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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JANTXV2N1613L Microchip Technology Jantxv2N1613L 365.7500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/181 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N1613 800 MW To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 30 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N6675 Microchip Technology Jan2n6675 136.0058
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/537 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6675 6 w To-204aa (to-3) - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 15 a 1ma Npn 5v @ 5a, 15a 8 @ 10a, 2v - - -
APT60GT60BRG Microchip Technology APT60GT60BRG 14.6800
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 ECAD 2 0.00000000 Mikrochip -technologie Thunderbolt IGBT® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT60GT60 Standard 500 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - Npt 600 V 100 a 360 a 2,5 V @ 15V, 60a 3.4mj 275 NC 26ns/395ns
JANS2N7373 Microchip Technology Jans2N7373 - - -
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/613 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) 4 w To-254 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 50 µA 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
MNS2N2907AUBP Microchip Technology MNS2N2907AUBP 12.3700
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 ECAD 2267 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150 Mns2N2907AUBP Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N6351 Microchip Technology Jan2N6351 - - -
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 ECAD 5311 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/472 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 205AC, bis 33-4 Metall Kann 1 w To-33 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 5 a - - - NPN - Darlington 2,5 V @ 10ma, 5a 1000 @ 5a, 5v - - -
JANSF2N4449 Microchip Technology JANSF2N4449 129.0708
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 ECAD 2863 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 2N4449 360 MW To-46 (to-206ab) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
2N6079 Microchip Technology 2N6079 63.4350
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 ECAD 1982 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 45 w To-66 (to-213aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6079 Ear99 8541.29.0095 1 350 V 7 a - - - PNP 500 mV @ 200 µA, 1,2 mA - - - - - -
2N3635UB Microchip Technology 2N3635UB - - -
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 ECAD 1890 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1,5 w 3-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANSL2N2906AUB Microchip Technology JANSL2N2906AUB 148.2202
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 ECAD 6032 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N2906Aub 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANSM2N3700 Microchip Technology Jansm2N3700 32.9802
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 ECAD 2006 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N3700 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N5871 Microchip Technology 2n5871 63.9597
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 ECAD 4697 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2n5871 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75stg 164.9400
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 ECAD 2832 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTM50 MOSFET (Metalloxid) 357W Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 500V 46a 90 MOHM @ 23A, 10V 5 V @ 2,5 mA 123nc @ 10v 5600PF @ 25V - - -
JANTXV2N3637 Microchip Technology Jantxv2N3637 13.8320
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 ECAD 5192 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3637 1 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANTXV2N5795 Microchip Technology Jantxv2N5795 138.7610
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 ECAD 8805 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/496 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N5795 600 MW To-78-6 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N6689 Microchip Technology Jantxv2N6689 - - -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/537 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 3 w To-61 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 100 µA 100 µA Npn 5v @ 5a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
JANTXV2N4033UA Microchip Technology Jantxv2N4033UA 110.1905
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/512 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 500 MW Ua - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V - - -
JANTX2N2920L Microchip Technology JantX2N2920L - - -
RFQ
 ECAD 5548 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/355 Schüttgut Abgebrochen bei Sic 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2n2920 350 MW To-78-6 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 30 ma 10 µA (ICBO) 2 NPN (Dual) 300 mV @ 100 µA, 1 mA 300 @ 1ma, 5v - - -
JANSD2N3634UB/TR Microchip Technology JANSD2N3634UB/Tr - - -
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 ECAD 5268 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N4913 Microchip Technology 2N4913 60.8475
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 ECAD 4620 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N4913 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
JANTXV2N6353 Microchip Technology Jantxv2N6353 - - -
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/472 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N6353 2 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 5 a - - - NPN - Darlington 2,5 V @ 10ma, 5a 1000 @ 5a, 5v - - -
JANS2N3762L Microchip Technology JANS2N3762L - - -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/396 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 1,5 a 100 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mA, 1a 40 @ 500 mA, 1V - - -
JANS2N930 Microchip Technology JANS2N930 - - -
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/253 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N930 300 MW To-18 (to-206aa) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 45 V 30 ma 2na Npn 1 V @ 500 ähm 10 ma 100 @ 10 µA, 5 V - - -
APTGF25H120T1G Microchip Technology APTGF25H120T1G - - -
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 ECAD 3563 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp1 208 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter Npt 1200 V 40 a 3,7 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,65 NF @ 25 V.
JANHCC2N3501 Microchip Technology JanHCC2N3501 9.4962
RFQ
 ECAD 9387 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JanHCC2N3501 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N5958 Microchip Technology 2N5958 519.0900
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 ECAD 7901 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 175 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5958 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 20 a - - - PNP - - - - - - - - -
2N2432AUB/TR Microchip Technology 2N2432Aub/tr 20.3850
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 ECAD 9926 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 360 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N2432Aub/tr Ear99 8541.21.0095 100 45 V 100 ma 10na Npn 150 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 1ma, 5v - - -
JANSF2N2369A Microchip Technology JANSF2N2369A 126.4602
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2n2369a 360 MW To-18 (to-206aa) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400 na 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANTX2N2218A Microchip Technology JantX2N2218A 9.6292
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N2218 800 MW To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 10na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N3440UA Microchip Technology JantX2N3440UA - - -
RFQ
 ECAD 3027 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 800 MW Ua - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 250 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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