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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N657AL Microchip Technology 2n657al 40.3950
RFQ
 ECAD 2738 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv UnberÜHrt Ereichen 150-2N657Al 1
JANTXV2N3716P Microchip Technology Jantxv2N3716p 69.9979
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/408 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 5 w To-204ad (to-3) UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N3716p 1 80 v 10 a 1ma Npn 2,5 V @ 2a, 10a 50 @ 1a, 2v - - -
2N5071 Microchip Technology 2n5071 287.8650
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv UnberÜHrt Ereichen 150-2n5071 1
JANS2N2946A Microchip Technology JANS2N2946A 114.7300
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/382 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 400 MW To-46 UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N2946a 1 35 V 100 ma 10 µA (ICBO) PNP - - - 50 @ 1ma, 500mV - - -
JANSR2N3498 Microchip Technology Jansr2N3498 41.5800
RFQ
 ECAD 4382 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N3498 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANSP2N2906AL Microchip Technology JANSP2N2906AL 99.9500
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2906AL 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N4070 Microchip Technology 2N4070 74.8500
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 65 w To-204ad (to-3) UnberÜHrt Ereichen 150-2N4070 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 10 a - - - Npn - - - - - - - - -
JANSL2N3500 Microchip Technology JANSL2N3500 41.5800
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N3500 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N4235L Microchip Technology Jantxv2N4235L 45.9249
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N4235L 1 60 v 1 a 1ma PNP 600mv @ 100 mA, 1a 40 @ 100 mA, 1V - - -
2N3492 Microchip Technology 2N3492 547.4100
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 ECAD 4074 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 115 w To-61 UnberÜHrt Ereichen 150-2N3492 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 7.5 a - - - PNP - - - - - - - - -
2N3823UB Microchip Technology 2N3823UB 65.3100
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 ECAD 9905 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 300 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-2N3823UB 1 N-Kanal 30 v 6PF @ 15V 30 v 4 ma @ 15 v 8 V @ 500 PA
JANKCCD2N5151 Microchip Technology JANKCCD2N5151 - - -
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccd2N5151 100 80 v 2 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
JANHCB2N3440 Microchip Technology JanHCB2N3440 14.9359
RFQ
 ECAD 3736 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-JanHCB2N3440 1 250 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
2N4210 Microchip Technology 2N4210 707.8500
RFQ
 ECAD 4985 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211mb, to-63-4, Stud 100 w To-63 UnberÜHrt Ereichen 150-2N4210 1 60 v 20 a - - - PNP - - - - - - - - -
JANTXV2N5415P Microchip Technology Jantxv2N5415p 19.8436
RFQ
 ECAD 5015 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/485 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 750 MW To-5aa UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N5415p 1 200 v 1 a 1ma PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANKCCF2N3498 Microchip Technology JANKCCF2N3498 - - -
RFQ
 ECAD 2824 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccf2N3498 100 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N3850 Microchip Technology 2N3850 273.7050
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-210aa, to-59-4, Stud 40 w To-59 UnberÜHrt Ereichen 150-2N3850 Ear99 8541.29.0075 1 80 v 5 a - - - Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 50 @ 1a, 1V 20MHz
JAN2N3439P Microchip Technology Jan2N3439p 22.0115
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N3439p Ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
2N2608UB Microchip Technology 2N2608UB 87.3150
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 300 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-2N2608UB 1 P-Kanal 10pf @ 5v 30 v 1 ma @ 5 v 750 mV @ 1 µA
JANTXV2N2905AP Microchip Technology Jantxv2N2905AP 19.8436
RFQ
 ECAD 6961 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 600 MW To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N2905AP 1 60 v 600 mA 1 µA PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N4416AUB Microchip Technology 2N4416Aub 91.8300
RFQ
 ECAD 2587 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv UnberÜHrt Ereichen 150-2N4416AUB 1
2N5682E4 Microchip Technology 2n5682e4 23.4600
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-2N5682E4 Ear99 8541.29.0095 1 120 v 1 a 10 µA Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 250 mA, 2V - - -
JANS2N3498 Microchip Technology Jans2N3498 54.3900
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N3498 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANKCBM2N3439 Microchip Technology Jankcbm2N3439 - - -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbm2N3439 100 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
2N5661P Microchip Technology 2n5661p 33.3150
RFQ
 ECAD 2418 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2 w To-66 (to-213aa) UnberÜHrt Ereichen 150-2N5661p Ear99 8541.29.0095 1 300 V 2 a 200na Npn 800mv @ 400 mA, 2a 25 @ 500 mA, 5V - - -
JANSM2N3498L Microchip Technology JANSM2N3498L 41.5800
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N3498L 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MQ2N4392 Microchip Technology MQ2N4392 27.9965
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose To-18 (to-206aa) UnberÜHrt Ereichen 150-MQ2N4392 1 N-Kanal - - -
JAN2N5154P Microchip Technology Jan2N5154p 19.2318
RFQ
 ECAD 9856 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N5154p Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
MQ2N5114UB Microchip Technology MQ2N5114UB 75.6238
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-MQ2N5114UB 1 P-Kanal 30 v 25pf @ 15V 30 v 30 mA @ 18 V 5 V @ 1 na 75 Ohm
JANSD2N5154L Microchip Technology JANSD2N5154L 98.9702
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 ECAD 5152 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N5154L 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Exposed Pad

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