SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N3743 Microchip Technology 2N3743 15.3482
RFQ
ECAD 7735 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3743 1 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 300 V 200 ma 250na (ICBO) PNP 1,2 V @ 3ma, 30 mA 50 @ 30 mA, 10V - - -
2N5416S Microchip Technology 2n5416s 30.2309
RFQ
ECAD 3980 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 750 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 300 V 50 µA 50 µA PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
APT20M120JCU3 Microchip Technology APT20M120JCU3 39.7700
RFQ
ECAD 2060 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT20M120 MOSFET (Metalloxid) SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 20A (TC) 10V 672mohm @ 14a, 10V 5 V @ 2,5 mA 300 NC @ 10 V. ± 30 v 7736 PF @ 25 V. - - - 543W (TC)
JANKCBP2N3440 Microchip Technology JANKCBP2N3440 - - -
RFQ
ECAD 3355 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbp2N3440 100 250 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
JANSP2N5002 Microchip Technology JANSP2N5002 - - -
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/534 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-210aa, to-59-4, Stud 2 w To-59 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 80 v 50 µA 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
JANTXV2N3772 Microchip Technology Jantxv2N3772 728.0000
RFQ
ECAD 7864 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/518 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 6 w To-3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 5 Ma 5ma Npn 4v @ 4a, 20a 15 @ 10a, 4V - - -
JANTXV2N5745 Microchip Technology Jantxv2N5745 731.5000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/433 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N5745 5 w To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 20 a 100 µA PNP 1v @ 1a, 10a 15 @ 10a, 2v - - -
MIC94031CYW Microchip Technology MIC94031CYW - - -
RFQ
ECAD 2150 0.00000000 Mikrochip -technologie TinyFet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - - - - - MOSFET (Metalloxid) - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 16 v 1a (ta) - - - 450MOHM @ 100 mA, 10V 1,4 V @ 250 ähm - - - - - - 568 MW (TA)
2N6251 Microchip Technology 2N6251 - - -
RFQ
ECAD 4409 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-204aa, to-3 2N6251 6 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 350 V 10 a 1ma Npn 1,5 V @ 1,67a, 10a 6 @ 10a, 3v - - -
JAN2N1717S Microchip Technology Jan2N1717S - - -
RFQ
ECAD 2960 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 100 v 750 Ma - - - Npn - - - - - - - - -
JANSP2N3810U Microchip Technology JANSP2N3810U 262.3106
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/336 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N3810 350 MW U - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N3810U 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
JANTX2N3500L Microchip Technology JantX2N3500L 14.4704
RFQ
ECAD 3485 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3500 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
TP5335K1-G-VAO Microchip Technology TP5335K1-G-VAO - - -
RFQ
ECAD 5577 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TP5335 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-TP5335K1-G-Vaotr Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 350 V 85 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 30ohm @ 200 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 110 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
JANTX2N3867U4 Microchip Technology JantX2N3867U4 159.0680
RFQ
ECAD 1952 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 3 a 100 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 40 @ 1,5a, 2V - - -
2N1613L Microchip Technology 2N1613L 19.3382
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N1613 800 MW To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 30 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N3507 Microchip Technology JantX2N3507 9.7223
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/349 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3507 1 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 50 v 3 a 1 µA Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 35 @ 500 mA, 1V - - -
JANTX2N2814 Microchip Technology JantX2N2814 - - -
RFQ
ECAD 1711 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud To-61 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 80 v 10 a - - - Npn - - - - - - - - -
JAN2N3763 Microchip Technology Jan2N3763 - - -
RFQ
ECAD 8432 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/396 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 1,5 a 10 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mA, 1a 20 @ 1a, 1,5 V. - - -
JANTX2N5415UA Microchip Technology JantX2N5415UA 197.5512
RFQ
ECAD 9093 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/485 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 750 MW Ua - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 200 v 50 µA 50 µA PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANSD2N2369AUA/TR Microchip Technology JANSD2N2369AUA/Tr 166.8512
RFQ
ECAD 2498 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2369a 360 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N2369AUA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
APT10045LLLG Microchip Technology APT10045lllg 26.5800
RFQ
ECAD 4617 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv K. Loch To-264-3, to-264aa APT10045 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 23a (TC) 450MOHM @ 11.5A, 10V 5 V @ 2,5 mA 154 NC @ 10 V. 4350 PF @ 25 V. - - -
JAN2N3700UB Microchip Technology Jan2N3700UB - - -
RFQ
ECAD 5623 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N3700 500 MW 3-UB (2,9x2,2) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 500 mA, 10V - - -
2N2270 Microchip Technology 2n2270 33.0372
RFQ
ECAD 9736 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-2N2270 1
TP2510N8-G Microchip Technology Tp2510n8-g 1.5400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa TP2510 MOSFET (Metalloxid) To-243aa (SOT-89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 100 v 480 Ma (TJ) 10V 3,5OHM @ 750 mA, 10 V. 2,4 V @ 1ma ± 20 V 125 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
JAN2N1613L Microchip Technology Jan2N1613L 103.7400
RFQ
ECAD 4389 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/181 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 800 MW To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 30 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N3499UB Microchip Technology Jan2N3499UB 20.4687
RFQ
ECAD 4707 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N3499UB Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N5665 Microchip Technology JantX2N5665 31.1619
RFQ
ECAD 3034 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/455 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2n5665 2,5 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 5 a 200na Npn 1v @ 1a, 5a 25 @ 1a, 5V - - -
SG2821L-DESC Microchip Technology SG2821L-DESC - - -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-clcc SG2821 - - - 20-clcc (8,89 x 8,89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-SG2821L-DESC Ear99 8541.29.0095 50 95 V 500 mA - - - 8 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350 mA, 2V - - -
JANSR2N2906AUB/TR Microchip Technology JANSR2N2906AUB/Tr 148.3202
RFQ
ECAD 4147 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N2906 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N2906Aub/tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N6546T1 Microchip Technology 2N6546T1 349.2000
RFQ
ECAD 4788 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 175 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6546T1 Ear99 8541.29.0095 1 300 V 15 a - - - Npn 5v @ 3a, 15a 12 @ 5a, 2v - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus