 47ns/385ns
APT10035B2FLLG Microchip Technology APT10035B2Fllg 33.1603
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT10035 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 28a (TC) 10V 370Mohm @ 14a, 10V 5 V @ 2,5 mA 186 NC @ 10 V. ± 30 v 5185 PF @ 25 V. - - - 690W (TC)
JANSH2N2222AUA/TR Microchip Technology JANSH2N2222AUA/Tr 167.4308
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 650 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansH2N222222AUA/Tr 50 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSL2N3637UB Microchip Technology JANSL2N3637UB 147.1604
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N3637UB 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N6693 Microchip Technology 2N6693 755.0400
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 3 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6693 Ear99 8541.29.0095 1 400 V 15 a 100 µA Npn 1v @ 3a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
JANS2N2919U/TR Microchip Technology JANS2N2919U/Tr 153.2106
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/355 Band & Rollen (TR) Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 6-smd - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N2919U/Tr 1 60 v 30 ma - - - Npn - - - - - - - - -
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    Standardprodukteinheit

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