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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N3752 Microchip Technology 2N3752 273.7050
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-111-4, Stud 30 w To-111 UnberÜHrt Ereichen 150-2N3752 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - - - PNP 250 mV @ 100 µA, 1 mA - - - - - -
2N3599 Microchip Technology 2N3599 547.4100
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211mb, to-63-4, Stud 100 w To-63 UnberÜHrt Ereichen 150-2N3599 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 20 a - - - Npn 500mv @ 1ma, 10 mA - - - - - -
JANSF2N3637UB Microchip Technology JANSF2N3637UB 148.5808
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w UB UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N3637UB 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
MQ2N2608UB Microchip Technology MQ2N2608UB 120.8039
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/295 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 300 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-MQ2N2608UB 1 P-Kanal 10pf @ 5v 30 v 1 ma @ 5 v 750 mV @ 1 µA
2N2727 Microchip Technology 2N2727 15.9600
RFQ
 ECAD 9164 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa UnberÜHrt Ereichen 150-2N2727 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 500 mA - - - PNP - - - - - - - - -
2N2946 Microchip Technology 2N2946 24.6450
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv UnberÜHrt Ereichen 150-2n2946 1
2N5607 Microchip Technology 2N5607 43.0350
RFQ
 ECAD 5163 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-213aa, to-66-2 25 w To-66 (to-213aa) UnberÜHrt Ereichen 150-2N5607 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
MRH25N12U3 Microchip Technology MRH25N12U3 - - -
RFQ
 ECAD 9063 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung MOSFET (Metalloxid) U3 (SMD-0,5) UnberÜHrt Ereichen 150-MRH25N12U3 Ear99 8541.29.0095 5 N-Kanal 250 V 12,4a (TC) 12V 210MOHM @ 7.5A, 12V 4v @ 1ma 50 nc @ 12 V ± 20 V 1980 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
2N2986 Microchip Technology 2N2986 27.6600
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 5 w To-5aa UnberÜHrt Ereichen 150-2n2986 Ear99 8541.29.0095 1 120 v 3 a - - - PNP 1,25 V @ 400 UA, 1 Ma - - - - - -
MQ2N4391 Microchip Technology MQ2N4391 27.9965
RFQ
 ECAD 6982 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose To-18 (to-206aa) UnberÜHrt Ereichen 150-MQ2N4391 1 N-Kanal - - -
JANSM2N2907A Microchip Technology JANSM2N2907A 99.0906
RFQ
 ECAD 1572 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2907A 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSM2N2906A Microchip Technology JANSM2N2906A 99.9500
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2906a 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANKCBD2N2906A Microchip Technology Jankcbd2n2906a - - -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbd2n2906a 100 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANKCAP2N3635 Microchip Technology JankCap2N3635 - - -
RFQ
 ECAD 8995 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-JankCap2N3635 100 140 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANSM2N2906AUB Microchip Technology JANSM2N2906AUB 148.2202
RFQ
 ECAD 3910 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2906Aub 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANSP2N2218 Microchip Technology JANSP2N2218 114.6304
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2218 1 50 v 800 mA 10na Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N3700AUB Microchip Technology 2N3700AUB 10.6950
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-2N3700AUB Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSF2N2906AUA Microchip Technology JANSF2N2906AUA 156.0008
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 500 MW Ua UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N2906AUA 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANKCCL2N3498 Microchip Technology JANKCCL2N3498 - - -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccl2N3498 100 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N3439P Microchip Technology 2N3439p 27.9750
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-2N3439p Ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
MSR2N2222AUB Microchip Technology MSR2N2222AUB - - -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-MSR2N2222AUB 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N5152U3 Microchip Technology JANS2N5152U3 269.3620
RFQ
 ECAD 7017 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 (SMD-0,5) UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N5152U3 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
MV2N5114UB Microchip Technology MV2N5114UB 95.6403
RFQ
 ECAD 3262 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-MV2N5114UB 1 P-Kanal 30 v 25pf @ 15V 30 v 30 mA @ 18 V 5 V @ 1 na 75 Ohm
JANKCCP2N3499 Microchip Technology Jankccp2N3499 - - -
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccp2N3499 100 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N5415UAC Microchip Technology 2N5415UAC 63.3600
RFQ
 ECAD 4897 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 750 MW Ua UnberÜHrt Ereichen 150-2N5415UAC Ear99 8541.21.0095 1 200 v 1 a 1ma PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANSD2N2906AUB Microchip Technology JANSD2N2906AUB 148.2202
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N2906Aub 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2C3506-MSCL Microchip Technology 2C3506-MSCL 7.5450
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv UnberÜHrt Ereichen 150-2C3506-MSCL 1
JANS2N2218AL Microchip Technology JANS2N2218AL 114.6304
RFQ
 ECAD 7169 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 800 MW To-5aa UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N2218Al Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 10na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N6513 Microchip Technology 2N6513 78.7200
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 120 w To-204ad (to-3) UnberÜHrt Ereichen 150-2N6513 Ear99 8541.29.0095 1 350 V 7 a - - - Npn - - - - - - - - -
BCY-59 Microchip Technology BCY-59 30.3107
RFQ
 ECAD 3219 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv UnberÜHrt Ereichen 150-BCY-59 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

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