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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N3743 | 15.3482 | ![]() | 7735 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3743 | 1 w | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 200 ma | 250na (ICBO) | PNP | 1,2 V @ 3ma, 30 mA | 50 @ 30 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||
2n5416s | 30.2309 | ![]() | 3980 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 750 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 50 µA | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | APT20M120JCU3 | 39.7700 | ![]() | 2060 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos 8 ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT20M120 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 20A (TC) | 10V | 672mohm @ 14a, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 300 NC @ 10 V. | ± 30 v | 7736 PF @ 25 V. | - - - | 543W (TC) | ||||||||||
JANKCBP2N3440 | - - - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcbp2N3440 | 100 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N5002 | - - - | ![]() | 8702 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/534 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 2 w | To-59 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 50 µA | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3772 | 728.0000 | ![]() | 7864 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/518 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 6 w | To-3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 Ma | 5ma | Npn | 4v @ 4a, 20a | 15 @ 10a, 4V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N5745 | 731.5000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/433 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N5745 | 5 w | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 20 a | 100 µA | PNP | 1v @ 1a, 10a | 15 @ 10a, 2v | - - - | ||||||||||||||
![]() | MIC94031CYW | - - - | ![]() | 2150 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | TinyFet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - - - | - - - | MOSFET (Metalloxid) | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 16 v | 1a (ta) | - - - | 450MOHM @ 100 mA, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | - - - | - - - | 568 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | 2N6251 | - - - | ![]() | 4409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N6251 | 6 w | To-204aa (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 10 a | 1ma | Npn | 1,5 V @ 1,67a, 10a | 6 @ 10a, 3v | - - - | |||||||||||||||
Jan2N1717S | - - - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 750 Ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N3810U | 262.3106 | ![]() | 5377 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N3810 | 350 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N3810U | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | JantX2N3500L | 14.4704 | ![]() | 3485 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3500 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||
![]() | TP5335K1-G-VAO | - - - | ![]() | 5577 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TP5335 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-TP5335K1-G-Vaotr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 350 V | 85 Ma (TJ) | 4,5 V, 10 V. | 30ohm @ 200 mA, 10V | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 110 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||
![]() | JantX2N3867U4 | 159.0680 | ![]() | 1952 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 40 @ 1,5a, 2V | - - - | ||||||||||||||||
2N1613L | 19.3382 | ![]() | 7456 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N1613 | 800 MW | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | JantX2N3507 | 9.7223 | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3507 | 1 w | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 3 a | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 35 @ 500 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||
![]() | JantX2N2814 | - - - | ![]() | 1711 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | To-61 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 10 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
Jan2N3763 | - - - | ![]() | 8432 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/396 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 1a, 1,5 V. | - - - | |||||||||||||||||
![]() | JantX2N5415UA | 197.5512 | ![]() | 9093 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 750 MW | Ua | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 50 µA | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | JANSD2N2369AUA/Tr | 166.8512 | ![]() | 2498 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2369a | 360 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2369AUA/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||
APT10045lllg | 26.5800 | ![]() | 4617 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT10045 | MOSFET (Metalloxid) | To-264 [l] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1000 v | 23a (TC) | 450MOHM @ 11.5A, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 154 NC @ 10 V. | 4350 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||
![]() | Jan2N3700UB | - - - | ![]() | 5623 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/391 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N3700 | 500 MW | 3-UB (2,9x2,2) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||
![]() | 2n2270 | 33.0372 | ![]() | 9736 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2270 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tp2510n8-g | 1.5400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | TP2510 | MOSFET (Metalloxid) | To-243aa (SOT-89) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 480 Ma (TJ) | 10V | 3,5OHM @ 750 mA, 10 V. | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 125 PF @ 25 V. | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||
![]() | Jan2N1613L | 103.7400 | ![]() | 4389 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/181 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 800 MW | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Jan2N3499UB | 20.4687 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan2N3499UB | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | JantX2N5665 | 31.1619 | ![]() | 3034 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/455 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2n5665 | 2,5 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 5 a | 200na | Npn | 1v @ 1a, 5a | 25 @ 1a, 5V | - - - | ||||||||||||||
![]() | SG2821L-DESC | - - - | ![]() | 8500 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 20-clcc | SG2821 | - - - | 20-clcc (8,89 x 8,89) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-SG2821L-DESC | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 95 V | 500 mA | - - - | 8 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||||||||||
![]() | JANSR2N2906AUB/Tr | 148.3202 | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2906 | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2906Aub/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||
![]() | 2N6546T1 | 349.2000 | ![]() | 4788 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 175 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6546T1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 15 a | - - - | Npn | 5v @ 3a, 15a | 12 @ 5a, 2v | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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