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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
1214GN-180LV Microchip Technology 1214GN-180LV 941.7200
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 ECAD 10 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 150 v Oberflächenhalterung 55-kr 1,2 GHz ~ 1,4 GHz Hemt 55-kr Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-1214GN-180LV Ear99 8541.29.0095 1 - - - 60 mA 180W 17db - - - 50 v
APT8015JVR Microchip Technology APT8015JVR 80.3600
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 ECAD 1307 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT8015 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 44a (TC) 150 MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 5ma 285 NC @ 10 V 17650 PF @ 25 V. - - -
JANTXV2N6990 Microchip Technology Jantxv2N6990 51.5242
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 ECAD 9533 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/559 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 14-Flatpack 2N6990 400 MW 14-Flatpack Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50V 800 mA 10 µA (ICBO) 4 NPN (Quad) 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N4033UA Microchip Technology JANS2N4033UA - - -
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 ECAD 6748 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/512 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 500 MW Ua - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V - - -
2N6338 Microchip Technology 2N6338 55.1817
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 ECAD 2461 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N6338 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2N6338ms Ear99 8541.29.0095 1
ARF463BG Microchip Technology ARF463BG 41.4203
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 ECAD 3251 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 500 V To-247-3 ARF463 81,36 MHz Mosfet To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 9a 50 ma 100W 15 dB - - - 125 v
JANTXV2N3501 Microchip Technology Jantxv2N3501 15.8403
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 ECAD 6528 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3501 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N5153U3 Microchip Technology JantX2N5153U3 153.6682
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 ECAD 9972 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1,16 w U3 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
JANSR2N7373 Microchip Technology Jansr2N7373 1.0000
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 ECAD 7434 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/613 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa 4 w To-254aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N7373 1 80 v 5 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
JANKCDR2N5154 Microchip Technology Jankcdr2N5154 - - -
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 ECAD 5375 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcdr2N5154 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
JANSR2N2369AUB/TR Microchip Technology JANSR2N2369AUB/Tr 212.5108
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 ECAD 6311 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2369a 360 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N2369Aub/tr Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
2C2369A-MSCL Microchip Technology 2C2369A-MSCL 5.2950
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 ECAD 5252 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C2369A-MSCL 1
APT5014SLLG Microchip Technology APT5014Sllg 15.9500
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 ECAD 5598 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT5014 MOSFET (Metalloxid) D3 [s] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 35a (TC) 10V 140MOHM @ 17.5a, 10V 5v @ 1ma 72 NC @ 10 V ± 30 v 3261 PF @ 25 V. - - - 403W (TC)
2N3741U4 Microchip Technology 2N3741U4 78.4966
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 ECAD 1933 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 25 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 µA 10 µA PNP 600 MV @ 1,25 mA, 1a 30 @ 250 mA, 1V - - -
MSCSM170HRM233AG Microchip Technology MSCSM170HRM233AG 257.3200
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 ECAD 2581 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Silziumkarbid (sic) 602W (TC), 395W (TC) - - - - - - 150-MSCSM170HRM233AG 1 4 N-Kanal (Drei-Level-Wechselrichter) 1700 V (1,7 kV), 1200 V (1,2 kV) 124a (TC), 89a (TC) 22.5mohm @ 60A, 20V, 31MOHM @ 40A, 20V 3,2 V @ 5ma, 2,8 V @ 3ma 356NC @ 20V, 232NC @ 20V 6600PF @ 1000V, 3020pf @ 1000V Silziumkarbid (sic)
APT43F60L Microchip Technology APT43F60L 12.9200
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 ECAD 4091 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT43F60 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 45a (TC) 10V 150MOHM @ 21A, 10V 5 V @ 2,5 mA 215 NC @ 10 V ± 30 v 8590 PF @ 25 V. - - - 780W (TC)
JANS2N2484UB/TR Microchip Technology JANS2N2484UB/Tr 58.6504
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 ECAD 6027 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/376 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N2484 360 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N2484UB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 ma 2na Npn 300 mV @ 100 µA, 1 mA 250 @ 1ma, 5v - - -
JANHCB2N5004 Microchip Technology JanHCB2N5004 49.6622
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 ECAD 8759 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/534 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung Sterben 2 w Sterben - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 50 µA 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
JANSL2N5152U3 Microchip Technology JANSL2N5152U3 229.9812
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 ECAD 9300 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 (SMD-0,5) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N5152U3 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
JANSR2N3810 Microchip Technology Jansr2N3810 198.9608
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 ECAD 2356 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/336 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N3810 350 MW To-78-6 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
JAN2N6987U Microchip Technology Jan2N6987U 57.6821
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 ECAD 4589 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/558 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N6987 1W 6-smd - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
DN2470K4-G Microchip Technology DN2470K4-G 1.0600
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 ECAD 5684 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DN2470 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 700 V 170 Ma (TJ) 0V 42OHM @ 100 mA, 0V - - - ± 20 V 540 PF @ 25 V. Depletion -modus 2,5 W (TA)
APT7M120B Microchip Technology APT7M120B 5.7100
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 ECAD 1067 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT7M120 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 8a (TC) 10V 2,5OHM @ 3a, 10V 5v @ 1ma 80 nc @ 10 v ± 30 v 2565 PF @ 25 V. - - - 335W (TC)
JANS2N5415UA/TR Microchip Technology JANS2N5415UA/Tr - - -
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 ECAD 1548 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N5415UA/Tr 1
JANSM2N3700UB/TR Microchip Technology JANSM2N3700UB/TR 40.3302
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 ECAD 6208 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N3700 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N3700UB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N998 Microchip Technology 2N998 37.7400
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 ECAD 2326 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2n99 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N998 1
JANSD2N3501 Microchip Technology JANSD2N3501 41.5800
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 ECAD 8422 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N3501 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
APT77N60SC6 Microchip Technology APT77N60SC6 14.4500
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 ECAD 8181 0.00000000 Mikrochip -technologie Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab APT77N60 MOSFET (Metalloxid) D3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 77a (TC) 10V 41mohm @ 44.4a, 10V 3,6 V @ 2,96 mA 260 NC @ 10 V ± 20 V 13600 PF @ 25 V. - - - 481W (TC)
2N6188 Microchip Technology 2N6188 287.8650
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 ECAD 6179 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-210aa, to-59-4, Stud 60 w To-59 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6188 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 10 a - - - PNP 1,2 V @ 100 µA, 2 mA - - - - - -
JANTXV2N2222AUB/TR Microchip Technology Jantxv2N2222Aub/tr 6.8894
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 ECAD 6866 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N2222AUB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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