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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JANSD2N2218A Microchip Technology JANSD2N2218A 114.6304
RFQ
 ECAD 2041 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N2218A 1 50 v 800 mA 10na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MV2N4092UB/TR Microchip Technology Mv2N4092UB/Tr 92.4882
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-MV2N4092UB/Tr 1 N-Kanal
2N3420S Microchip Technology 2N3420S 17.7422
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3420 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 40 @ 1a, 2v - - -
HS2369A Microchip Technology HS2369A - - -
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv HS2369 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1
JANTXV2N5154L Microchip Technology Jantxv2N5154L - - -
RFQ
 ECAD 7437 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
JANSR2N2484UB Microchip Technology JANSR2N2484UB 70.4104
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 ECAD 9876 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - - - - - - - 2N2484 - - - - - - UnberÜHrt Ereichen JANSR2N2484UBMS Ear99 8541.21.0095 1 - - - - - - - - - - - - - - -
JANKCCP2N3500 Microchip Technology JankCCP2N3500 - - -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccp2N3500 100 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N5685 Microchip Technology JantX2N5685 - - -
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 ECAD 6902 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/464 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 300 w To-3 (to-204aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 50 a 500 ähm Npn 5v @ 10a, 50a 15 @ 25a, 2v - - -
2N5623 Microchip Technology 2N5623 74.1300
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 ECAD 7599 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 116 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5623 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - - - PNP - - - - - - - - -
SG2823L-DESC Microchip Technology SG2823L-DESC - - -
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 ECAD 7343 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-clcc SG2823 - - - 20-clcc (8,89 x 8,89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-SG2823L-DESC Ear99 8541.29.0095 50 95 V 500 mA - - - 8 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA - - - - - -
2C3421-PI Microchip Technology 2C3421-pi 5.4750
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 ECAD 6201 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C3421-PI 1
JANTX2N5796U Microchip Technology JantX2N5796U - - -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/496 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N5796 600 MW 6-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N2946AUB Microchip Technology 2N2946AUB 26.4200
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 ECAD 100 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N2946 400 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 35 V 100 ma 10 µA (ICBO) PNP - - - 50 @ 1ma, 500mV - - -
JANKCBR2N2222A Microchip Technology JANKCBR2N2222A - - -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbr2N2222A Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N333T2 Microchip Technology Jan2N333T2 - - -
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 45 V 10 ma - - - Npn - - - - - - - - -
JANSM2N2906A Microchip Technology JANSM2N2906A 99.9500
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2906a 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N5874 Microchip Technology 2n5874 41.7354
RFQ
 ECAD 4707 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2n5874 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
JANSF2N2484 Microchip Technology JANSF2N2484 60.8602
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/376 Tablett Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N2484 To-18 (to-206aa) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 60 v 50 ma 2na Npn 300 mV @ 100 µA, 1 mA 225 @ 10ma, 5V - - -
JANS2N3498L Microchip Technology JANS2N3498L 54.3900
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150N3-G-P002 0,6800
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) Lnd150 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 500 V 30 Ma (TJ) 0V 1000 OHM @ 500 µA, 0V - - - ± 20 V 10 PF @ 25 V. Depletion -modus 740 MW (TA)
JANSR2N3636UB/TR Microchip Technology JANSR2N3636UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N3636UB/Tr Ear99 8541.29.0095 1 175 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N6341 Microchip Technology 2N6341 67.2980
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 200 w To-3 - - - UnberÜHrt Ereichen 2N6341m Ear99 8541.29.0095 1 150 v 50 µA 50 µA Npn 1,8 V @ 2,5a, 25a 30 @ 10a, 2v - - -
JANSD2N3810U/TR Microchip Technology JANSD2N3810U/Tr 342.8814
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/336 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N3810 350 MW 6-smd - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N3810U/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
2N6513 Microchip Technology 2N6513 78.7200
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 120 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6513 Ear99 8541.29.0095 1 350 V 7 a - - - Npn - - - - - - - - -
APT50M75LFLLG Microchip Technology APT50M75LFllG 21.5000
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 ECAD 1424 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv K. Loch To-264-3, to-264aa APT50M75 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 57a (TC) 75mohm @ 28.5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 125 NC @ 10 V 5590 PF @ 25 V. - - -
2N5875 Microchip Technology 2N5875 41.7354
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N5875 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
MSCSM170AM039CT6AG Microchip Technology MSCSM170AM039CT6AG 1.0000
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM170 Silziumkarbid (sic) 2,4 kW (TC) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM170AM039CT6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n -kanal (Phasenbein) 1700 V (1,7 kV) 523a (TC) 5mohm @ 270a, 20V 3,3 V @ 22,5 mA 1602nc @ 20V 29700PF @ 1000V - - -
2N5345 Microchip Technology 2N5345 34.6800
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5345 1
APT30F50B Microchip Technology APT30F50B 5.3600
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT30F50 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 30a (TC) 10V 190mohm @ 14a, 10V 5v @ 1ma 115 NC @ 10 V ± 30 v 4525 PF @ 25 V. - - - 415W (TC)
JANTXV2N3499L Microchip Technology Jantxv2N3499L 15.7871
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3499 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 1,4 V @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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