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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | Jan2N930UB | - - - | ![]() | 5779 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/253 | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N930 | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 30 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT1204R7SFllg | 11.7400 | ![]() | 9575 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | APT1204 | MOSFET (Metalloxid) | D3 [s] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 3,5a (TC) | 4,7OHM @ 1,75A, 10V | 5v @ 1ma | 31 NC @ 10 V | 715 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4449UB/Tr | 25.7700 | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 400 MW | UB | - - - | 100 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N5666U3 | 1.0000 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/455 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, flaches blei | 2N5666 | 1,5 w | U3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | Npn | 1v @ 1a, 5a | 40 @ 1a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
Jan2n3250a | - - - | ![]() | 2396 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/323 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3250 | 360 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SG2821J-DESC | - - - | ![]() | 7302 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | SG2821 | - - - | 18-Cerdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-SG2821J-DESC | Ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 95 V | 500 mA | - - - | 8 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
MSC035SMA070S | 15.9800 | ![]() | 3045 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | MSC035 | Sicfet (Silziumkarbid) | D3pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | N-Kanal | 700 V | 65a (TC) | 20V | 44mohm @ 30a, 20V | 2,7 V @ 1ma | 99 NC @ 20 V | +23 V, -10 V | 2010 PF @ 700 V | - - - | 206W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N3440L | 233.7316 | ![]() | 7136 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 800 MW | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3440L | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
APT12067LFllg | 33.9300 | ![]() | 3869 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT12067 | MOSFET (Metalloxid) | To-264 [l] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 18a (TC) | 670Mohm @ 9a, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 150 NC @ 10 V. | 4420 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N2369AU/Tr | 130.2802 | ![]() | 4732 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 500 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N2369AU/Tr | 50 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MQ2N4860UB | 80.7975 | ![]() | 5859 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/385 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 360 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MQ2N4860UB | 1 | N-Kanal | 30 v | 18pf @ 10v | 30 v | 20 mA @ 15 V | 2 V @ 500 PA | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV2N5116UB | 95.6403 | ![]() | 6679 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MV2N5116UB | 1 | P-Kanal | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 V | 1 V @ 1 na | 175 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MQ2N4861UB | 80.7975 | ![]() | 4007 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/385 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 360 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MQ2N4861UB | 1 | N-Kanal | 30 v | 18pf @ 10v | 30 v | 8 ma @ 15 V | 800 MV @ 500 PA | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
Jansm2N3499 | 41.5800 | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3499 | 1 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3724L | 15.6541 | ![]() | 5447 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3724 | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N5151U3 | 229.9812 | ![]() | 7770 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,16 w | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N5151U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansm2N3635UB | 147.1604 | ![]() | 9234 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 1,5 w | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N4449 | 12.7015 | ![]() | 5124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2N4449 | 360 MW | To-46 (to-206ab) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3634L | - - - | ![]() | 7180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT35A120T1G | 57.4906 | ![]() | 4889 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | Aptgt35 | 208 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 55 a | 2,1 V @ 15V, 35a | 250 µA | Ja | 2,5 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70AM025T6AG | 630.0600 | ![]() | 2214 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM70 | Silziumkarbid (sic) | 1.882 kW (TC) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM70AM025T6AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n -kanal (Phasenbein) | 700V | 689a (TC) | 3,2 MOHM @ 240A, 20V | 2,4 V @ 24 Ma | 1290nc @ 20V | 27000PF @ 700V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N3499U4/Tr | - - - | ![]() | 6180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N3499U4/Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
JantX2N3637 | 11.4513 | ![]() | 9870 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3637 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6303 | 164.2200 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6303 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 1 µA | PNP | 750 MV @ 150 Ma, 1,5a | 35 @ 500 mA, 1V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MNSKC2N2907A | 8.5253 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mnskc2n2907a | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VRF152GMP | 356.1300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | VRF152 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-VRF152GMP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2907AUBC | 28.6950 | ![]() | 9525 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2907AUBC | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n329a | 65.1035 | ![]() | 1492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT6038Bfllg | 10.5300 | ![]() | 6337 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | APT6038 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 17a (TC) | 380MOHM @ 8.5A, 10V | 5v @ 1ma | 43 NC @ 10 V | 1850 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5880 | 37.0050 | ![]() | 6524 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C5880 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus