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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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Jantxv2N3501 | 15.8403 | ![]() | 6528 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3501 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | Jansr2N3810 | 198.9608 | ![]() | 2356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6188 | 287.8650 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 60 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6188 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 a | - - - | PNP | 1,2 V @ 100 µA, 2 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6689 | 755.0400 | ![]() | 6152 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 6 w | To-61 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6689 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 15 a | 100 µA | Npn | 5v @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3810U | 38.2700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N3700UB/TR | 40.3302 | ![]() | 6208 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/391 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N3700 | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3700UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N7370 | - - - | ![]() | 6409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/624 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | 2N7370 | 100 w | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 12 a | 1ma | NPN - Darlington | 3v @ 120 mA, 12a | 1000 @ 6a, 3v | - - - | ||||||||||||||||||||
JANSD2N3501 | 41.5800 | ![]() | 8422 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3501 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT77N60SC6 | 14.4500 | ![]() | 8181 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Coolmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | APT77N60 | MOSFET (Metalloxid) | D3pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 77a (TC) | 10V | 41mohm @ 44.4a, 10V | 3,6 V @ 2,96 mA | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 13600 PF @ 25 V. | - - - | 481W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | DN2470K4-G | 1.0600 | ![]() | 5684 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DN2470 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 700 V | 170 Ma (TJ) | 0V | 42OHM @ 100 mA, 0V | - - - | ± 20 V | 540 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | Jan2N3506U4 | - - - | ![]() | 7316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 µA | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 50 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTM10SKM02G | 234.3620 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTM10 | MOSFET (Metalloxid) | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 495a (TC) | 10V | 2,5 MOHM @ 200a, 10V | 4V @ 10 mA | 1360 NC @ 10 V | ± 30 v | 40000 PF @ 25 V. | - - - | 1250W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Jan2N2484UA | 16.1861 | ![]() | 8236 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/376 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2484 | 360 MW | Ua | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 2na | Npn | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 225 @ 10ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2n3054a | 50.2075 | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300DA120G | 206.7717 | ![]() | 7702 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1380 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 420 a | 2,1 V @ 15V, 300A | 500 µA | NEIN | 21 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||
![]() | 90024-02TXV | - - - | ![]() | 4996 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
JantX2N3468 | - - - | ![]() | 2628 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/348 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3468 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,2 V @ 100 Ma, 1a | 25 @ 500 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N4906 | 45.1535 | ![]() | 8021 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N4906 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N5151U3 | 229.9812 | ![]() | 4032 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,16 w | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N5151U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C6045 | 26.8050 | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C6045 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5154U3 | 107.4906 | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 Ma | 1ma | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||
2N4235 | - - - | ![]() | 2031 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-205ad | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1 a | 1ma | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3439U4 | - - - | ![]() | 7328 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N3439 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS2N3635 | 91.7906 | ![]() | 7839 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansr2N5004 | - - - | ![]() | 7700 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/534 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 2 w | To-59 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 50 µA | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||
2N6277 | 110.0176 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N6277 | 250 w | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 50 a | 50 µA | Npn | 3v @ 10a, 50a | 50 @ 1a, 4V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N2919U | 57.4693 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/355 | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2n2919 | 350 MW | 3-smd | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
Jankca2N3636 | - - - | ![]() | 4972 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca2N3636 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3634UB/Tr | - - - | ![]() | 5375 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 1 w | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3792 | 68.5083 | ![]() | 6078 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/379 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N3792 | 5 w | To-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 5ma | PNP | 2,5 V @ 2a, 10a | 50 @ 1a, 2v | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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