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Transistoren (5714)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jansr2N7373 | 1.0000 |  | 7434 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/613 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa | 4 w | To-254aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N7373 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||
 | Jankcdr2N5154 | - - - | | 5375 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcdr2N5154 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||
 | APL502B2G | 55.1100 | | 7624 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APL502 | MOSFET (Metalloxid) | T-Max ™ [B2] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 58a (TC) | 15 v | 90 MOHM @ 29A, 12V | 4v @ 2,5 mA | ± 30 v | 9000 PF @ 25 V. | - - - | 730 W (TC) | ||||||||||||
 | JANSR2N2369AUB/Tr | 212.5108 | | 6311 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2n2369a | 360 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2369Aub/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||
| 2C2369A-MSCL | 5.2950 | | 5252 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C2369A-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT5014Sllg | 15.9500 | | 5598 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | APT5014 | MOSFET (Metalloxid) | D3 [s] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 35a (TC) | 10V | 140MOHM @ 17.5a, 10V | 5v @ 1ma | 72 NC @ 10 V | ± 30 v | 3261 PF @ 25 V. | - - - | 403W (TC) | |||||||||||
 | 2N3741U4 | 78.4966 | | 1933 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 25 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600 MV @ 1,25 mA, 1a | 30 @ 250 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||
| MSCSM170HRM233AG | 257.3200 | | 2581 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Silziumkarbid (sic) | 602W (TC), 395W (TC) | - - - | - - - | 150-MSCSM170HRM233AG | 1 | 4 N-Kanal (Drei-Level-Wechselrichter) | 1700 V (1,7 kV), 1200 V (1,2 kV) | 124a (TC), 89a (TC) | 22.5mohm @ 60A, 20V, 31MOHM @ 40A, 20V | 3,2 V @ 5ma, 2,8 V @ 3ma | 356NC @ 20V, 232NC @ 20V | 6600PF @ 1000V, 3020pf @ 1000V | Silziumkarbid (sic) | ||||||||||||||||||
 | APT43F60L | 12.9200 | | 4091 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos 8 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT43F60 | MOSFET (Metalloxid) | To-264 [l] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 45a (TC) | 10V | 150MOHM @ 21A, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 215 NC @ 10 V | ± 30 v | 8590 PF @ 25 V. | - - - | 780W (TC) | |||||||||||
 | JANS2N2484UB/Tr | 58.6504 | | 6027 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/376 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2484 | 360 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N2484UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 2na | Npn | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 250 @ 1ma, 5v | - - - | |||||||||||||||
| JanHCB2N5004 | 49.6622 | | 8759 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/534 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | Sterben | 2 w | Sterben | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 µA | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| JANSL2N5152U3 | 229.9812 | | 9300 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U3 (SMD-0,5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N5152U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||
 | Jansr2N3810 | 198.9608 | | 2356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| Jan2N6987U | 57.6821 | | 4589 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/558 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N6987 | 1W | 6-smd | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
 | DN2470K4-G | 1.0600 | | 5684 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DN2470 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 700 V | 170 Ma (TJ) | 0V | 42OHM @ 100 mA, 0V | - - - | ± 20 V | 540 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 2,5 W (TA) | ||||||||||||
 | APT7M120B | 5.7100 | | 1067 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT7M120 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 8a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 3a, 10V | 5v @ 1ma | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 2565 PF @ 25 V. | - - - | 335W (TC) | |||||||||||
| JANS2N5415UA/Tr | - - - | | 1548 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N5415UA/Tr | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| JANSM2N3700UB/TR | 40.3302 | | 6208 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/391 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N3700 | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3700UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||
| 2N998 | 37.7400 | | 2326 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2n99 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N998 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N3501 | 41.5800 | | 8422 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3501 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||
 | JantX2N6385 | 57.2565 | | 2713 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/523 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 6 w | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 1ma (ICBO) | NPN - Darlington | 3v @ 100 mA, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - - - | ||||||||||||||||||
 | APT77N60SC6 | 14.4500 | | 8181 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Coolmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | APT77N60 | MOSFET (Metalloxid) | D3pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 77a (TC) | 10V | 41mohm @ 44.4a, 10V | 3,6 V @ 2,96 mA | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 13600 PF @ 25 V. | - - - | 481W (TC) | |||||||||||
| 2N6188 | 287.8650 | | 6179 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 60 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6188 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 a | - - - | PNP | 1,2 V @ 100 µA, 2 mA | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| Jantxv2N2222Aub/tr | 6.8894 | | 6866 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N2222AUB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
| JantX2N3765U4 | - - - | | 1014 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/396 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1,5 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 500 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||
| JANKCCR2N5151 | - - - | | 2472 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankccr2N5151 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||
 | 2N3810U | 38.2700 | | 100 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||||||||
| JantX2N7370 | - - - | | 6409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/624 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | 2N7370 | 100 w | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 12 a | 1ma | NPN - Darlington | 3v @ 120 mA, 12a | 1000 @ 6a, 3v | - - - | |||||||||||||||
| 2N3918 | 78.7200 | | 9715 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 20 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3918 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 2 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| Jantxv2N3440UA | 189.7910 | | 4928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 800 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 2 µA | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - |
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