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Transistoren (5714)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSCSM120AM50CT1AG | 89.7600 |  | 1 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM120 | Silziumkarbid (sic) | 245W (TC) | Sp1f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM120AM50CT1AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n -kanal (Phasenbein) | 1200 V (1,2 kV) | 55a (TC) | 50mohm @ 40a, 20V | 2,7 V @ 1ma | 137nc @ 20V | 1990pf @ 1000v | - - - | ||||||||||||||||||||
 | Jan2N335LT2 | - - - | | 2608 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | JantX2N2605UB/Tr | - - - | | 8633 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/354 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2605 | 400 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N2605UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10na | PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 150 @ 500 µA, 5 V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | 2N6276 | 92.0892 | | 2017 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6276 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCMC120AM02CT6LIAG | - - - | | 8444 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCMC120 | Silziumkarbid (sic) | 3200W (TC) | Sp6c li | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCMC120AM02CT6LIAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n -kanal (Phasenbein) | 1200 V (1,2 kV) | 742a (TC) | 2,85 MOHM @ 600A, 20V | 4v @ 180 mA | 1932nc @ 20V | 33500PF @ 1000V | - - - | ||||||||||||||||||||||
| 2n2879 | 255.5700 | | 3850 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-111-4, Stud | 30 w | To-111 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2n2879 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - - - | Npn | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | APT8014L2LLG | 48.2204 | | 9076 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT8014 | MOSFET (Metalloxid) | 264 Max ™ [L2] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 800 V | 52a (TC) | 140MOHM @ 26a, 10V | 5v @ 5ma | 285 NC @ 10 V | 7238 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | Jan2N3735 | 8.3657 | | 1184 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/395 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3735 | 1 w | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 900mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 1a, 1,5 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N6546 | - - - | | 8825 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/525 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 175 w | To-204aa (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 15 a | - - - | Npn | 5v @ 3a, 15a | 12 @ 5a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N3439 | 20.8145 | | 4017 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3439 | 800 MW | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | APT1003RSLLG | 9.9500 | | 5564 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | APT1003 | MOSFET (Metalloxid) | D3 [s] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1000 v | 4a (TC) | 3OHM @ 2a, 10V | 5v @ 1ma | 34 NC @ 10 V. | 694 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||
| JANSL2N5154 | 95.9904 | | 6884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N5154 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| APTC90SKM60CT1G | - - - | | 8839 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Coolmos ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | MOSFET (Metalloxid) | Sp1 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 900 V | 59a (TC) | 10V | 60MOHM @ 52A, 10V | 3,5 V @ 6ma | 540 NC @ 10 V | ± 20 V | 13600 PF @ 100 V | - - - | 462W (TC) | |||||||||||||||||||||
| 2C4240 | 22.4700 | | 9267 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C4240 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JantX2N5157 | 64.7311 | | 6255 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/371 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N5157 | 5 w | To-204aa (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 3.5 a | 250 µA | Npn | 2,5 V @ 700 Ma, 3,5a | 30 @ 1a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| MSCSM70DUM07T3AG | 283.3800 | | 9131 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM70 | Silziumkarbid (sic) | 988W (TC) | SP3f | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM70DUM07T3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 700V | 353a (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2,4 V @ 12 Ma | 645nc @ 20V | 13500PF @ 700V | - - - | ||||||||||||||||||||
 | APT8052Bfllg | 15.8300 | | 5810 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | APT8052 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 520mohm @ 7.5a, 10V | 5v @ 1ma | 75 NC @ 10 V | 2035 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||
| JANSF2N2907AUA | 157.5000 | | 7788 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 500 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansf2N2907AUA | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| MSR2N2907AUBC | - - - | | 7833 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSR2N2907AUBC | 100 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| 2n2102s | 27.0522 | | 5066 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2n2102 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N2484UA | 21.6524 | | 2813 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/376 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2484 | 360 MW | Ua | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 2na | Npn | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 225 @ 10ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| 2N3751 | 273.7050 | | 9484 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-111-4, Stud | 30 w | To-111 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3751 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| Jan2N3634 | 10.5070 | | 2468 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3634 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | APTC60HM70RT3G | 99.0200 | | 5180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Coolmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SP3 | Aptc60 | MOSFET (Metalloxid) | 250W | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n-kanal (Halbe Brücke) + Brückegleichrichter | 600V | 39a | 70 MOHM @ 39A, 10V | 3,9 V @ 2,7 mA | 259nc @ 10v | 7000PF @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||||||
| 2N6594 | 110.9100 | | 6383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 100 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6594 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 12 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | APT40M70JVR | 43.9500 | | 5663 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Apt40 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227 (ISOTOP®) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-apt40m70jvr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 400 V | 53a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 26,5a, 10V | 4v @ 2,5 mA | 495 NC @ 10 V | ± 30 v | 8890 PF @ 25 V. | - - - | 450W (TC) | |||||||||||||||||||
 | VRF154FL | 431.9900 | | 8685 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | 170 v | T2 | VRF154 | 80MHz | Mosfet | T2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-Kanal | 4ma | 800 mA | 600W | 17db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||
| Jan2N2919L | 30.6432 | | 1203 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/355 | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n2919 | 350 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
| 2N6514 | 78.7200 | | 4211 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 120 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6514 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 7 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | JANS2N3507AL | 70.3204 | | 1762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3507Al | 1 | 50 v | 3 a | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 35 @ 500 mA, 1V | - - - |
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