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Transistoren(5714)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung – Nennspannung	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Frequenz	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Nennstrom (Ampere)	Testbedingung	Aktuell - Test	Leistung – Leistung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Rauschzahl	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Spannung – Test	Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Widerstand – RDS(Ein)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
MSCSM120TAM11CTPAG	1.0000	Anfrage	3	Mikrochip-Technologie	-	Rohr	Aktiv		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	MSCSM120			Siliziumkarbid (SiC)	1.042 kW (Tc)		SP6-P	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	150-MSCSM120TAM11CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)							1200 V (1,2 kV)	251A (Tc)		10,4 mOhm bei 120 A, 20 V	2,8 V bei 3 mA	696 nC bei 20 V		9060pF bei 1000V	-
2N5794UC/TR	83.0850	Anfrage	2827	Mikrochip-Technologie	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-SMD, kein Anschlusskabel	2N5794				600 mW		UC	-			REACH Unberührt	150-2N5794UC/TR	EAR99	8541.21.0095	100																				40V	600mA										10µA (ICBO)				2 NPN (Dual)	900 mV bei 30 mA, 300 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
2N3725L	15.6541	Anfrage	7059	Mikrochip-Technologie	*	Schüttgut	Aktiv			-	-	2N3725						-	-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1
2C2484	6.1978	Anfrage	4324	Mikrochip-Technologie	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv												-	ROHS3-konform		REACH Unberührt	150-2C2484			1
2N3767	27.2783	Anfrage	1841	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-213AA, TO-66-2					25 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	500 µA										500µA				NPN	2,5 V bei 100 mA, 1 A	40 bei 500 mA, 5 V	-
JANSM2N3501UB/TR	94.4906	Anfrage	2289	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/366	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel					500 mW		UB	-	ROHS3-konform		REACH Unberührt	150-JANSM2N3501UB/TR	EAR99	8541.21.0095	1																				150 V	300mA										10µA (ICBO)				NPN	400 mV bei 15 mA, 150 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
APT1003RBLLG	8.8800	Anfrage	3326	Mikrochip-Technologie	POWER MOS 7®	Rohr	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	APT1003			MOSFET (Metalloxid)			TO-247 [B]	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	Q12300171	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal						1000 V	4A (Tc)	10V	3 Ohm bei 2 A, 10 V	5 V bei 1 mA	34 nC bei 10 V	±30V	694 pF bei 25 V	-	139W (Tc)
MSCSM170AM058CD3AG	1.0000	Anfrage	6340	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	MSCSM170			Siliziumkarbid (SiC)	1.642 kW (Tc)		-	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	150-MSCSM170AM058CD3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Phasenzweig)							1700 V (1,7 kV)	353A (Tc)		7,5 mOhm bei 180 A, 20 V	3,3 V bei 15 mA	1068 nC bei 20 V		19800pF bei 1000V	-
2N5793AU/TR	71.0700	Anfrage	4195	Mikrochip-Technologie	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-SMD, kein Anschlusskabel	2N5793				600 mW		U	-			REACH Unberührt	150-2N5793AU/TR	EAR99	8541.21.0095	100																				40V	600mA										10µA (ICBO)				2 NPN (Dual)	900 mV bei 30 mA, 300 mA	40 bei 150 mA, 10 V	-
2C5672-MSCL	172.3800	Anfrage	6981	Mikrochip-Technologie	*	Schüttgut	Aktiv												-			REACH Unberührt	150-2C5672-MSCL			1
APT75GN120LG	16.3600	Anfrage	172	Mikrochip-Technologie	-	Rohr	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-264-3, TO-264AA	APT75GN120	Standard			833 W		TO-264 [L]	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1				800 V, 75 A, 1 Ohm, 15 V															Grabenfeldstopp	1200 V	200 A	225 A	2,1 V bei 15 V, 75 A	8620 µJ (ein), 11400 µJ (aus)	425 nC	60 ns/620 ns
JANTXV2N7371	-	Anfrage	4507	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/623	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-254-3, TO-254AA (gerade Leitungen)					100 W		TO-254AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																				100 V	12 A										1mA				PNP – Darlington	3 V bei 120 mA, 12 A	1000 bei 6A, 3V	-
MNSKC2N2222A	8.6051	Anfrage	8187	Mikrochip-Technologie	*	Schüttgut	Aktiv												-			REACH Unberührt	150-MNSKC2N2222A			1
APT18M100S	10.5700	Anfrage	147	Mikrochip-Technologie	POWER MOS 8™	Rohr	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-268AA	APT18M100			MOSFET (Metalloxid)			D3PAK	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	150-APT18M100S	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal						1000 V	18A (Tc)	10V	700 mOhm bei 9 A, 10 V	5 V bei 1 mA	150 nC bei 10 V	±30V	4845 pF bei 25 V	-	625 W (Tc)
JANTXV2N3998	151.6998	Anfrage	7851	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/374	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Fahrgestell, Bolzenmontage	TO-210AA, TO-59-4, Stud	2N3998				2 W		TO-59	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	10 A										10 µA				NPN	2V bei 500mA, 5A	40 @ 1A, 2V	-
