SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JANKCCG2N3498 Microchip Technology Jankccg2N3498 - - -
RFQ
ECAD 5573 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccg2N3498 100 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N6286 Microchip Technology 2N6286 63.2016
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6286 175 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2N6286ms Ear99 8541.29.0095 1 80 v 20 a 1ma PNP - Darlington 3v @ 200 Ma, 20a 1500 @ 1a, 3V - - -
APT6029BFLLG Microchip Technology APT6029Bfllg 13.3100
RFQ
ECAD 7677 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT6029 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q9302744 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 21a (TC) 290MOHM @ 10.5a, 10V 5v @ 1ma 65 NC @ 10 V 2615 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
JANKCCP2N3499 Microchip Technology Jankccp2N3499 - - -
RFQ
ECAD 4694 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccp2N3499 100 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
APTGT75DDA60T3G Microchip Technology APTGT75DDA60T3G 71.5900
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 AptGT75 250 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Boost Chopper TRABENFELD STOPP 600 V 100 a 1,9 V @ 15V, 75A 250 µA Ja 4.62 NF @ 25 V.
JANTXV2N2432UB Microchip Technology Jantxv2N2432UB - - -
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ECAD 6353 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 30 v 100 ma - - - Npn - - - - - - - - -
2N6251 Microchip Technology 2N6251 - - -
RFQ
ECAD 4409 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-204aa, to-3 2N6251 6 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 350 V 10 a 1ma Npn 1,5 V @ 1,67a, 10a 6 @ 10a, 3v - - -
APTGT75DA120TG Microchip Technology APTGT75DA120TG 89.6700
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ECAD 5981 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 AptGT75 357 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 110 a 2,1 V @ 15V, 75a 250 µA Ja 5.34 NF @ 25 V
JANSH2N2222AUA Microchip Technology JANSH2N2222AUA 167.2800
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ECAD 5753 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 650 MW Ua - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N2222AUBC/TR Microchip Technology 2N2222AUBC/Tr 28.8750
RFQ
ECAD 1762 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N2222AUBC/Tr Ear99 8541.21.0095 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N5796U Microchip Technology JANS2N5796U 456.8900
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/496 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N5796 600 MW 6-smd - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSD2N5004 Microchip Technology JANSD2N5004 - - -
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/534 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-210aa, to-59-4, Stud 2 w To-59 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 80 v 50 µA 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
JAN2N696 Microchip Technology Jan2n696 - - -
RFQ
ECAD 7336 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/99 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 600 MW To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40 v 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 15ma, 150 mA 20 @ 150 mA, 10V - - -
78161GNP Microchip Technology 78161gnp - - -
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 78161 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-78161gnp 25
JAN2N336T2 Microchip Technology Jan2N336T2 - - -
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 45 V 10 ma - - - Npn - - - - - - - - -
APT30M30JLL Microchip Technology APT30M30JLL 40.1200
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT30M30 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 300 V 88a (TC) 30mohm @ 44a, 10V 5 V @ 2,5 mA 140 nc @ 10 v 7030 PF @ 25 V. - - -
JANTXV2N6341 Microchip Technology Jantxv2N6341 132.3882
RFQ
ECAD 8662 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/509 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 200 w To-3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 50 µA 50 µA Npn 1,8 V @ 2,5a, 25a 30 @ 10a, 2v - - -
2C3421 Microchip Technology 2C3421 4.8545
RFQ
ECAD 8517 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-2C3421 1
JAN2N3635 Microchip Technology Jan2N3635 10.5070
RFQ
ECAD 6674 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3635 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
2C6191-MSCL Microchip Technology 2C6191-MSCL 24.3450
RFQ
ECAD 3981 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C6191-MSCL 1
MSCSM120DUM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120DUM31CTBL1NG 166.2400
RFQ
ECAD 3045 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 310W - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120DUM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle 1200V 79a 31mohm @ 40a, 20V 2,8 V @ 1ma 232nc @ 20V 3020pf @ 1000v - - -
MSCSM170HM087CAG Microchip Technology MSCSM170HM087CAG 1.0000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM170 Silziumkarbid (sic) 1.114 kW (TC) - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM170HM087CAG Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Volle Brucke) 1700 V (1,7 kV) 238a (TC) 11,3 MOHM @ 120A, 20V 3,2 V @ 10 mA 712nc @ 20V 13200PF @ 1000V - - -
JANSF2N2222AL Microchip Technology JANSF2N2222AL 98.5102
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Tablett Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N2222 500 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N4854U Microchip Technology JantX2N4854U - - -
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/421 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N4854 600 MW 6-smd - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40V 600 mA 10 µA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N2814 Microchip Technology JantX2N2814 - - -
RFQ
ECAD 1711 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud To-61 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 80 v 10 a - - - Npn - - - - - - - - -
APTGF25H120T3G Microchip Technology APTGF25H120T3G - - -
RFQ
ECAD 1705 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg SP3 208 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter Npt 1200 V 40 a 3,7 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,65 NF @ 25 V.
JAN2N5152U3 Microchip Technology Jan2N5152U3 344.9887
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
2N2727 Microchip Technology 2N2727 15.9600
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N2727 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 500 mA - - - PNP - - - - - - - - -
2N2906AUB/TR Microchip Technology 2N2906Aub/tr 8.6982
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N2906 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-2N2906AUB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MSCMC120AM07CT6LIAG Microchip Technology MSCMC120AM07CT6LIAG - - -
RFQ
ECAD 7091 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCMC120 Silziumkarbid (sic) 1350W (TC) Sp6c li Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-MSCMC120AM07CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n -kanal (Phasenbein) 1200 V (1,2 kV) 264a (TC) 8.7mohm @ 240a, 20V 4v @ 60 mA 690nc @ 20V 11400PF @ 1000V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus