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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
APTC60TDUM35PG Microchip Technology APTC60TDUM35PG 257.8900
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptc60 MOSFET (Metalloxid) 416W SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 600V 72a 35mohm @ 72a, 10V 3,9 V @ 5.4 Ma 518nc @ 10v 14000pf @ 25v - - -
JANTXV2N5154U3/TR Microchip Technology Jantxv2N5154U3/Tr 93.8049
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N5154U3/Tr Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
APTGT100A60T1G Microchip Technology APTGT100A60T1G 60.9100
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 Aptgt100 340 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 600 V 150 a 1,9 V @ 15V, 100a 250 µA Ja 6.1 NF @ 25 V
APT53F80J Microchip Technology APT53F80J 69.9100
RFQ
 ECAD 203 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT53F80 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 57a (TC) 10V 110MOHM @ 43A, 10V 5v @ 5ma 570 NC @ 10 V. ± 30 v 17550 PF @ 25 V. - - - 960W (TC)
APT50M75B2FLLG Microchip Technology APT50M75B2Fllg 23.6500
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 ECAD 5153 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 Variante APT50M75 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 57a (TC) 75mohm @ 28.5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 125 NC @ 10 V 5590 PF @ 25 V. - - -
APT47GA60JD40 Microchip Technology APT47GA60JD40 31.9400
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 ECAD 3084 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT47GA60 283 w Standard ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Pt 600 V 87 a 2,5 V @ 15V, 47a 275 µa NEIN 6.32 NF @ 25 V.
APTGT300A170D3G Microchip Technology APTGT300A170D3G 424.5600
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 ECAD 8483 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul Aptgt300 1470 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1700 v 530 a 2,4 V @ 15V, 300A 8 ma NEIN 26 NF @ 25 V.
JANTXV2N5662 Microchip Technology Jantxv2N5662 - - -
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 ECAD 6700 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/454 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N5662 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 200 v 2 a 200na Npn 800mv @ 400 mA, 2a 40 @ 500 mA, 5V - - -
APT1201R4BLLG Microchip Technology APT1201R4BLLG 13.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT1201 MOSFET (Metalloxid) To-247-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-apt1201R4bllg Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 9a (TC) 10V 1,4OHM @ 4,5a, 10V 5v @ 1ma 120 nc @ 10 v ± 30 v 2500 PF @ 25 V - - - 300 W (TC)
JANSM2N2221AUB Microchip Technology JANSM2N2221AUB 150.3406
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 ECAD 7723 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2221Aub 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
APTM10HM19FT3G Microchip Technology APTM10HM19ft3G 89.0600
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 ECAD 9756 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 APTM10 MOSFET (Metalloxid) 208W SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 100V 70a 21mohm @ 35a, 10V 4v @ 1ma 200nc @ 10v 5100PF @ 25V - - -
APTGL60DDA120T3G Microchip Technology APTGL60DDA120T3G 75.0300
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 ECAD 7940 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 Aptgl60 280 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Boost Chopper TRABENFELD STOPP 1200 V 80 a 2,25 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 2.77 NF @ 25 V.
APTGF150H120G Microchip Technology APTGF150H120G - - -
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 ECAD 4696 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp6 961 w Standard Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) APTGF150H120GMP-ND Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter Npt 1200 V 200 a 3,7 V @ 15V, 150a 350 µA NEIN 10.2 NF @ 25 V
APTM100A23STG Microchip Technology APTM100A23STG 191.2800
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 ECAD 2777 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTM100 MOSFET (Metalloxid) 694W Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 N-Kanal (Halbe Brücke) 1000 V (1KV) 36a 270Mohm @ 18a, 10V 5v @ 5ma 308nc @ 10v 8700PF @ 25V - - -
2C2920-PAIRS Microchip Technology 2C2920-Pairs 12.1200
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 ECAD 9455 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C2920-Pairs 1
JANTX2N7368 Microchip Technology JantX2N7368 - - -
RFQ
 ECAD 8572 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/622 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) 115 w To-254 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma Npn 1v @ 500 mA, 5a 50 @ 1a, 2v - - -
JAN2N5661U3 Microchip Technology Jan2N5661U3 - - -
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/454 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N5661 2 w U3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 2 a 200na Npn 800mv @ 400 mA, 2a 25 @ 500 mA, 5V - - -
JANTXV2N4236 Microchip Technology Jantxv2N4236 45.9249
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 ECAD 2840 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/580 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N4236 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 a 1ma PNP 600mv @ 100 mA, 1a 30 @ 250 mA, 1V - - -
JAN2N3499U4/TR Microchip Technology Jan2N3499U4/Tr - - -
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N3499U4/Tr Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 50na (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N1700 Microchip Technology 2N1700 43.4644
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 ECAD 4741 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N1700 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
2N5739 Microchip Technology 2N5739 37.1850
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 ECAD 4217 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-213aa, to-66-2 35 w To-66 (to-213aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5739 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 10 a - - - PNP - - - - - - - - -
JANSD2N5152U3 Microchip Technology JANSD2N5152U3 229.9812
RFQ
 ECAD 1872 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/544 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U3 (SMD-0,5) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N5152U3 1 80 v 2 a 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
TP5322K1-G Microchip Technology TP5322K1-G 0,7500
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 ECAD 8 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TP5322 MOSFET (Metalloxid) To-236ab (SOT23) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 220 V 120 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 12OHM @ 200 Ma, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 110 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
2N3902 Microchip Technology 2N3902 45.5259
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 ECAD 5593 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N3902 5 w To-204ad (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 3.5 a 250 µA Npn 2,5 V @ 700 Ma, 3,5a 30 @ 1a, 5V - - -
APT10026JFLL Microchip Technology APT10026JFll 99.4100
RFQ
 ECAD 4769 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT10026 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 30a (TC) 260Mohm @ 15a, 10V 5v @ 5ma 267 NC @ 10 V 7114 PF @ 25 V. - - -
JANSG2N2222AUBC Microchip Technology JANSG2N2222AUBC 305.8602
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansg2N2222ABC 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N3439U4 Microchip Technology JantX2N3439U4 - - -
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N3439 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
2N3849 Microchip Technology 2N3849 613.4700
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 ECAD 8915 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211mb, to-63-4, Stud 150 w To-63 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3849 Ear99 8541.29.0095 1 300 V 20 a - - - PNP - - - - - - - - -
2N6308T1 Microchip Technology 2N6308T1 349.2000
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-204aa, to-3 125 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6308T1 Ear99 8541.29.0095 1 350 V 8 a 50 µA Npn 5v @ 2.67a, 8a 12 @ 3a, 5v - - -
JANTX2N2946AUB/TR Microchip Technology JantX2N2946AUB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/382 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 400 MW UB - - - 150-Jantx2N2946Aub/tr 1 35 V 100 ma 10 µA (ICBO) PNP - - - 50 @ 1ma, 500mV - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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