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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
SG2023L Microchip Technology SG2023L - - -
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-clcc SG2023 - - - 20-clcc (8,89 x 8,89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-SG2023L Ear99 8541.29.0095 50 95 V 500 mA - - - 7 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350 mA, 2V - - -
JANTX2N3439L Microchip Technology JantX2N3439L - - -
RFQ
 ECAD 3691 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 800 MW To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
JANTX2N333A Microchip Technology JantX2N333a - - -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 45 V - - - Npn - - - - - - - - -
JANTX2N3637UB Microchip Technology JantX2N3637UB - - -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1,5 w 3-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
ARF469BG Microchip Technology ARF469BG 70.8500
RFQ
 ECAD 1245 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv 500 V K. Loch To-264-3, to-264aa ARF469 45 MHz Mosfet To-264 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 30a 250 µA 350W 16 dB - - - 150 v
2N2369A Microchip Technology 2n2369a 3.9600
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 ECAD 559 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2n2369 360 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2n2369ams Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JAN2N3810 Microchip Technology Jan2N3810 - - -
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 ECAD 4731 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/336 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N3810 350 MW To-78-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
TP2640LG-G Microchip Technology TP2640LG-G 2.4900
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 ECAD 1 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TP2640 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.300 P-Kanal 400 V 86 Ma (TJ) 2,5 V, 10 V. 15ohm @ 300 mA, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 300 PF @ 25 V. - - - 740 MW (TA)
JAN2N6286 Microchip Technology Jan2N6286 57.0836
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 ECAD 1578 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/505 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 175 w To-204aa (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 2266-Jan2N6286 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma PNP - Darlington 3v @ 200 Ma, 20a 1500 @ 1a, 3V - - -
JANTX2N720A Microchip Technology JantX2N720A 10.1612
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/182 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N720 500 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 5v @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N2988 Microchip Technology 2n2988 27.6600
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 5 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n2988 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 1 a - - - PNP 800 mV @ 20 UA, 200 µA - - - - - -
JAN2N6678 Microchip Technology Jan2N6678 135.9659
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 ECAD 8514 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/538 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6678 6 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 15 a 1ma Npn 1v @ 3a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
2N4033UB Microchip Technology 2N4033UB - - -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V - - -
JANTXV2N333 Microchip Technology Jantxv2N333 - - -
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 45 V 10 ma - - - Npn - - - - - - - - -
MSC100SM70JCU2 Microchip Technology MSC100SM70JCU2 58.4100
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 ECAD 4207 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MSC100SM70JCU2 Sicfet (Silziumkarbid) SOT-227 (ISOTOP®) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSC100SM70JCU2 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 700 V 124a (TC) 20V 19Mohm @ 40a, 20V 2,4 V @ 4MA 215 NC @ 20 V +25 V, -10 V 4500 PF @ 700 V - - - 365W (TC)
JANTXV2N4238 Microchip Technology Jantxv2N4238 45.9249
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/581 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N4238 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 100 mA, 1a 30 @ 250 mA, 1V - - -
TP2540N8-G Microchip Technology TP2540N8-G 1.9400
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa TP2540 MOSFET (Metalloxid) To-243aa (SOT-89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 400 V 125 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 25ohm @ 100 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 125 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
VN1206L-G Microchip Technology VN1206L-G 2.1600
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) VN1206 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 120 v 230 Ma (TJ) 2,5 V, 10 V. 6OHM @ 500 mA, 10V 2V @ 1ma ± 30 v 125 PF @ 25 V. - - - 1W (TC)
MSCSM120DDUM31CTBL2NG Microchip Technology MSCSM120DDUM31CTBL2NG 296.3200
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 ECAD 5418 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 310W - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120DDUM31CTBL2NG Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal, Gemeinsame Quelle 1200V 79a 31mohm @ 40a, 20V 2,8 V @ 1ma 232nc @ 20V 3020pf @ 1000v - - -
2N3997 Microchip Technology 2N3997 273.7050
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-111-4, Stud 2 w To-111 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3997 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a 10 µA Npn 2v @ 500 mA, 5a 80 @ 1a, 2v - - -
JANTX2N2907AUA/TR Microchip Technology JantX2N2907AUA/Tr 20.6416
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2907 1,8 w Ua Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-g 0,5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 2N7000 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 200 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 1ma ± 30 v 60 PF @ 25 V - - - 1W (TC)
APTM100UM45FAG Microchip Technology APTM100UM45FAG 457.3533
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 ECAD 4543 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM100 MOSFET (Metalloxid) Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 215a (TC) 10V 52mohm @ 107,5a, 10V 5v @ 30 mA 1602 NC @ 10 V ± 30 v 42700 PF @ 25 V. - - - 5000W (TC)
JANSP2N5153 Microchip Technology JANSP2N5153 95.9904
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N5153 1 80 v 2 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
APTGL700DA120D3G Microchip Technology APTGL700DA120D3G 312.7200
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 ECAD 6574 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Aptgl700 3000 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 840 a 2,2 V @ 15V, 600A 5 Ma NEIN 37.2 NF @ 25 V.
JANSL2N3636UB/TR Microchip Technology JANSL2N3636UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N6192 Microchip Technology 2N6192 15.5610
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N6192 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
APTGF25X120T3G Microchip Technology APTGF25X120T3G - - -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg SP3 208 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) APTGF25X120T3GMP-ND Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Phase -wechselrichter Npt 1200 V 40 a 3,7 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,65 NF @ 25 V.
TP5322N8-G Microchip Technology TP5322N8-G 0,6400
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa TP5322 MOSFET (Metalloxid) To-243aa (SOT-89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 220 V 260 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 12OHM @ 200 Ma, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 110 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
JANS2N3765 Microchip Technology JANS2N3765 - - -
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/396 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 500 MW To-46 (to-206ab) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 1,5 a 100 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mA, 1a 40 @ 500 mA, 1V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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