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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N2219E3 Microchip Technology 2N2219E3 10.4100
RFQ
 ECAD 5367 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N2219E3 Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 10na Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N3904UB/TR Microchip Technology 2N3904UB/Tr 59.8350
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3904UB/Tr 100
JANTX2N2946A Microchip Technology JantX2N2946a 9.2435
RFQ
 ECAD 3064 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/382 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-46-3 2N2946 400 MW To-46 (to-206ab) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 35 V 100 ma 10 µA (ICBO) PNP - - - 50 @ 1ma, 500mV - - -
2N2946AUB Microchip Technology 2N2946AUB 26.4200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N2946 400 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 35 V 100 ma 10 µA (ICBO) PNP - - - 50 @ 1ma, 500mV - - -
2N3810A Microchip Technology 2N3810a 18.0747
RFQ
 ECAD 4540 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 2N3810 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2N3810 UHR 0000.00.0000 1
2N2985 Microchip Technology 2n2985 27.6600
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 ECAD 7703 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 5 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N2985 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 3 a - - - Npn - - - - - - - - -
JANSM2N3636 Microchip Technology Jansm2N3636 - - -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
SG2821J-883B Microchip Technology SG2821J-883B - - -
RFQ
 ECAD 1561 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) K. Loch 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2821 - - - 18-Cerdip Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-SG2821J-883B Ear99 8541.29.0095 21 95 V 500 mA - - - 8 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350 mA, 2V - - -
2N3636L Microchip Technology 2N3636L 11.4646
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 ECAD 3082 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3636 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANTX2N3506AU4 Microchip Technology JantX2N3506AU4 - - -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/349 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 1 µA 1 µA Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 50 @ 500 mA, 1V - - -
JAN2N3725UB Microchip Technology Jan2N3725UB - - -
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 50 v 500 mA - - - Npn - - - - - - - - -
JANTXV2N3700 Microchip Technology Jantxv2N3700 5.3466
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N3700 500 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 500 mA, 10V - - -
2N6660 Microchip Technology 2N6660 15.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann MOSFET (Metalloxid) To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2N6660mc Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 60 v 410 mA (TA) 5v, 10V 3OHM @ 1a, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 24 V - - - 6.25W (TC)
JANTX2N3500 Microchip Technology JantX2N3500 10.6932
RFQ
 ECAD 4103 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3500 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
APTGT25X120T3G Microchip Technology APTGT25X120T3G 100.0908
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 AptGT25 156 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 40 a 2,1 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,8 NF @ 25 V.
MV2N5114UB Microchip Technology MV2N5114UB 95.6403
RFQ
 ECAD 3262 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MV2N5114UB 1 P-Kanal 30 v 25pf @ 15V 30 v 30 mA @ 18 V 5 V @ 1 na 75 Ohm
JANSP2N2907AL Microchip Technology JANSP2N2907AL 99.0906
RFQ
 ECAD 1485 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2907AL 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N6193U3 Microchip Technology Jantxv2N6193U3 - - -
RFQ
 ECAD 2430 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - - - - 2N6193 - - - - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3637 Microchip Technology JantX2N3637 11.4513
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3637 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
JAN2N2907AUB Microchip Technology Jan2N2907AUB 5.6525
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Tablett Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q4153288 Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N6306T1 Microchip Technology Jan2N6306T1 - - -
RFQ
 ECAD 3787 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) To-254 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 250 V 8 a - - - Npn - - - - - - - - -
2N3057A Microchip Technology 2n3057a 8.7913
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 2n3057 500 MW To-46-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 500 mA, 10V - - -
JANTXV2N5157 Microchip Technology Jantxv2N5157 73.9347
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/371 Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N5157 5 w To-204aa (to-3) - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 500 V 3.5 a 250 µA Npn 2,5 V @ 700 Ma, 3,5a 30 @ 1a, 5V - - -
JANSF2N5153 Microchip Technology JANSF2N5153 98.9702
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 50 µA 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
JANSP2N2369AUA/TR Microchip Technology JANSP2N2369AUA/Tr 166.8512
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2369a 360 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2369AUA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANTXV2N3996 Microchip Technology Jantxv2N3996 151.6998
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/374 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-111-4, Stud 2 w To-111 - - - UnberÜHrt Ereichen 2266-Jantxv2N3996 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 µA 10 µA Npn 2v @ 500 mA, 5a 40 @ 1a, 2v - - -
2N3500U4 Microchip Technology 2N3500U4 77.4326
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 50na (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N2878 Microchip Technology 2n2878 255.5700
RFQ
 ECAD 2977 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211mb, to-63-4, Stud 30 w To-63 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n2878 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
JANSR2N3501L Microchip Technology JANSR2N3501L 123.6804
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N5151L Microchip Technology JANS2N5151L 78.5602
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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