Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4261UB | - - - | ![]() | 1383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N4261 | 200 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 350 mV @ 1ma, 10 mA | 30 @ 10ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Vrf148a | - - - | ![]() | 7712 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | 170 v | M113 | VRF148 | 175MHz | Mosfet | M113 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10 | N-Kanal | 100 µA | 100 ma | 30W | 16 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75H60T1G | 76.3500 | ![]() | 2339 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | AptGT75 | 250 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Ja | 4.62 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75SK120TG | 89.6700 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | AptGT75 | 357 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 110 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 250 µA | Ja | 5.34 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF75H120TG | - - - | ![]() | 8270 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 500 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 1200 V | 100 a | 3,7 V @ 15V, 75a | 250 µA | Ja | 5.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100DU120TG | 127.2500 | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | Aptgt100 | 480 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 140 a | 2,1 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 7.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100DU170TG | 162.4900 | ![]() | 6559 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | Aptgt100 | 560 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 150 a | 2,4 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 9 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150A120TG | 164.7213 | ![]() | 9795 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | Sp4 | APTGT150 | 690 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 250 µA | Ja | 10.7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150DH120G | 217.1500 | ![]() | 4409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | Sp6 | APTGT150 | 690 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 350 µA | NEIN | 10.7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150DH170G | 283.2220 | ![]() | 2098 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | Sp6 | APTGT150 | 890 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 250 a | 2,4 V @ 15V, 150a | 350 µA | NEIN | 13.5 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150TDU60PG | 243,8000 | ![]() | 3785 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGT150 | 480 w | Standard | SP6-P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dreifach, Dual - Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 600 V | 225 a | 1,9 V @ 15V, 150a | 250 µA | NEIN | 9.2 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200DA120G | 174.0714 | ![]() | 4898 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | AptGT200 | 890 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 280 a | 2,1 V @ 15V, 200a | 350 µA | NEIN | 14 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200DU120G | 235.4600 | ![]() | 6658 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | AptGT200 | 890 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 280 a | 2,1 V @ 15V, 200a | 350 µA | NEIN | 14 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT300DA170G | 269.2320 | ![]() | 5664 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1660 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 400 a | 2,4 V @ 15V, 300A | 750 µA | NEIN | 26,5 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300SK60D3G | 160.0600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | D-3-Modul | Aptgt300 | 940 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 400 a | 1,9 V @ 15V, 300A | 500 µA | NEIN | 18,5 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT450DA60G | 197.0100 | ![]() | 4013 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGT450 | 1750 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 550 a | 1,8 V @ 15V, 450a | 500 µA | NEIN | 37 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50DH120TG | 112.3700 | ![]() | 9726 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | APTGT50 | 277 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DH170TG | 135.5111 | ![]() | 9269 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | APTGT50 | 312 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 75 a | 2,4 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50H170TG | 210.4000 | ![]() | 2528 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | APTGT50 | 312 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 75 a | 2,4 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50H60T1G | 65.4200 | ![]() | 7427 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | APTGT50 | 176 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 80 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.15 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50TDU60PG | 150.8300 | ![]() | 4625 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGT50 | 176 w | Standard | SP6-P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dreifach, Dual - Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 600 V | 80 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | NEIN | 3.15 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GT120LRDQ2G | 19.1600 | ![]() | 7616 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT50GT120 | Standard | 694 w | To-264 [l] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 50A, 1OHM, 15 V. | Npt | 1200 V | 106 a | 150 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 2585 µj (EIN), 1910 µJ (AUS) | 240 NC | 23ns/215ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT80GA60B | 9.7500 | ![]() | 7033 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT80GA60 | Standard | 625 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 47A, 4,7OHM, 15 V. | Pt | 600 V | 143 a | 240 a | 2,5 V @ 15V, 47a | 840 µJ (EIN), 751 µJ (AUS) | 230 NC | 23ns/158ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN0106N3-G-P013 | 0,8900 | ![]() | 4370 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | TN0106 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 350 Ma (TJ) | 4,5 V, 10 V. | 3OHM @ 500 mA, 10V | 2v @ 500 ähm | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTMC170AM30CT1AG | - - - | ![]() | 3978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | APTMC170 | Silziumkarbid (sic) | 700W | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n -kanal (Phasenbein) | 1700 V (1,7 kV) | 100a (TC) | 30mohm @ 100a, 20V | 2,3 V @ 5 Ma (Typ) | 380NC @ 20V | 6160PF @ 1000V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
APT65GP60JDQ2 | 37.8200 | ![]() | 4269 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | Isotop | APT65GP60 | 431 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 600 V | 130 a | 2,7 V @ 15V, 65a | 1,25 Ma | NEIN | 7.4 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20M45BVFRG | 12.2300 | ![]() | 8440 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT20M45 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 v | 56a (TC) | 10V | 45mohm @ 500 mA, 10V | 4v @ 1ma | 195 NC @ 10 V. | ± 30 v | 4860 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25GT120BRDQ2G | 8.2300 | ![]() | 7574 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT25GT120 | Standard | 347 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 25a, 5ohm, 15 V. | Npt | 1200 V | 54 a | 75 a | 3,7 V @ 15V, 25a | 930 µJ (EIN), 720 µJ (AUS) | 170 nc | 14ns/150ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30GT60BRG | - - - | ![]() | 4848 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT30GT60 | Standard | 250 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | Npt | 600 V | 64 a | 110 a | 2,5 V @ 15V, 30a | 525 µJ (EIN), 600 µJ (AUS) | 145 NC | 12ns/225ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GF120JRDQ3 | 86.5400 | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT50GF120 | 521 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 120 a | 3v @ 15V, 75a | 750 µA | NEIN | 5.32 NF @ 25 V |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus