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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N5685 Microchip Technology 2N5685 80.5800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N5685 300 w To-204ad (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 50 a 500 ähm Npn 5v @ 10a, 50a 30 @ 5ma, 2v - - -
MSC017SMA120B Microchip Technology MSC017SMA120B 46.5600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MSC017SMA Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSC017SMA120B Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 113a (TC) 20V 22mohm @ 40a, 20V 2,7 V @ 4,5 Ma (Typ) 249 NC @ 20 V +22V, -10 V. 5280 PF @ 1000 V - - - 455W (TC)
JANS2N2219A Microchip Technology JANS2N2219A 64.6050
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N2219 800 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 50 v 800 mA 10na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
APTGL700DA120D3G Microchip Technology APTGL700DA120D3G 312.7200
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Aptgl700 3000 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 840 a 2,2 V @ 15V, 600A 5 Ma NEIN 37.2 NF @ 25 V.
APTGF25X120T3G Microchip Technology APTGF25X120T3G - - -
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 ECAD 7367 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg SP3 208 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) APTGF25X120T3GMP-ND Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Phase -wechselrichter Npt 1200 V 40 a 3,7 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,65 NF @ 25 V.
JANTX2N3507U4 Microchip Technology JantX2N3507U4 - - -
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 ECAD 8928 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/349 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 50 v 1 µA 1 µA Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 35 @ 500 mA, 1V - - -
JANSL2N3636UB/TR Microchip Technology JANSL2N3636UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N6192 Microchip Technology 2N6192 15.5610
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N6192 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3637L Microchip Technology JantX2N3637L 11.9700
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 ECAD 5636 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3637 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N2992 Microchip Technology 2n2992 27.6600
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 5 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n2992 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 1 a - - - PNP - - - - - - - - -
MX2N5114 Microchip Technology MX2N5114 77.5922
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 ECAD 1927 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N5114 500 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 P-Kanal 30 v 25pf @ 15V 30 v 90 mA @ 18 V. 10 V @ 1 na 75 Ohm
JAN2N4238 Microchip Technology Jan2N4238 39.7936
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 ECAD 1905 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/581 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N4238 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 100 mA, 1a 30 @ 250 mA, 1V - - -
MIC94051BM4 TR Microchip Technology MIC94051BM4 TR - - -
RFQ
 ECAD 2495 0.00000000 Mikrochip -technologie Symfet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa MOSFET (Metalloxid) SOT-143 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 6 v 1,8a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 160 MOHM @ 100 Ma, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 6v 600 PF @ 5,5 V. - - - 568 MW (TA)
APTM50AM38FTG Microchip Technology APTM50AM38FTG 159.4300
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTM50 MOSFET (Metalloxid) 694W Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Halbe Brücke) 500V 90a 45mohm @ 45a, 10V 5v @ 5ma 246nc @ 10v 11200PF @ 25V - - -
APT50M65JLL Microchip Technology APT50M65JLL 44.1500
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 ECAD 5375 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT50M65 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 58a (TC) 10V 65mohm @ 29a, 10V 5 V @ 2,5 mA 141 NC @ 10 V ± 30 v 7010 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
TP5322N8-G Microchip Technology TP5322N8-G 0,6400
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa TP5322 MOSFET (Metalloxid) To-243aa (SOT-89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 220 V 260 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 12OHM @ 200 Ma, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 110 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
JANS2N3500L Microchip Technology JANS2N3500L 54.3900
RFQ
 ECAD 7369 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N3765 Microchip Technology JANS2N3765 - - -
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/396 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 500 MW To-46 (to-206ab) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 1,5 a 100 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mA, 1a 40 @ 500 mA, 1V - - -
JAN2N2222AUB/TR Microchip Technology Jan2N2222AUB/Tr 5.3998
RFQ
 ECAD 1579 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-SMD, NIC die Standardmäßig 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N2222Aub/Tr Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSF2N2369AUBC Microchip Technology JANSF2N2369AUBC 305.8602
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2369a 360 MW 3-smd - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400 na 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANTX2N3635UB/TR Microchip Technology JantX2N3635UB/Tr 15.5610
RFQ
 ECAD 8259 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1,5 w 3-smd - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx2N3635UB/Tr Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N3726 Microchip Technology 2N3726 17.6550
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N372 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3726 1
JANSD2N2221AUB Microchip Technology JANSD2N2221AUB 150.4902
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N2221Aub 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N3763 Microchip Technology 2N3763 27.5443
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3763 500 MW To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 1,5 a 100na PNP 900mv @ 100 mA, 1a 20 @ 1,5a, 5V - - -
JANTX2N2919 Microchip Technology JantX2N2919 35.1918
RFQ
 ECAD 6962 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/355 Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose To-78-6 - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 60 v 30 ma - - - Npn - - - - - - - - -
JANTX2N3634UB/TR Microchip Technology JantX2N3634UB/Tr 22.2642
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
2C5337-MSCL Microchip Technology 2C5337-MSCL 9.6300
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C5337-MSCL 1
JANTXV2N3636UB Microchip Technology Jantxv2N3636UB 17.7023
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N3636 1,5 w 3-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
MSCSM120DAM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120DAM31CTBL1NG 118.9300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Sicfet (Silziumkarbid) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120DAM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 79a 20V 31mohm @ 40a, 20V 2,8 V @ 1ma 232 NC @ 20 V +25 V, -10 V 3020 PF @ 1000 V - - - 310W
SG2003J-883B Microchip Technology SG2003J-883B - - -
RFQ
 ECAD 4237 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch 16-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2003 - - - 16-cdip Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 50V 500 mA - - - 7 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350 mA, 2V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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