SIC
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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JANTX2N3498L Microchip Technology JantX2N3498L 15.1088
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3498 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
89100-02TXV Microchip Technology 89100-02TXV - - -
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-213aa, to-66-2 To-66 (to-213aa) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - - - - - - - - - - - - -
JANTX2N2905A Microchip Technology JantX2N2905a 4.9900
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/290 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2n2905 800 MW To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 1 µA PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N5795A Microchip Technology Jantxv2N5795a 138.7610
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/496 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N5795 600 MW To-78-6 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N3507A Microchip Technology JANS2N3507A 70.3204
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N3507A 1 50 v 3 a 1 µA Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 35 @ 500 mA, 1V - - -
90024-05TX Microchip Technology 90024-05TX - - -
RFQ
 ECAD 5347 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 To-3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - - - - - - - - - - - - -
JAN2N4261 Microchip Technology Jan2N4261 - - -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/511 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch TO-72-3 Metalldose 2N4261 200 MW To-72 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 30 ma 10 µA (ICBO) PNP 350 mV @ 1ma, 10 mA 30 @ 10ma, 1V - - -
JANSR2N2906AUB/TR Microchip Technology JANSR2N2906AUB/Tr 148.3202
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N2906 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N2906Aub/tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N3498L Microchip Technology Jantxv2N3498L 16.4654
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3498 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N5153U3 Microchip Technology JANS2N5153U3 202.2102
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1,16 w U3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
2N3763 Microchip Technology 2N3763 27.5443
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3763 500 MW To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 1,5 a 100na PNP 900mv @ 100 mA, 1a 20 @ 1,5a, 5V - - -
MSCSM120DUM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120DUM31CTBL1NG 166.2400
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 310W - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120DUM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle 1200V 79a 31mohm @ 40a, 20V 2,8 V @ 1ma 232nc @ 20V 3020pf @ 1000v - - -
JANSP2N2369AU/TR Microchip Technology JANSP2N2369AU/Tr 130.2802
RFQ
 ECAD 4732 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 500 MW U - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2369AU/Tr 50 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 40 @ 10 Ma, 1V - - -
JANSR2N3501UB/TR Microchip Technology JANSR2N3501UB/Tr 94.4906
RFQ
 ECAD 1933 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N3501UB/Tr 1
JANSR2N5153U3/TR Microchip Technology JANSR2N5153U3/Tr 230.1212
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1,16 w U3 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N5153U3/Tr 50 80 v 2 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
APT10021JFLL Microchip Technology APT10021JFll 101.2000
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT10021 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 37a (TC) 10V 210mohm @ 18.5a, 10V 5v @ 5ma 395 NC @ 10 V. ± 30 v 9750 PF @ 25 V. - - - 694W (TC)
JANTX2N6299 Microchip Technology JantX2N6299 29.7122
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/540 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N6299 64 w Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500 ähm PNP - Darlington 2v @ 16ma, 4a 750 @ 4a, 3v - - -
2N5337 Microchip Technology 2N5337 12.6882
RFQ
 ECAD 5980 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N5337 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
2N918 Microchip Technology 2N918 14.6300
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206af, bis 72-4 Metall Kann 2N918 200 MW To-72 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2n918ms Ear99 8541.21.0095 1 15 v 50 ma 1 µA (ICBO) Npn 400mv @ 1ma, 10 mA 20 @ 10 ma, 10V - - -
APTM20HM10FG Microchip Technology APTM20HM10FG 286.6400
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM20 MOSFET (Metalloxid) 694W Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 200V 175a 12mohm @ 87,5a, 10V 5v @ 5ma 224nc @ 10v 13700pf @ 25v - - -
APT10045B2LLG Microchip Technology APT10045B2LLG 32.4000
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT10045 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 23a (TC) 10V 450MOHM @ 11.5A, 10V 5 V @ 2,5 mA 154 NC @ 10 V. ± 30 v 4350 PF @ 25 V. - - - 565W (TC)
JANS2N4449 Microchip Technology Jans2N4449 80.6704
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 2N4449 360 MW To-46 (to-206ab) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
LND150N8-G Microchip Technology Lnd150n8-g 0,7900
RFQ
 ECAD 4221 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa Lnd150 MOSFET (Metalloxid) SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 500 V 30 Ma (TJ) 0V 1000 OHM @ 500 µA, 0V - - - ± 20 V 10 PF @ 25 V. Depletion -modus 1.6W (TA)
APT5018BLLG Microchip Technology APT5018BLLG - - -
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 27a (TC) 10V 180Mohm @ 13.5a, 10V 5v @ 1ma 58 NC @ 10 V ± 30 v 2596 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
JANTXV2N3055 Microchip Technology Jantxv2n3055 - - -
RFQ
 ECAD 8675 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/407 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-3 2n3055 6 w To-3 (to-204aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 70 V 15 a 1ma Npn 2v @ 3,3a, 10a 20 @ 4a, 4V - - -
APTMC120HR11CT3AG Microchip Technology APTMC120HR11CT3AG - - -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul APTMC120 Silziumkarbid (sic) 125W SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 1200 V (1,2 kV) 26a (TC) 98mohm @ 20a, 20V 3v @ 5ma 62NC @ 20V 950pf @ 1000v - - -
JANTX2N3500U4 Microchip Technology JantX2N3500U4 - - -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 50na (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
APTC60HM70T3G Microchip Technology APTC60HM70T3G 90.1800
RFQ
 ECAD 4275 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 Aptc60 MOSFET (Metalloxid) 250W SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 600V 39a 70 MOHM @ 39A, 10V 3,9 V @ 2,7 mA 259nc @ 10v 7000PF @ 25v - - -
JAN2N4033UB/TR Microchip Technology Jan2N4033UB/Tr 21.6524
RFQ
 ECAD 4803 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/512 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N4033UB/Tr Ear99 8541.21.0095 100 80 v 1 a 25na PNP 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V - - -
JANSF2N2369AUB Microchip Technology JANSF2N2369AUB 149.3402
RFQ
 ECAD 1340 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2369a 360 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400 na 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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