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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
MSC40SM120JCU2 Microchip Technology MSC40SM120JCU2 45.0700
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 ECAD 5301 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MSC40SM120 Sicfet (Silziumkarbid) SOT-227 (ISOTOP®) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSC40SM120JCU2 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 55a (TC) 20V 50mohm @ 40a, 20V 2,7 V @ 1ma 137 NC @ 20 V +25 V, -10 V 1990 PF @ 1000 V. - - - 245W (TC)
2N3019SP Microchip Technology 2n3019sp 27.0002
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 ECAD 8812 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n3019sp Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N6560 Microchip Technology 2N6560 148.1850
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 ECAD 2009 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 125 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6560 Ear99 8541.29.0095 1 450 V 10 a - - - Npn - - - - - - - - -
JANSH2N2369AUB/TR Microchip Technology JANSH2N2369AUB/Tr 357.8820
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 ECAD 1823 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 400 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansH2N2369AUB/Tr 50 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 40 @ 10 Ma, 1V - - -
2N3506AL Microchip Technology 2n3506al 12.2626
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 ECAD 6606 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3506 1 w To-5aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 3 a 1 µA Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 50 @ 500 mA, 1V - - -
JANSL2N3634 Microchip Technology JANSL2N3634 - - -
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 ECAD 5267 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANKCBM2N2222A Microchip Technology Jankcbm2N2222a - - -
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 ECAD 7371 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbm2N2222a 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSL2N3810 Microchip Technology JANSL2N3810 198.9608
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 ECAD 3899 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 /336 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N3810 350 MW To-78-6 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N3810 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
JAN2N6298 Microchip Technology Jan2N6298 29.8984
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 ECAD 6443 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/540 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N6298 64 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 8 a 500 ähm PNP - Darlington 2v @ 80 Ma, 8a 750 @ 4a, 3v - - -
APTGT150A60T3AG Microchip Technology APTGT150A60T3AG 105.0300
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 ECAD 1279 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 APTGT150 600 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 600 V 225 a 1,9 V @ 15V, 150a 250 µA Ja 9.2 NF @ 25 V.
JANSL2N2369AUBC/TR Microchip Technology JANSL2N2369AUBC/Tr 252.7000
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 ECAD 4437 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 360 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N2369AUBC/Tr 50 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANHCB2N2906A Microchip Technology JanHCB2N2906A 17.1570
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 ECAD 6102 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N2906 500 MW To-18 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JanHCB2N2906A Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
APTGL475U120DAG Microchip Technology APTGL475U120DAG 246.7920
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgl475 2307 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 610 a 2,2 V @ 15V, 400a 4 ma NEIN 24.6 NF @ 25 V.
JANSF2N5154U3/TR Microchip Technology JANSF2N5154U3/Tr 245.2712
RFQ
 ECAD 8534 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 (SMD-0,5) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N5154U3/Tr Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
APTGT50SK120TG Microchip Technology APTGT50SK120TG 83,4000
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTGT50 277 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.6 NF @ 25 V
JAN2N2907AUA/TR Microchip Technology Jan2N2907AUA/Tr 19.0190
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N2907AUA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N2221AUA/TR Microchip Technology Jantxv2N2221AUA/Tr 26.7596
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 650 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N2221AUA/Tr 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
HS2222ATX Microchip Technology HS2222ATX 10.3474
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 ECAD 8371 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1
JANS2N930UB/TR Microchip Technology JANS2N930UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/253 Band & Rollen (TR) Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N930 UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N930UB/Tr 1 45 V 30 ma - - - Npn - - - - - - - - -
2C6287-MSCL Microchip Technology 2C6287-MSCL 33.2700
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 ECAD 2170 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C6287-MSCL 1
APTM20AM10FTG Microchip Technology APTM20AM10ftG 147.6100
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 ECAD 5362 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTM20 MOSFET (Metalloxid) 694W Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Halbe Brücke) 200V 175a 12mohm @ 87,5a, 10V 5v @ 5ma 224nc @ 10v 13700pf @ 25v - - -
JANTX2N3764 Microchip Technology JantX2N3764 - - -
RFQ
 ECAD 4740 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/396 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 500 MW To-46 (to-206ab) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40 v 1,5 a 10 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mA, 1a 30 @ 1a, 1,5 V. - - -
2C2432 Microchip Technology 2C2432 6.9150
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C2432 1
APT84F50L Microchip Technology APT84F50L 15.9300
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT84F50 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 84a (TC) 10V 65mohm @ 42a, 10V 5 V @ 2,5 mA 340 nc @ 10 v ± 30 v 13500 PF @ 25 V. - - - 1135W (TC)
JANSL2N2222AUB/TR Microchip Technology JANSL2N2222AUB/Tr 181.0950
RFQ
 ECAD 4627 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 150-Jansl2N2222AUB/Tr 50
APT20GT60BRG Microchip Technology APT20GT60BRG - - -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 Mikrochip -technologie Thunderbolt IGBT® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT20GT60 Standard 174 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 20a, 5ohm, 15 V. Npt 600 V 43 a 80 a 2,5 V @ 15V, 20a 215 µJ (EIN), 245 µJ (AUS) 100 nc 8ns/80ns
VP0104N3-G Microchip Technology VP0104N3-G 1.0200
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 ECAD 978 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) VP0104 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 40 v 250 Ma (TJ) 5v, 10V 8ohm @ 500 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 60 PF @ 25 V - - - 1W (TC)
APT6013JFLL Microchip Technology APT6013JFll 40.3900
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 ECAD 9012 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT6013 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 39a (TC) 130mohm @ 19.5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 130 nc @ 10 v 5630 PF @ 25 V. - - -
MNS2N2907AUBP/TR Microchip Technology MNS2N2907AUBP/Tr 12.6500
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150 Mns2N2907AUBP/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N7372 Microchip Technology 2N7372 324,9000
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 ECAD 9762 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa 4 w To-254aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N7372 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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