APT25GR120BD15	6.9500	Anfrage	92	Mikrochip-Technologie	-	Rohr	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	APT25GR120	Standard			521 W		TO-247	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	30				600 V, 25 A, 4,3 Ohm, 15 V															NVV	1200 V	75 A	100 A	3,2 V bei 15 V, 25 A	742 µJ (ein), 427 µJ (aus)	203 nC	16ns/122ns
JANTX2N3501	7.5700	Anfrage	2	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/366	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose	2N3501				1 W		TO-39	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																				150 V	300mA										10µA (ICBO)				NPN	400 mV bei 15 mA, 150 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
2N5794A	42.2700	Anfrage	7612	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-78-6 Metalldose	2N5794				600 mW		TO-78-6	-			REACH Unberührt	150-2N5794A	EAR99	8541.21.0095	1																				40V	600mA										10µA (ICBO)				2 NPN (Dual)	900 mV bei 30 mA, 300 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
JANTX2N3700P	11.0390	Anfrage	7745	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/391	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose					500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Unberührt	150-JANTX2N3700P			1																				80 V	1 A										10nA				NPN	500 mV bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
MQ2N4857UB	80.7975	Anfrage	1187	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose					360 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Unberührt	150-MQ2N4857UB			1		N-Kanal						40 V							18pF bei 10V													40 V	20 mA bei 15 V	2 V bei 500 pA				40 Ohm
JANTXV2N5663U3	240.4640	Anfrage	7708	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-SMD, kein Anschlusskabel							U3 (SMD-0,5)	-			REACH Unberührt	150-JANTXV2N5663U3			1																				300 V	2 A										-				NPN	-	-	-
APT5018BLLG	-	Anfrage	2118	Mikrochip-Technologie	POWER MOS 7®	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3				MOSFET (Metalloxid)			TO-247 [B]	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal						500 V	27A (Tc)	10V	180 mOhm bei 13,5 A, 10 V	5 V bei 1 mA	58 nC bei 10 V	±30V	2596 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)
APTGT20H60T1G	51.6800	Anfrage	5266	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1	APTGT20				62 W	Standard	SP1	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1	Vollbrückenwechselrichter																		Grabenfeldstopp	600 V	32 A		1,9 V bei 15 V, 20 A								250 µA	Ja	1,1 nF bei 25 V
JANSG2N2222AL	98.4404	Anfrage	3927	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/255	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose					500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Unberührt	150-JANSG2N2222AL			1																				50 V	800 mA										50nA				NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
2N5066	16.4250	Anfrage	8560	Mikrochip-Technologie	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-46-3 Metalldose mit Linsenoberseite					400 mW		TO-46	-			REACH Unberührt	150-2N5066	EAR99	8541.21.0095	1																				20 V	100mA										1nA (ICBO)				NPN	-	5 bei 1 mA, 6 V	-
JAN2N2484	-	Anfrage	8190	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/376	Schüttgut	Bei SIC eingestellt		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose	2N2484				360 mW		TO-18	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	50mA										2nA				NPN	300 mV bei 100 µA, 1 mA	225 bei 10 mA, 5 V	-
JANHCC2N3501	9.4962	Anfrage	9387	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/366	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose					1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Unberührt	150-JANHCC2N3501	EAR99	8541.29.0095	1																				150 V	300mA										10µA (ICBO)				NPN	400 mV bei 15 mA, 150 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
APT5014BFLLG	14.2000	Anfrage	4106	Mikrochip-Technologie	POWER MOS 7®	Rohr	Aktiv			Durchgangsloch	TO-247-3	APT5014			MOSFET (Metalloxid)			TO-247 [B]	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal						500 V	35A (Tc)		140 mOhm bei 17,5 A, 10 V	5 V bei 1 mA	72 nC bei 10 V		3261 pF bei 25 V	-
JANSM2N3499L	41.5800	Anfrage	8939	Mikrochip-Technologie	Militär, MIL-PRF-19500/366	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AA, TO-5-3 Metalldose					1 W		TO-5AA	-			REACH Unberührt	150-JANSM2N3499L			1																				100 V	500mA										10µA (ICBO)				NPN	600 mV bei 30 mA, 300 mA	100 bei 150 mA, 10 V	-
0912GN-650V	-	Anfrage	1594	Mikrochip-Technologie	V	Schüttgut	Aktiv	150 V		Oberflächenmontage	55-KR			960 MHz ~ 1.215 GHz	HEMT			55-KR	herunterladen			REACH Unberührt	150-0912GN-650V	EAR99	8541.29.0095	1			-		100mA	650W	18dB											-									50 V

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(5714)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²