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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N5760 Microchip Technology 2N5760 77.3850
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5760 Ear99 8541.29.0095 1 140 v 6 a - - - Npn - - - - - - - - -
JANS2N6989U Microchip Technology JANS2N6989U 262.2704
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/559 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N6989 1W 6-smd - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 50V 800 mA 10NA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N5151L Microchip Technology Jantxv2N5151L 15.8403
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N5151 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
JAN2N497S Microchip Technology Jan2N497S - - -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1
JANS2N6987 Microchip Technology JANS2N6987 158.6608
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/558 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 2N6987 1,5W To-116 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSH2N3439U4/TR Microchip Technology JANSH2N3439U4/Tr 473.2000
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 ECAD 2878 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 800 MW U4 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansH2N3439U4/Tr 50 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
JAN2N3501 Microchip Technology Jan2N3501 13.4600
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 ECAD 43 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3501 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N4234L Microchip Technology Jan2N4234L 39.7936
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 ECAD 8138 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N4234L Ear99 8541.29.0095 1 40 v 1 a 1ma PNP 600mv @ 100 mA, 1a 40 @ 100 mA, 1V - - -
JANTXV2N4854 Microchip Technology Jantxv2N4854 - - -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/421 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N4854 600 MW To-78-6 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40V 600 mA 10 µA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N336A Microchip Technology JantX2N336a - - -
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 ECAD 6478 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 45 V 10 ma - - - Npn - - - - - - - - -
JANTX2N5667 Microchip Technology JantX2N5667 29.5792
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 ECAD 1279 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/455 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2n5667 1,2 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 5 a 200na Npn 1v @ 1a, 5a 25 @ 1a, 5V - - -
JAN2N2222AUB/TR Microchip Technology Jan2N2222AUB/Tr 5.3998
RFQ
 ECAD 1579 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-SMD, NIC die Standardmäßig 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N2222Aub/Tr Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
APT29F100L Microchip Technology APT29F100L 13.8000
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT29F100 MOSFET (Metalloxid) To-264 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 30a (TC) 10V 460Mohm @ 16a, 10V 5 V @ 2,5 mA 260 NC @ 10 V ± 30 v 8500 PF @ 25 V. - - - 1040W (TC)
JANSM2N3635 Microchip Technology Jansm2N3635 129.5906
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 ECAD 7661 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
APTGF180SK60TG Microchip Technology APTGF180SK60TG - - -
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 ECAD 2671 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp4 833 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 600 V 220 a 2,5 V @ 15V, 180a 300 µA Ja 8.6 NF @ 25 V.
JANTXV2N3506AU4 Microchip Technology Jantxv2N3506AU4 - - -
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/349 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 1 µA 1 µA Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 50 @ 500 mA, 1V - - -
JANTXV2N2221AUB/TR Microchip Technology Jantxv2N2221Aub/Tr 11.9833
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N2221Aub/tr 115 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N930 Microchip Technology Jan2n930 9.3898
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/253 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N930 300 MW To-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 45 V 30 ma 2na Npn 1 V @ 500 ähm 10 ma 100 @ 10 µA, 5 V - - -
2N2369AUB Microchip Technology 2N2369Aub - - -
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 ECAD 1188 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd 360 MW Smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANTXV2N5680 Microchip Technology Jantxv2N5680 - - -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/582 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 120 v 1 a 10 µA PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 250 mA, 2V - - -
JANSM2N3635UB Microchip Technology Jansm2N3635UB 147.1604
RFQ
 ECAD 9234 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 mA, 10 V. - - -
JANTX2N2222AL Microchip Technology JantX2N2222Al - - -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-218 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N697S Microchip Technology 2N697s 14.5901
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N697 600 MW To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40 v 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANKCA2N5238 Microchip Technology Jankca2N5238 37.2533
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/394 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankca2N5238 Ear99 8541.29.0095 1 170 v 10 a 10 µA Npn 2,5 V @ 1a, 10a 50 @ 1a, 5V - - -
JANTX2N3499UB/TR Microchip Technology JantX2N3499UB/Tr 659.0283
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx2N3499UB/Tr 100 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
TP2424N8-G Microchip Technology TP2424N8-G - - -
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 ECAD 2814 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa TP2424 MOSFET (Metalloxid) To-243aa (SOT-89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 240 V 316 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 8ohm @ 500 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 200 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
JANTX2N4234 Microchip Technology JantX2N4234 40.5517
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 ECAD 4050 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/580 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N4234 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 1 a 1ma PNP 600mv @ 100 mA, 1a 30 @ 250 mA, 1V - - -
JANTXV2N6693 Microchip Technology Jantxv2N6693 - - -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/538 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 3 w To-61 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 15 a 1ma (ICBO) Npn 1v @ 3a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
JANS2N5153 Microchip Technology JANS2N5153 67.8904
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 50 µA 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
MQ2N4857UB Microchip Technology MQ2N4857UB 80.7975
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 ECAD 1187 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 360 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MQ2N4857UB 1 N-Kanal 40 v 18pf @ 10v 40 v 20 mA @ 15 V 2 V @ 500 PA 40 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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