SIC
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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N3751 Microchip Technology 2N3751 273.7050
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-111-4, Stud 30 w To-111 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3751 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
APTC60HM70RT3G Microchip Technology APTC60HM70RT3G 99.0200
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 Mikrochip -technologie Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) SP3 Aptc60 MOSFET (Metalloxid) 250W SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 n-kanal (Halbe Brücke) + Brückegleichrichter 600V 39a 70 MOHM @ 39A, 10V 3,9 V @ 2,7 mA 259nc @ 10v 7000PF @ 25v - - -
JANTXV2N6690 Microchip Technology Jantxv2N6690 - - -
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/537 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 3 w To-61 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 100 µA 100 µA Npn 5v @ 5a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
JAN2N6676 Microchip Technology Jan2n6676 136.0058
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/538 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6676 6 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 15 a 1ma Npn 1v @ 3a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
2N2369AUA Microchip Technology 2n2369aua - - -
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd 360 MW Smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
VRF150 Microchip Technology VRF150 68.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Kasten Aktiv 170 v M174 VRF150 150 MHz Mosfet M174 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 1ma 250 Ma 150W 11db - - - 50 v
APT17F100S Microchip Technology APT17F100S 11.0300
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 ECAD 6839 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT17F100 MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 17a (TC) 10V 780MOHM @ 9A, 10V 5v @ 1ma 150 NC @ 10 V. ± 30 v 4845 PF @ 25 V. - - - 625W (TC)
JAN2N3767 Microchip Technology Jan2N3767 26.9724
RFQ
 ECAD 9987 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/518 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N3767 25 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 4 a 500 ähm Npn 2,5 V @ 100 Ma, 1a 40 @ 500 mA, 5V - - -
JANSM2N2907AUB Microchip Technology JANSM2N2907AUB 59.0304
RFQ
 ECAD 9005 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2907Aub 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N6301 Microchip Technology Jantxv2N6301 39.5675
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/539 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N6301 75 w To-66 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500 ähm PNP - Darlington 3v @ 80 Ma, 8a 750 @ 4a, 3v - - -
JANTXV2N6050 Microchip Technology Jantxv2N6050 92.0360
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N6050 1
JAN2N656S Microchip Technology Jan2n656s - - -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 60 v 200 ma - - - Npn - - - - - - - - -
JAN2N3999 Microchip Technology Jan2N3999 127.8130
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/374 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg To-210aa, to-59-4, Stud 2N3999 2 w To-59 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a 10 µA Npn 2v @ 500 mA, 5a 80 @ 1a, 2v - - -
JAN2N2920L Microchip Technology Jan2n2920l 30.6432
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/355 Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2n2920 350 MW To-78-6 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 30 ma 10 µA (ICBO) 2 NPN (Dual) 300 mV @ 100 µA, 1 mA 300 @ 1ma, 5v - - -
TN0620N3-G-P002 Microchip Technology TN0620N3-G-P002 1.7300
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) TN0620 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 200 v 250 Ma (TJ) 5v, 10V 6OHM @ 500 mA, 10V 1,6 V @ 1ma ± 20 V 150 PF @ 25 V. - - - 1W (TC)
DN2540N3-G Microchip Technology DN2540N3-G 0,9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) DN2540 MOSFET (Metalloxid) To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 400 V 120 Ma (TJ) 0V 25ohm @ 120 mA, 0V - - - ± 20 V 300 PF @ 25 V. Depletion -modus 1W (TC)
MSR2N2369A Microchip Technology MSR2N2369A - - -
RFQ
 ECAD 7303 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSR2N2369A 100
VN10KN3-G-P013 Microchip Technology VN10KN3-G-P013 0,5400
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads VN10KN3 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 310 Ma (TJ) 5v, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 1ma ± 30 v 60 PF @ 25 V - - - 1W (TC)
2N6325 Microchip Technology 2N6325 836.8360
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 ECAD 4820 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211mb, to-63-4, Stud 350 w To-63 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 30 a - - - PNP - - - - - - - - -
JAN2N656 Microchip Technology Jan2n656 - - -
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose To-5 - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 60 v 200 ma - - - Npn - - - - - - - - -
JANKCAL2N3634 Microchip Technology Jankcal2N3634 - - -
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcal2N3634 100 140 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANTXV2N5153P Microchip Technology Jantxv2N5153p 22.4105
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N5153p 1 80 v 2 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
2N6686 Microchip Technology 2N6686 755.0400
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 200 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6686 Ear99 8541.29.0095 1 160 v 25 a - - - Npn 1,5 V @ 2,5 mA, 10 mA - - - - - -
JANSD2N3057A Microchip Technology JANSD2N3057A 127.0302
RFQ
 ECAD 9561 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 500 MW To-46 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N3057A 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N3250AUB Microchip Technology JantX2N3250Aub - - -
RFQ
 ECAD 5407 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/323 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N3250 360 MW UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 200 ma 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 10 ma, 1V - - -
JAN2N6547 Microchip Technology Jan2N6547 46.3004
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/525 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6547 175 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 15 a - - - Npn 5v @ 3a, 15a 12 @ 5a, 2v - - -
JAN2N3867U4 Microchip Technology Jan2N3867U4 145.2360
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 3 a 100 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 40 @ 1,5a, 2V - - -
2N3621 Microchip Technology 2N3621 547.4100
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 30 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3621 Ear99 8541.29.0095 1 40 v 5 a - - - Npn - - - - - - - - -
JANSR2N3636UB Microchip Technology JANSR2N3636UB - - -
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
APT30M36LLLG Microchip Technology APT30M36lllg 28.9400
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv K. Loch To-264-3, to-264aa APT30M36 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 300 V 84a (TC) 36mohm @ 42a, 10V 5 V @ 2,5 mA 115 NC @ 10 V 6480 PF @ 25 V. - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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