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Transistoren (5714)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan2N3763L | - - - |  | 8203 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/396 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1,5 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
 | MSC080SMA120J | 28.8000 | | 5 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | MSC080 | Sicfet (Silziumkarbid) | SOT-227 (ISOTOP®) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 691-MSC080SMA120J | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 37a (TC) | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | Jantxv2N2907UB | - - - | | 3411 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N2907UB | 193 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | APTGT300DA170D3G | 269.3100 | | 3890 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | Aptgt300 | 1470 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 530 a | 2,4 V @ 15V, 300A | 8 ma | NEIN | 26 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||
| JANSD2N2906AUB | 148.2202 | | 1124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2906Aub | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2N6212 | - - - | | 7118 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/461 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TA) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 3 w | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 5 Ma | 5ma | PNP | 1,6 V @ 125 Ma, 1a | 30 @ 1a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N333a | - - - | | 1607 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| MSCSM70AM19T1AG | 100.9200 | | 10 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM70 | Silziumkarbid (sic) | 365W (TC) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM70AM19T1AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n -kanal (Phasenbein) | 700V | 124a (TC) | 19Mohm @ 40a, 20V | 2,4 V @ 4MA | 215nc @ 20V | 4500PF @ 700V | - - - | |||||||||||||||||
| JantX2N3507U4 | - - - | | 8928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1 µA | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 35 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
 | JantX2N3635 | 11.4513 | | 8050 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3635 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||
| JantX2N336a | - - - | | 6478 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N6674 | 130.8720 | | 2064 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6674 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS2907ATX | 10.3474 | | 5733 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N5153 | 67.8904 | | 2469 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 µA | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| 2N6186 | 287.8650 | | 3082 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 60 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6186 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
| 2N4863 | 15.6541 | | 6752 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 7 w | To-5 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 2 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||
| 2N5760 | 77.3850 | | 7509 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 150 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5760 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 6 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
| JANS2N6989U | 262.2704 | | 9210 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/559 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N6989 | 1W | 6-smd | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 800 mA | 10NA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
| JANSH2N3439U4/Tr | 473.2000 | | 2878 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 800 MW | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansH2N3439U4/Tr | 50 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n930 | 9.3898 | | 9534 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/253 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N930 | 300 MW | To-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 30 ma | 2na | Npn | 1 V @ 500 ähm 10 ma | 100 @ 10 µA, 5 V | - - - | ||||||||||||||||||||
| Jantxv2N5680 | - - - | | 6133 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/582 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 1 a | 10 µA | PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 250 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||
| Jantxv2N2221Aub/Tr | 11.9833 | | 9782 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N2221Aub/tr | 115 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N5151L | 15.8403 | | 7694 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N5151 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
| Jansm2N3635 | 129.5906 | | 7661 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||
| 2N2369Aub | - - - | | 1188 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd | 360 MW | Smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
| JANS2N6987 | 158.6608 | | 9708 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/558 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 2N6987 | 1,5W | To-116 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
| APTGF180SK60TG | - - - | | 2671 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 833 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 220 a | 2,5 V @ 15V, 180a | 300 µA | Ja | 8.6 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||
 | JantX2N5667 | 29.5792 | | 1279 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/455 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2n5667 | 1,2 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 5 a | 200na | Npn | 1v @ 1a, 5a | 25 @ 1a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
| Jan2N3501 | 13.4600 | | 43 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3501 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||
| Jan2N497S | - - - | | 6348 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 |
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