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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
APTGLQ200HR120G Microchip Technology APTGLQ200HR120G 242.7600
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Sp6 APTGLQ200 1000 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 TRABENFELD STOPP 1200 V 300 a 2,4 V @ 15V, 160a 200 µA NEIN 9.2 NF @ 25 V.
APTGT75TDU60PG Microchip Technology APTGT75TDU60PG 170.9700
RFQ
 ECAD 3239 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 AptGT75 250 w Standard SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dreifach, Dual - Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 600 V 100 a 1,9 V @ 15V, 75A 250 µA NEIN 4.62 NF @ 25 V.
APTGL40X120T3G Microchip Technology APTGL40X120T3G 112.0000
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 Aptgl40 220 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 65 a 2,25 V @ 15V, 35a 250 µA Ja 1,95 NF @ 25 V.
APT40GP60B2DQ2G Microchip Technology APT40GP60B2DQ2G 13.1100
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT40GP60 Standard 543 w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 40a, 5ohm, 15 V. Pt 600 V 100 a 160 a 2,7 V @ 15V, 40a 385 µJ (EIN), 350 µJ (AUS) 135 NC 20ns/64ns
APT25GR120SD15 Microchip Technology APT25GR120SD15 8.0200
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 ECAD 1937 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa APT25GR120 Standard 521 w D3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 600 V, 25a, 4,3 Ohm, 15 V. Npt 1200 V 75 a 100 a 3,2 V @ 15V, 25a 742 µj (EIN), 427 µJ (AUS) 203 NC 16ns/122ns
APT45GP120BG Microchip Technology APT45GP120BG 17.9200
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 ECAD 25 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT45GP120 Standard 625 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 600 V, 45a, 5ohm, 15 V. Pt 1200 V 100 a 170 a 3,9 V @ 15V, 45a 900 µJ (EIN), 904 µJ (AUS) 185 NC 18ns/102ns
APT80GP60B2G Microchip Technology APT80GP60B2G 23.1200
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 ECAD 6040 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 Variante APT80GP60 Standard 1041 w T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Pt 600 V 100 a 2,7 V @ 15V, 80a
APT30GS60BRDQ2G Microchip Technology APT30GS60BRDQ2G - - -
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 ECAD 8675 0.00000000 Mikrochip -technologie Thunderbolt IGBT® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT30GS60 Standard 250 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 30a, 9,1ohm, 15 V. 25 ns Npt 600 V 54 a 113 a 3,15 V @ 15V, 30a 570 µj (AUS) 145 NC 16ns/360ns
APTGT75TA120PG Microchip Technology APTGT75TA120PG 244.2520
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 AptGT75 350 w Standard SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 DRIPHASE TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a 2,1 V @ 15V, 75a 250 µA NEIN 5.34 NF @ 25 V
JANSP2N2221AUBC Microchip Technology JANSP2N2221AUBC 231.8416
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2221AUBC 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
APTGT600U170D4G Microchip Technology APTGT600U170D4G 401.0500
RFQ
 ECAD 8749 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D4 Aptgt600 2900 w Standard D4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 1100 a 2,4 V @ 15V, 600A 1 Ma NEIN 51 NF @ 25 V.
APTGLQ100DA120T1G Microchip Technology APTGLQ100DA120T1G 58.8400
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul APTGLQ100 520 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Hubschruber Steigern TRABENFELD STOPP 1200 V 170 a 2,42 V @ 15V, 100a 50 µA Ja 6.15 NF @ 25 V.
APT35GT120JU3 Microchip Technology APT35GT120JU3 24.4800
RFQ
 ECAD 7246 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Isotop APT35GT120 260 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 55 a 2,1 V @ 15V, 35a 5 Ma NEIN 2,53 NF @ 25 V.
APT50M65B2FLLG Microchip Technology APT50M65B2Fllg 28.4300
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT50M65 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 67a (TC) 10V 65mohm @ 33,5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 141 NC @ 10 V ± 30 v 7010 PF @ 25 V. - - - 694W (TC)
MSCSM120HM063AG Microchip Technology MSCSM120HM063AG 855.2300
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 ECAD 3293 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 873W (TC) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120HM063AG Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Volle Brucke) 1200 V (1,2 kV) 333a (TC) 7.8mohm @ 80A, 20V 2,8 V @ 12 Ma 928nc @ 20V 12000PF @ 1000V - - -
JANSF2N2221AUBC Microchip Technology JANSF2N2221AUBC 238.4918
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 ECAD 4229 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N2221AUBC 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N1893S Microchip Technology Jan2n1893s 24.1129
RFQ
 ECAD 4427 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/182 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2n1893 3 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 5v @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANSR2N2222AUB/E10 Microchip Technology JANSR2N2222AUB/E10 59.0304
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N2222AB/E10 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
MKC2N5667 Microchip Technology MKC2N5667 - - -
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 ECAD 8137 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben 1,2 w Sterben - - - UnberÜHrt Ereichen 150-mkc2n5667 100 300 V 5 a 200na Npn 400mv @ 600 mA, 3a 25 @ 1a, 5V - - -
APTM10DAM02G Microchip Technology APTM10DAM02G 234.3620
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 ECAD 3308 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM10 MOSFET (Metalloxid) Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 495a (TC) 10V 2,5 MOHM @ 200a, 10V 4V @ 10 mA 1360 NC @ 10 V ± 30 v 40000 PF @ 25 V. - - - 1250W (TC)
JANSP2N3700 Microchip Technology JANSP2N3700 32.9802
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N3700 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N6989U/TR Microchip Technology 2n6989u/tr 59.5308
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/559 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 20-clcc 2N6989 20-clcc - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-2N6989U/Tr Ear99 8541.21.0095 1 10 µA (ICBO) 4 NPN (Quad) 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
APT12080LVRG Microchip Technology APT12080LVRG 24.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos V® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT12080 MOSFET (Metalloxid) To-264 (l) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-apt12080lvrg Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 1200 V 16a (TC) 10V 800mohm @ 8a, 10V 4v @ 2,5 mA 485 NC @ 10 V ± 30 v 7800 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
2N657S Microchip Technology 2N657s 40.3950
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 ECAD 4887 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 600 MW To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N657s Ear99 8541.21.0095 1 40 v 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N6351 Microchip Technology JantX2N6351 - - -
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 ECAD 5780 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/472 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 205AC, bis 33-4 Metall Kann 2N6351 1 w To-33 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 5 a - - - NPN - Darlington 2,5 V @ 10ma, 5a 1000 @ 5a, 5v - - -
APT24M120L Microchip Technology APT24M120L 19.0200
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 ECAD 8176 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT24M120 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 24a (TC) 10V 680Mohm @ 12a, 10V 5 V @ 2,5 mA 260 NC @ 10 V ± 30 v 8370 PF @ 25 V. - - - 1040W (TC)
2N4958UB/TR Microchip Technology 2N4958UB/Tr 82.6800
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N4958UB/Tr 100
2C5000 Microchip Technology 2c5000 38.7450
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C5000 1
JAN2N1480 Microchip Technology Jan2N1480 131.4040
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-S-19500/207 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 55 v 1,5 a 5 µA (ICBO) Npn 750 MV @ 20 Ma, 200 Ma 20 @ 200 Ma, 4V - - -
JANTX2N5004 Microchip Technology JantX2N5004 - - -
RFQ
 ECAD 9479 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/534 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg To-210aa, to-59-4, Stud 2 w To-59 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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