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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N4907 Microchip Technology 2N4907 58.6200
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 ECAD 8529 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N4907 Ear99 8541.29.0095 1 40 v 10 a - - - PNP - - - - - - - - -
ARF1511 Microchip Technology ARF1511 327.5510
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 ECAD 4702 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 500 V Sterben ARF1511 40,7 MHz Mosfet Sterben Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ARF1511m Ear99 8541.29.0075 1 4 N-Kanal 20a 750W 15 dB - - - 380 v
APTC60VDAM24T3G Microchip Technology APTC60VDAM24T3G 129.7000
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 ECAD 1745 0.00000000 Mikrochip -technologie Coolmos ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 Aptc60 MOSFET (Metalloxid) 462W SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 600V 95a 24MOHM @ 47,5a, 10V 3,9 V @ 5ma 300nc @ 10v 14400pf @ 25v Super Junction
SG2824J-DESC Microchip Technology SG2824J-DESC - - -
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 ECAD 4714 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) K. Loch 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2824 - - - 18-Cerdip Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-SG2824J-DESC Ear99 8541.29.0095 21 95 V 500 mA - - - 8 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA - - - - - -
JANTXV2N3419S Microchip Technology Jantxv2N3419s 20.6948
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 ECAD 1796 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/393 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3419 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 20 @ 1a, 2v - - -
JAN2N3499L Microchip Technology Jan2N3499L 12.5818
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 ECAD 9241 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3499 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 1,4 V @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
VP2110K1-G Microchip Technology VP2110K1-G 0,8300
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 ECAD 4564 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 VP2110 MOSFET (Metalloxid) To-236ab (SOT23) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 100 v 120 Ma (TJ) 5v, 10V 12ohm @ 500 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 60 PF @ 25 V - - - 360 MW (TA)
JANTX2N6213 Microchip Technology JantX2N6213 - - -
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 ECAD 1398 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/461 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 3 w To-66 (to-213aa) - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 350 V 2 a 5ma PNP 2v @ 125 mA, 1a 30 @ 1a, 5V - - -
APT10090BFLLG Microchip Technology APT10090Bfllg 16.0500
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 ECAD 8626 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT10090 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 12a (TC) 10V 950mohm @ 6a, 10V 5v @ 1ma 71 NC @ 10 V ± 30 v 1969 PF @ 25 V. - - - 298W (TC)
JANSR2N3634L Microchip Technology JANSR2N3634L - - -
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 ECAD 9024 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N3498 Microchip Technology 2N3498 - - -
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 ECAD 1557 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N3637L Microchip Technology Jantxv2N3637L 14.3906
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 ECAD 8036 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3637 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
JAN2N2369AUA Microchip Technology Jan2N2369AUA 30.9890
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2n2369 360 MW To-18 (to-206aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANTXV2N2219AP Microchip Technology Jantxv2N2219AP 16.7447
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 ECAD 7074 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N2219AP 1 50 v 800 mA 10na Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N5796UC Microchip Technology JANS2N5796UC - - -
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 ECAD 9302 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/496 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N5796 600 MW UC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N5796UC 50 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N3838 Microchip Technology JantX2N3838 - - -
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/421 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Flatpack 2N3838 350 MW 6-Flatpack - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40V 600 mA 10 µA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N3485A Microchip Technology Jantxv2N3485a 9.4031
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 ECAD 3307 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/392 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 2N3485 400 MW To-46 (to-206ab) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N5152 Microchip Technology Jan2N5152 13.6192
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 ECAD 3268 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N5152 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
MSC090SMA070SA Microchip Technology MSC090SMA070SA 6.4000
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 ECAD 9923 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa MSC090 Sicfet (Silziumkarbid) To-268 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSC090SMA070SA Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 700 V 25a (TC) 20V 115mohm @ 15a, 20V 2,4 V @ 750 ähm 38 NC @ 20 V +23 V, -10 V 785 PF @ 700 V - - - 91W (TC)
JANSD2N2369AUB/TR Microchip Technology JANSD2N2369AUB/Tr 149.3402
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 ECAD 9696 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2369a 360 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N2369AUB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
TN0110N3-G-P002 Microchip Technology TN0110N3-G-P002 1.3600
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) TN0110 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 100 v 350 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 3OHM @ 500 mA, 10V 2v @ 500 ähm ± 20 V 60 PF @ 25 V - - - 1W (TC)
JANTX2N4029 Microchip Technology JantX2N4029 8.5652
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 ECAD 5907 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/512 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N4029 500 MW To-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V - - -
2N6227 Microchip Technology 2N6227 37.8518
RFQ
 ECAD 2583 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N6227 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
2N5149 Microchip Technology 2N5149 19.4400
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 7 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5149 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a - - - PNP - - - - - - - - -
2N6275 Microchip Technology 2N6275 92.0892
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N6275 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
2N706A Microchip Technology 2N706a 88.9371
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N706 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1
JAN2N6277 Microchip Technology Jan2N6277 187.5566
RFQ
 ECAD 1933 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/514 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6277 250 w To-3 (to-204aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 50 a 50 µA Npn 3v @ 10a, 50a 30 @ 20a, 4V - - -
JANTX2N2222AUBP/TR Microchip Technology JantX2N22222AUBP/Tr 12.5552
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222AUBP/TR 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N3868 Microchip Technology JANS2N3868 148.2902
RFQ
 ECAD 4413 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/350 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 ma 100 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 30 @ 1,5a, 2v - - -
2N6246 Microchip Technology 2N6246 65.3100
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 ECAD 1986 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 125 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6246 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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