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Transistoren(5714)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung – Nennspannung	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Frequenz	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Nennstrom (Ampere)	Testbedingung	Leistung – Leistung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Rauschzahl	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Spannung – Test	Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Widerstand – RDS(Ein)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
MSCMC120AM03CT6LIAG	-	Anfrage	6087	Mikrochip-Technologie	-	Rohr	Aktiv		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	MSCMC120			Siliziumkarbid (SiC)	2778W (Tc)		SP6C LI	herunterladen			REACH Unberührt	150-MSCMC120AM03CT6LIAG	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Phasenzweig)						1200 V (1,2 kV)	631A (Tc)		3,4 mOhm bei 500 A, 20 V	4 V bei 150 mA	1610 nC bei 20 V		27900pF bei 1000V	-
2N4858U	97,8750	Anfrage	6353	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel	2N4858				360 mW		UB	-			REACH Unberührt	150-2N4858U			1		N-Kanal					40 V							18pF bei 10V														40 V	8 mA bei 15 V	800 mV bei 500 pA				60 Ohm
2C5662	13.9650	Anfrage	3405	Mikrochip-Technologie	*	Schüttgut	Aktiv												-			REACH Unberührt	150-2C5662			1
2C3439-MSCL	10.1850	Anfrage	5527	Mikrochip-Technologie	*	Schüttgut	Aktiv												-			REACH Unberührt	150-2C3439-MSCL			1
TN2425N8-G	1.7000	Anfrage	192	Mikrochip-Technologie	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-243AA	TN2425			MOSFET (Metalloxid)			SOT-89-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal					250 V	480mA (Tj)	3V, 10V	3,5 Ohm bei 500 mA, 10 V	2,5 V bei 1 mA		±20V	200 pF bei 25 V	-	1,6 W (Tc)
2N3597	547.4100	Anfrage	9640	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-	Bolzenmontage	TO-211MB, TO-63-4, Stud					100 W		TO-63	-			REACH Unberührt	150-2N3597	EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	20 A										-				PNP	-	-	-
2N6560	148.1850	Anfrage	2009	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3					125 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Unberührt	150-2N6560	EAR99	8541.29.0095	1																				450 V	10 A										-				NPN	-	-	-
APT40GP60J	30.0700	Anfrage	8433	Mikrochip-Technologie	POWER MOS 7®	Rohr	Aktiv			Fahrgestellmontage	ISOTOP	APT40GP60				284 W	Standard	ISOTOP®	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln																		PT	600 V	86 A		2,7 V bei 15 V, 40 A								250 µA	NEIN	4,61 nF bei 25 V
2N2605UB/TR	81.6300	Anfrage	7588	Mikrochip-Technologie	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel					400 mW		UB	-							100																				60 V	30mA										10nA				PNP	300 mV bei 500 µA, 10 mA	150 bei 500 µA, 5 V	-
APT20GF120BRDG	7.1600	Anfrage	22	Mikrochip-Technologie	-	Rohr	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	APT20GF120	Standard			200 W		TO-247-3	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	150-APT20GF120BRDG	EAR99	8541.29.0095	1				792V, 20A, 10Ohm, 15V														85 ns	NVV	1200 V	32 A	64 A	3,2 V bei 15 V, 15 A	-	140 nC	17ns/93ns
JAN2N2906AUB/TR	8.0997	Anfrage	5364	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/291	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	4-SMD, kein Anschlusskabel	2N2906				500 mW		UB	-	ROHS3-konform		REACH Unberührt	150-JAN2N2906AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	600 mA										50nA				PNP	1,6 V bei 50 mA, 500 mA	40 bei 150 mA, 10 V	-
JANS2N2222AUBC/TR	185.6106	Anfrage	8852	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/255	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel					500 mW		3-SMD	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt	150-JANS2N2222AUBC/TR	EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA										50nA				NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
JAN2N3467	-	Anfrage	7573	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/348	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose					1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	Nicht RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	1 A										100nA (ICBO)				PNP	1,2 V bei 100 mA, 1 A	40 bei 500 mA, 1 V	-
APT200GN60J	37.2200	Anfrage	5213	Mikrochip-Technologie	-	Rohr	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	ISOTOP	APT200				682 W	Standard	ISOTOP®	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln																		Grabenfeldstopp	600 V	283 A		1,85 V bei 15 V, 200 A								25 µA	NEIN	14,1 nF bei 25 V
MSCSM120HM31T3AG	221.7900	Anfrage	7986	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	MSCSM120			Siliziumkarbid (SiC)	395 W (Tc)		-	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	150-MSCSM120HM31T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Kanal (Vollbrücke)						1200 V (1,2 kV)	89A (Tc)		31 mOhm bei 40 A, 20 V	2,8 V bei 3 mA	232 nC bei 20 V		3020pF bei 1000V	-
