- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (5714)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANKCAF2N2369A | - - - |  | 7387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2n2369a | 360 MW | To-18 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcaf2N2369a | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||
 | Mv2N4859UB/Tr | 80.6379 | | 7942 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-MV2N4859UB/Tr | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4857UB/Tr | 68.9206 | | 6794 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-mx2N4857UB/Tr | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM70TLM10C3AG | 384.2800 | | 14 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Modul | MSCSM70 | Silziumkarbid (sic) | 690W (TC) | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 N-Kanal | 700V | 241a (TC) | 9,5 MOHM @ 80A, 20V | 2,4 V @ 8ma (Typ) | 430nc @ 20V | 9000PF @ 700V | - - - | |||||||||||||||||
| 2N4416AUB/Tr | 91.8300 | | 2493 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4416Aub/tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MQ2N4858UB/Tr | 80.9438 | | 2606 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 360 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MQ2N4858UB/Tr | 100 | N-Kanal | 40 v | 18pf @ 10v | 40 v | 8 ma @ 15 V | 800 MV @ 500 PA | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| 2N6989ux/tr | 93.8250 | | 7955 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 20-clcc | 2N6989 | 1W | 20-clcc (8,89 x 8,89) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6989ux/tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 50V | 800 mA | 10 µA (ICBO) | 4 NPN (Quad) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||
| MQ2N4859UB/Tr | 80.9438 | | 5327 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/385 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 360 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MQ2N4859UB/Tr | 100 | N-Kanal | 30 v | 18pf @ 10v | 30 v | 50 mA @ 15 V | 4 V @ 500 pa | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | JANSD2N3440 | 233.7316 | | 7568 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3440 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| JANSF2N2369AU/Tr | 165.8312 | | 3245 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 500 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansf2N2369au/tr | 50 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| JANSL2N5154U3 | 232.1916 | | 7064 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U3 (SMD-0,5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N5154U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| JANSD2N2369AU/Tr | 130.2802 | | 5632 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 500 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2369AU/Tr | 50 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3823UB/Tr | 65.3100 | | 5041 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 300 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3823UB/Tr | 100 | N-Kanal | 30 v | 6PF @ 15V | 30 v | 4 ma @ 15 v | 8 V @ 500 PA | ||||||||||||||||||||||||
| JANSR2N2222AUBC/Tr | 279.2920 | | 5592 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2222ABC/Tr | 50 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| JANS2N5796UC/Tr | 506.3136 | | 7400 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/496 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N5796 | 600 MW | UC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N5796UC/Tr | 50 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||
| HS2222A/Tr | 8.9110 | | 2928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-HS2222A/Tr | 100 | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N4391UB/Tr | 69.5324 | | 5629 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MQ2N4391UB/Tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mv2N5114UB/Tr | 95.7866 | | 8615 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MV2N5114UB/Tr | 100 | P-Kanal | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 30 mA @ 18 V | 5 V @ 1 na | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N2369au/tr | - - - | | 4780 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 500 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N2369au/tr | 50 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N3737UB/Tr | 23.3814 | | 7354 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/395 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N3737UB/Tr | 100 | 40 v | 1,5 a | 200na | Npn | 900mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 500 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | MSCSM170TAM45CT3AG | 453.7100 | | 14 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM170 | Silziumkarbid (sic) | 319W (TC) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM170TAM45CT3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) | 1700 V (1,7 kV) | 64a (TC) | 45mohm @ 30a, 20V | 3,2 V @ 2,5 mA | 178nc @ 20V | 3300PF @ 1000V | - - - | ||||||||||||||||
| MSCSM120HM31CTBL2NG | 296.3200 | | 7230 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM120 | Silziumkarbid (sic) | 310W | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM120HM31CTBL2NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 N-Kanal (Volle Brucke) | 1200V | 79a | 31mohm @ 40a, 20V | 2,8 V @ 1ma | 232nc @ 20V | 3020pf @ 1000v | - - - | ||||||||||||||||
| MSCSM120SKM31CTBL1NG | 118.9300 | | 27 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM120 | Sicfet (Silziumkarbid) | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM120SKM31CTBL1NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 79a | 20V | 31mohm @ 40a, 20V | 2,8 V @ 1ma | 232 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 3020 PF @ 1000 V | - - - | 310W | ||||||||||||||
| 2N4210 | 707.8500 | | 4985 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-211mb, to-63-4, Stud | 100 w | To-63 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4210 | 1 | 60 v | 20 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2N5415p | 19.8436 | | 5015 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 750 MW | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N5415p | 1 | 200 v | 1 a | 1ma | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| JANKCCF2N3498 | - - - | | 2824 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankccf2N3498 | 100 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| 2N3850 | 273.7050 | | 9293 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 40 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3850 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 5 a | - - - | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 50 @ 1a, 1V | 20MHz | |||||||||||||||||||||
| JANSM2N3498L | 41.5800 | | 5773 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3498L | 1 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| 2N3488 | 547.4100 | | 6701 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 115 w | To-61 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 7 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||
| 2N4958 | 35.4000 | | 9887 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4958 | 1 |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)