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Transistoren (5714)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JantX2N718a | - - - |  | 4866 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/181 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||
 | JANSR2N3019 | 77.3204 | | 4108 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/391 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2n3019 | 800 MW | To-5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - - - | ||||||||||||
 | Vrf148a | - - - | | 7712 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | 170 v | M113 | VRF148 | 175MHz | Mosfet | M113 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10 | N-Kanal | 100 µA | 100 ma | 30W | 16 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||
 | JANSP2N3439UA | - - - | | 6059 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 800 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N3439UA | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||
 | Jan2N3420 | - - - | | 2393 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/393 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3420 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 a | 5 ähm | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 1a, 2v | - - - | ||||||||||||
 | Jan2n1893 | 17.5826 | | 9113 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/182 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2n1893 | 800 MW | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 5v @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||
 | Jantxv2N3501UB | 21.7322 | | 3836 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N3501 | 500 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||
| JANSL2N3635L | 123.1204 | | 4015 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||
| JANS2N2369A | 107.9306 | | 9068 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 360 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400 na | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | ||||||||||||||
 | JANS2N3810 | 88.5404 | | 6048 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||||||||||
 | 2N6438 | 72.8175 | | 9967 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6438 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | 2N3779 | 33.0450 | | 4312 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 5 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3779 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | 2N4261UB | - - - | | 1383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N4261 | 200 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 350 mV @ 1ma, 10 mA | 30 @ 10ma, 1V | - - - | ||||||||||||
 | JantX2N6546T1 | - - - | | 4718 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | To-254 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 15 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
 | Jantxv2N6989U/Tr | 85.9579 | | 4704 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/559 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N6989 | 1W | 6-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N6989U/Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 800 mA | 10NA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||
| Jansm2N5152 | 95.9904 | | 8894 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N5152 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||
| Jantxv2N3737UB | - - - | | 2954 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/395 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 900mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 1a, 1,5 V. | - - - | ||||||||||||||
| 2N2906AUA/Tr | 27.2517 | | 6625 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2906 | 500 MW | 4-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2906AUA/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||
| Jan2N3499U4 | - - - | | 8343 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||
| 2n5794au/tr | 71.0700 | | 3144 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2n5794 | 600 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2n5794au/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 40V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||
| 2N1131 | 26.5950 | | 3213 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 600 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N1131 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 600 mA | 10 ma | PNP | 1,3 V @ 15ma, 150 mA | 20 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||
 | JantX2N2945a | 212.6500 | | 1 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/382 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2N2945 | 400 MW | To-46-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | - - - | 70 @ 1ma, 500mV | - - - | ||||||||||||
| Jan2N6284 | - - - | | 4532 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/504 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-3 | 175 w | To-3 (to-204aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | NPN - Darlington | 3v @ 200 Ma, 20a | 1250 @ 10a, 3V | - - - | |||||||||||||
| JANS2N2905A | 68.5204 | | 7627 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/290 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n2905 | 800 MW | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 1 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||
| 2N3777 | 33.0450 | | 3123 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 5 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3777 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 1 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||
| JANSR2N2369AU/Tr | 130.2802 | | 1051 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 500 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2369AU/Tr | 50 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||
| JANSP2N2222AUA | 156.9608 | | 5462 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 650 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N2222AUA | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
 | Jantxv2N2907Aub | 7.2352 | | 6365 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2907 | 500 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||
| JANSR2N2905AL | 99.0906 | | 5773 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/290 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 600 MW | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2905al | 1 | 60 v | 600 mA | 1 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
| 2N4908 | 58.6200 | | 5897 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 150 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4908 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 10 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - |
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