MSCSM120HM31CT3AG	270.3700	Anfrage	7670	Mikrochip-Technologie	-	Rohr	Aktiv		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	MSCSM120			Siliziumkarbid (SiC)	395 W (Tc)		SP3F	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	150-MSCSM120HM31CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Kanal						1200 V (1,2 kV)	89A (Tc)		31 mOhm bei 40 A, 20 V	2,8 V bei 1 mA	232 nC bei 20 V		3020pF bei 1000V	-
2N5625	74.1300	Anfrage	6833	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3					116 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Unberührt	150-2N5625	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	10 A										-				PNP	1,5 V bei 1 mA, 5 mA	-	-
MSCSM70AM07T3AG	283.3800	Anfrage	2599	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	MSCSM70			Siliziumkarbid (SiC)	988W (Tc)		-	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	150-MSCSM70AM07T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Phasenzweig)						700V	353A (Tc)		6,4 mOhm bei 120 A, 20 V	2,4 V bei 12 mA	645 nC bei 20 V		13500pF bei 700V	-
TN5325N3-G-P002	0,6400	Anfrage	2803	Mikrochip-Technologie	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN5325			MOSFET (Metalloxid)			TO-92-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	2.000		N-Kanal					250 V	215mA (Ta)	4,5 V, 10 V	7 Ohm bei 1 A, 10 V	2V bei 1mA		±20V	110 pF bei 25 V	-	740 mW (Ta)
ARF449AG	-	Anfrage	6225	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Veraltet	450 V			TO-247-3	ARF449		81,36 MHz	MOSFET			TO-247	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		9A		90W	13dB											-										150 V
2N4959UB	82.5000	Anfrage	7655	Mikrochip-Technologie	*	Schüttgut	Aktiv												-			REACH Unberührt	150-2N4959UB			1
APTGT100A120TG	127.5600	Anfrage	2819	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4	APTGT100				480 W	Standard	SP4	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1	Halbbrücke																		Grabenfeldstopp	1200 V	140 A		2,1 V bei 15 V, 100 A								250 µA	Ja	7,2 nF bei 25 V
MV2N5116	-	Anfrage	6422	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose	MV2N5116				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	1		P-Kanal					30 V							27pF bei 15V														30 V	25 mA bei 15 V	6 V bei 1 nA				100 Ohm
JANTXV2N3421L	16.9575	Anfrage	9464	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/393	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AA, TO-5-3 Metalldose					1 W		TO-5AA	-			REACH Unberührt	150-JANTXV2N3421L			1																				80 V	3 A										5µA				NPN	500 mV bei 200 mA, 2 A	40 @ 1A, 2V	-
MQ2N4859	54.6231	Anfrage	5386	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/385	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose					360 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Unberührt	150-MQ2N4859			1		N-Kanal					30 V							18pF bei 10V														30 V	50 mA bei 15 V	4 V bei 500 pA				25 Ohm
JANSM2N3637L	129.5906	Anfrage	6483	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/357	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AA, TO-5-3 Metalldose					1 W		TO-5AA	-			REACH Unberührt	150-JANSM2N3637L			1																				175 V	1 A										10 µA				PNP	600 mV bei 5 mA, 50 mA	100 bei 50 mA, 10 V	-
JANTXV2N6211	-	Anfrage	3390	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/461	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 200°C (TA)	Durchgangsloch	TO-213AA, TO-66-2					3 W		TO-66 (TO-213AA)	-	Nicht RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																				225 V	5mA										5mA				PNP	1,4 V bei 125 mA, 1 A	30 bei 1A, 5V	-
JANSD2N2906AUB	148.2202	Anfrage	1124	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/291	Schüttgut	Aktiv		-65 °C ~ 200 °C	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel					500 mW		UB	-			REACH Unberührt	150-JANSD2N2906AUB			1																				60 V	600 mA										50nA				PNP	1,6 V bei 50 mA, 500 mA	40 bei 150 mA, 10 V	-
JANKCCF2N3501	-	Anfrage	8636	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/366	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose					1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Unberührt	150-JANKCCF2N3501			100																				150 V	300mA										10µA (ICBO)				NPN	400 mV bei 15 mA, 150 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
JANS2N3506AL	70.3204	Anfrage	8235	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/349	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AA, TO-5-3 Metalldose					1 W		TO-5AA	-			REACH Unberührt	150-JANS2N3506AL			1																				40 V	3 A										1µA				NPN	1,5 V bei 250 mA, 2,5 A	50 bei 500 mA, 1 V	-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(5714)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²